H18 |
ナノ学会第4回大会(京都大学)でポスター発表を行いました.会場内で最も多くの聴衆を集めた立派な発表で,2件の共同研究が生まれました。
Yamauchi
Kazuki, Yamamae Takahiro, Fujita Yasuhisa, O.Sentil
Kumar 「ガス中蒸発法による酸化亜鉛ナノ粒子の生成」 “Preparation of ZnO nano-particles by gas
evaporation technique”.
H18. 5. 19
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ICMOVPE XIII 2006(宮崎シーガイア)で英語による研究発表を行いました。
Y. Ichizono, J. Okamoto, T. Kato, Ya. Yamada, S. Kubo, O S. Kumar and Y. Fujita“ ZnO thin films as an epitaxial buffer layer for the growth of thin film materials with hexagonal crystal structures” .
O Senthil Kumar, Eisuke Watanabe, Ryuichi Nakai and Yasuhisa Fujita ;
“Growth of nitrogen doped ZnO films by MOVPE using diisopropylzinc and
tertiary-butanol”.
H18. 5. 23-24
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応用物理学会中国四国支部講演会(徳島大学)で研究発表を行いました。
山前孝博,工村俊介,藤田恭久,西本尚己,O.Senthil
Kumar 「MOCVD 法による窒素ドープ酸化亜鉛薄膜の成長」
岡本淳,市園泰之,加藤孝弘,山田容士,久保衆伍,O.Senthil
Kumar,藤田恭久 「エピタキシャル成長による高品質MgB2 薄膜の作製」
H18. 7. 29
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高校生を対象としたオープンキャンパスで体験入学の講師を務めました。 テーマ「光る半導体にふれてみよう」
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当研究室の写真がリクルートの進学ネットに紹介されました。
H18. 8. 4
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第67回応用物理学会学術講演会(立命館大学) で研究発表を行いました。
岡本 淳,市園泰之,藤田恭久,Kumar
O.Senthil,山田容士,久保衆伍,加藤孝弘 「金属/ZnO 層バッファ上への超伝導MgB2 薄膜の低基板温度成長」
西本 尚己,山前 孝博,工村 俊介,O.Senthil Kumar,藤田
恭久
「MOCVD法により成長した窒素ドープ酸化亜鉛薄膜の評価」
H18. 8. 29, 31
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山陰中核地域ものづくりフェア展示会出展(米子コンベンションセンター)に出展し,来場者に説明を行いました。
島根大学の他の研究プロジェクトの説明や,総てのブースを訪問し,地域産業界やものづくりについて勉強しました。
H18. 12. 8-10
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IEEE NEMS 2007( Bangkok, Thailand)で研究発表を行いました。
O. Senthil Kumar, K.
Yamauchi, Y. Hanada, M.Miyamoto, Y. Yoshida and Y. Fujita “Nitrogen Doped
ZnO Nanomaterials for UV-LED applications”.
H19. 1. 8-10
第5回ナノテクノロジー総合シンポジウム(JAPAN NANO 2007)(東京ビックサイト)において英語で研究発表を行いました。
O. Senthil Kumar, K. Yamauchi, Y. Hanada, M. Miyamoto, M. Nakamura, Y.
Fujita “ZnO Based nanomaterials for light emitting devices and bio-imaging
applications.
H19. 2. 20
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世界1のナノテクの祭典,nano tech 2007 国際ナノテクノロジー総合展(東京ビックサイト)に出展し,来場者に研究成果の紹介を行いました。
H19. 2. 21-23
多くの来場者の対応をしました。
成果の一つが日経産業新聞(2/28 13面)に掲載されました。
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