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H18


ナノ学会第4回大会(京都大学)でポスター発表を行いました.会場内で最も多くの聴衆を集めた立派な発表で,2件の共同研究が生まれました。

Yamauchi Kazuki, Yamamae Takahiro, Fujita Yasuhisa, O.Sentil Kumar
「ガス中蒸発法による酸化亜鉛ナノ粒子の生成」
“Preparation of ZnO nano-particles by gas evaporation technique”.
H18. 5. 19


ICMOVPE XIII 2006(宮崎シーガイア)で英語による研究発表を行いました。

Y. Ichizono, J. Okamoto, T. Kato, Ya. Yamada, S. Kubo, O S. Kumar and Y. Fujita“ ZnO thin films as an epitaxial buffer layer for the growth of thin film materials with hexagonal crystal structures” .

O Senthil Kumar, Eisuke Watanabe, Ryuichi Nakai and Yasuhisa Fujita ; “Growth of nitrogen doped ZnO films by MOVPE using diisopropylzinc and tertiary-butanol”.

H18. 5. 23-24


応用物理学会中国四国支部講演会(徳島大学)で研究発表を行いました。

山前孝博,工村俊介,藤田恭久,西本尚己,O.Senthil Kumar
「MOCVD 法による窒素ドープ酸化亜鉛薄膜の成長」

  岡本淳,市園泰之,加藤孝弘,山田容士,久保衆伍,O.Senthil Kumar,藤田恭久
「エピタキシャル成長による高品質MgB2 薄膜の作製」
H18. 7. 29



高校生を対象としたオープンキャンパスで体験入学の講師を務めました。
テーマ「光る半導体にふれてみよう」

当研究室の写真がリクルートの進学ネットに紹介されました。

H18. 8. 4

第67回応用物理学会学術講演会(立命館大学) で研究発表を行いました。

岡本 淳,市園泰之,藤田恭久,Kumar O.Senthil,山田容士,久保衆伍,加藤孝弘
「金属/ZnO 層バッファ上への超伝導MgB2 薄膜の低基板温度成長」

西本 尚己,山前 孝博,工村 俊介,O.Senthil Kumar,藤田 恭久
「MOCVD法により成長した窒素ドープ酸化亜鉛薄膜の評価」
H18. 8. 29, 31



研究室でテレビ撮影がありました。
H18. 10. 26



山陰中核地域ものづくりフェア展示会出展(米子コンベンションセンター)に出展し,来場者に説明を行いました。
島根大学の他の研究プロジェクトの説明や,総てのブースを訪問し,地域産業界やものづくりについて勉強しました。

H18. 12. 8-10

IEEE NEMS 2007( Bangkok, Thailand)で研究発表を行いました。

O. Senthil Kumar, K. Yamauchi, Y. Hanada, M.Miyamoto, Y. Yoshida and Y. Fujita
“Nitrogen Doped ZnO Nanomaterials for UV-LED applications”.
H19. 1. 8-10

第5回ナノテクノロジー総合シンポジウム(JAPAN NANO 2007)(東京ビックサイト)において英語で研究発表を行いました。

O. Senthil Kumar, K. Yamauchi, Y. Hanada, M. Miyamoto, M. Nakamura, Y. Fujita
“ZnO Based nanomaterials for light emitting devices and bio-imaging applications.
H19. 2. 20




シンポジウム事務局より若手発表の旅費援助をいただき東京に出張しました。

大学院生が約700名の聴衆の前で志願の英語プレゼンテーションを行いました。

ポスタープレゼンテーション


世界1のナノテクの祭典,nano tech 2007 国際ナノテクノロジー総合展(東京ビックサイト)に出展し,来場者に研究成果の紹介を行いました。

H19. 2. 21-23

多くの来場者の対応をしました。
成果の一つが日経産業新聞(2/28 13面)に掲載されました。



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