国内会議招待講演

(1)199110月、1991年秋季第52回応用物理学会学術講演会、岡山大学、岡山、塚田捷、渡邉聡、小林功佳、影島博之、一色信之、「SiおよびSi吸着表面の電子状態とSTM像」

(2)1992108日、日本学術振興会薄膜第131委員会講演会、東北大学、仙台、宮城、田部道晴、小野行徳、影島博之、「Si 清浄表面の酸化初期過程」

(3)1993217日、日本学術振興会 原子オーダープロセッシング分科会 151委員会研究会、田部道晴、小野行徳、影島博之、「Si(111)7×7 表面の熱酸化初期過程」

(4)1996426, 東京大学物性研究所常行研究室セミナー, , 東京, 影島博之, 「シリコン酸化膜系とBCシートの電子状態」

(5)19961120, JRCATシンポジウム「シリコン酸化の物理」, つくば, 茨城, 影島博之, 白石賢二, 「シリコン酸化膜界面における原子構造と電子状態の関係」

(6)1997110, 応用物理学会薄膜表面分科会主催特別研究会「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」(2), 嵐山, 埼玉, 影島博之, 白石賢二, 「シリコン酸化膜界面における原子構造と電子状態の関係」

(7)19971010, 日本物理学会格子欠陥分科会主催格子欠陥フォーラム, 豊中, 大阪, 影島博之, 「第一原理計算で見たSiO2/Si界面の物理」

(8)1998119, 科学技術振興事業団単一量子点プロジェクトセミナー, つくば,茨城, 影島博之, 「シリコン酸化膜界面の電子状態と発光」

(9)1998916, 1998年秋季第59回応用物理学会学術講演会, 広島大学, 東広島, 広島, シンポジウム「ヘテロ界面における欠陥制御」, 影島博之, 白石賢二, SiO2/Si界面における欠陥生成の理論」

(10)1998102, 日本電子工業振興協会コンピュータ支援電子材料設計専門委員会, , 東京, 影島博之, 「第一原理から見たシリコン酸化プロセス」

(11)19981022, 平成10年度東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「半導体エピタキシャル成長の原子レベル制御に関する研究」, 秋保, 仙台, 影島博之, 白石賢二, 「シリコン表面界面の酸化の理論」

(12)1999104, 電気学会・極微構造集積デバイス調査専門委員会10月期委員会, 新宿, 東京, 影島博之, 白石賢二, 植松真司, 「原子のレベルから見直したシリコン酸化プロセス」

(13)19991125, 「シリコン材料の科学と技術に関する第2回フォーラム」, かずさアカデミア, 木更津, 千葉, 影島博之, 田口明仁, 和田一実, 「窒素導入のシリコン結晶中欠陥形成への影響の理論的検討」

(14)2000114, 日本学術振興会超高純度材料における表面安定化と初期酸化に関する研究開発専門委員会第7回委員会, 千代田, 東京, 影島博之, 「シリコン初期酸化と格子間シリコン原子放出の関係」

(15)2000121, 応用物理学会薄膜表面分科会・シリコンテクノロジー研究会主催特別研究会「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」(5), 御殿場, 静岡, 白石賢二, 影島博之, 植松真司, 「原子レベルの酸化過程とマクロスコピックな酸化現象との関係」

(16)2000216, 財団法人宇宙環境利用推進センター第8回「シリコンの固液界面の状態と挙動の非平衡的解析」研究会, 新宿, 東京, 影島博之, 「シリコン結晶中点欠陥の挙動に関する理論研究−窒素添加効果と酸化効果−」

(17)2000323, 2000年日本物理学会春の分科会, 関西大学, 吹田, 大阪, シンポジウム「Si熱酸化の物理的描像の革新:膜成長と構造欠陥の挙動の統合的理解に向けて」, 23pZN-2, 影島博之, Si熱酸化による界面でのSi原子放出の理論的検討」

(18)200065, TCAD産学協議会研究会, 慶応大学, 横浜, 影島博之, 「極薄酸化膜形成のためのシリコン酸化速度モデル」

(19)200094日、2000年秋季第61回応用物理学会学術講演会、札幌工業大学、札幌、北海道、5pZC-1, 影島博之、白石賢二、植松真司、「シリコン熱酸化過程の革新的描像」

(20)2000121, 表面科学会講演大会, 早稲田大学, 新宿, 東京, 3A09, 影島博之, 「シリコン熱酸化における酸化膜成長と界面シリコン放出」

(21)2002327, 2002年春季第49回応用物理関係連合講演会, 東海大学, 平塚, 神奈川, 白石賢二, 影島博之, 植松真司, 「界面制御と計算物理」

(22)2002327, 2002年春季第49回応用物理関係連合講演会, 東海大学, 平塚, 神奈川, 植松真司, 影島博之, 白石賢二, 「シリコン酸化の統一シミュレーション」

(23)2003924, 13回格子欠陥フォーラム, 下電ホテル, 倉敷, 岡山, 影島博之, Si結晶成長とSi熱酸化過程における点欠陥の役割」

(24)200426, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第59回研究会, 学習院大学, 豊島, 東京, 影島博之, 田口明仁, 和田一実, Si結晶中のN-V-O複合体形成の理論的検討」

(25)20041029, 日本材料学会分子動力学部門分科会第6回研究会, 東京大学, 文京, 東京, 影島博之, SiO2/Si界面とその熱酸化による形成過程」

(26)200529, 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会, 東北大学学際研究センター, 仙台, 宮城, Hiroyuki Kageshima, Masashi Uematsu, Kazuto Akagi, Shinji Tsuneyuki, Toru Akiyama, Kenji Shiraishi, "Progress of interfacial atomic structure and mechanisms of stress release during Si thermal oxidation"

(27)200599, 2005年秋季第66回応用物理学会学術講演会, シンポジウム「ULSIプロセス・デバイス技術と計算科学の融合」, 徳島大学, 徳島, 9p-ZK-3, 影島博之, 植松真司, 「熱酸化過程の統一的理解に向けてー実験と理論によるアプローチ」

(28)2005919, 日本物理学会2005年秋季大会, 同志社大学, 京田辺, 領域10招待講演, 19aYN-7, 影島博之, Si酸化における原子輸送の物理」

(29)200621, 日本学術振興会結晶加工と評価技術第145委員会第105回研究会, 弘済会館, 新宿, 東京, 影島博之, Si熱酸化における原子輸送機構と歪み」

(30)200631, 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会, 東北大学学際研究センター, 仙台, 宮城, 影島博之, 秋山亨, 植松真司, 伊藤智徳, 「シリコン熱酸化における原子輸送機構と歪み」

(31)2006316, 筑波大学電子・物理工学専攻 物理工学系研究会, 筑波大学ベンチャービジネスラボラトリ, 影島博之, 「熱酸化における原子過程と熱酸化膜の原子構造の関係」

(32)2006518, 大阪大学大学院工学系研究科精密科学専攻 21世紀COE「原子論的生産技術の創出拠点」ワークショップ 「次世代半導体デバイス開発における計算科学の現状と将来」, 大阪大学先端科学イノベーションセンター先導的研究棟, 吹田, 大阪, 影島博之, 「シリコン熱酸化プロセスの微視的理解」

(33)2006121, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究集会「45nmプロセスを実現可能とする大口径Siウェーハの研究開発−不純物や欠陥の新評価技術, 強度維持, 計算機シミュレーション−」, , 東京, 影島博之, 田口明仁, 和田一実, 「シリコン結晶成長における添加窒素の役割」

(34)2007123, 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会, 東北大学電気通信研究所, 仙台, 宮城, Hiroyuki Kageshima, "Possibility of O2 Stable Site in Si Oxide & Its Impact on Mechansim of Thermal Si Oxidation Process"

(35)2007922, 日本物理学会第62回年次大会, シンポジウム「コンピューテショナル・マテルアルズ・デザイン(CMD(R))先端事例」, 北海道大学, 札幌, 22pWA-7, 影島博之, 「第一原理計算のSiプロセスへの応用と新しい物理量計算手法の開発」

(36)2008221, 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会, 東北大学電気通信研究所, 仙台, 宮城, 秋山亨、影島博之、植松真司、伊藤智徳、「酸化誘起歪みによるSi酸化膜界面でのO2輸送反応過程の変化」

(37)20081114, 28回表面科学学術講演会,早稲田大学, 新宿, 東京, シンポジウム2:『最先端表面研究が切り開くナノエレクトロニクスのブレークスルー:原子レベルから環境にやさしく』, 嘉数誠, 植田研二, 影島博之, 「ダイヤモンド半導体表面・界面研究の最近の進展」

(38)200941, 2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会, 筑波大学, つくば, シンポジウム「ポストスケーリング時代をデバイス・物性物理から斬る ーこれが半導体デバイスの未来像だー」, 影島博之, 秋山亨, 植松真司, 伊藤智徳, 「古くて新しいシリコン酸化膜の物性」, 1p-ZT-6

(39)2009717, 応用物理学会応用電子物性分科会研究例会「グラフェンの形成・基礎物性とデバイス展開」, 機械振興会館, , 東京, 影島博之, 「グラフェンの基礎物性とその理論−デバイス応用の観点から」

(40)2009106, 東北大学電気通信研究所グラフェン共同プロジェクト研究会, 東北大学電気通信研究所, 仙台, 宮城, Hiroyuki Kageshima, "Theory of graphene epitaxial growth"

(41)20091120, 早稲田大学理工学部/大学院理工学研究科講演会, 早稲田大学理工学部, 新宿, 東京, 影島博之, 「グラフェンの基礎物性とその理論 ―デバイス応用の観点から―」

(42)20091218, 応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第18回講演会, 神戸国際会議場, 神戸, 兵庫, 影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司, SiC単結晶基板上のエピタキシャルグラフェン形成と基礎物性ーデバイス展開を目指してー」

(43)2010129, 九州大学応用力学研究所研究会「グラフェンの成長物理と物性」, 九州大学伊都キャンパス, 福岡, 影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司, SiC(0001)上グラフェン成長のエナージェティクス」

(44)2010318, 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会, 東海大学, 平塚, 神奈川, 14.1探索的材料物性分科内招待講演, 18p-TM-1, 影島博之, 籔内真, 小野行徳, 永瀬雅夫, 藤原聡, 太田英二, SiMnSiナノ粒子の磁性の起源」

(45)2010322, 日本物理学会第65回年次大会, 岡山大学, 岡山, シンポジウム「基板上グラフェンの成長・評価およびグラフェンエッジ」, 22pGV-7, 影島博之, SiC上エピタキシャルグラフェンの原子構造と電子状態」

(46)201067, 筑波大学大学院数理物質科学研究科セミナー, 筑波大学, つくば, 影島博之, SiC上エピタキシャルグラフェンの形成・構造・電子物性」

(47)2011621, 東北大学電気通信研究所講演会, 東北大学, 仙台, 影島博之, 「グラフェンの基礎物性−今さら聞けないグラフェンの物理」

(48)201174, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第137回研究集会「ゲートスタック技術の進展-半導体機能界面の特性評価を中心に」, 名古屋大学, 名古屋, 影島博之, 日比野浩樹,山口浩司, 永瀬雅夫, SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成」

(49)2011829, 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会, 山形大学, 山形, シンポジウム「グラフェンエピタキシーの現状と将来展望」, 29p-H-3, 日比野浩樹, 田邉真司, 影島博之, 前田文彦, 「エピタキシャルグラフェンの成長とLEEM による評価」

(50)20111014, 日本学術振興会光電相互変換第125委員会第214回研究会『グループIVフォトニクス』, 静岡大学, 浜松, 影島博之, 「グラフェンの基礎物性」

(51)20111116, International Seminar at Research Institute of Electric Communication, 東北大学片平キャンパス, 仙台, Hiroyuki Kageshima, "First-principles study on mechanism of epitaxial graphene growth on SiC".

(52)20111125, 20回ポリマー材料フォーラム「未来を拓くポリマー材料」, タワーホール船堀, 江戸川, 東京, 2BIL02, 日比野浩樹, 田邉真一, 影島博之, SiCからのグラフェン成長」

(53)2012113, 関西学院大学理工学部講演会, 関西学院大学三田キャンパス, 三田, 兵庫, 影島博之, 「第一原理計算からみたSiC上のグラフェン成長」

(54)2012126, 精密工学会超精密加工専門委員会第63回研究会, 新大阪グランドパレス、新大阪, 大阪, 影島博之, SiC上グラフェン形成に関する理論検討」

(55)2012223, 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「次世代デバイス応用を企図したグラフェン形成機構の解明及び制御の研究」, 東北大学片平キャンパス, 仙台, 影島博之, 「第一原理計算で見たSiC(0001)上エピタキシャルグラフェン成長の初期過程」

(56)201275, 第4回「イノベーション基盤シミュレーションソフトウェアの研究開発」シンポジウム, 東京大学生産技術研究所, 目黒, 東京, 影島博之, 「半導体デバイス材料研究への応用」

(57)2012108, 日本機械学会 25回計算力学講演会(CMD2012, フォーラム「「京」コンピュータと次世代ものづくり」, 神戸大学ポートアイランド南地区, 神戸, 影島博之, F306, 「電子状態計算による半導体デバイス材料の研究」

(58)2013118, 九州大学応用力学研究所主催第5回九州大学グラフェン研究会, 九州大学伊都キャンパス, 福岡, 影島博之, 「第一原理計算からみたSiC上グラフェンの形成と構造」

(59)2013118, 九州大学応用力学研究所主催第5回九州大学グラフェン研究会, 九州大学伊都キャンパス, 福岡, 井上仁人, 寒川義裕, 影島博之, 柿本浩一, 「エピタキシャルグラフェン成長初期のC凝集過程-SiC表面構造とCクラスター構造の相関-

(60)201327, 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「グラフェンの精密な界面制御とナノデバイス応用」, 東北大学片平キャンパス, 仙台, 影島博之, SiC上グラフェンの形成と構造に関する第一原理計算」

(61)201363, 福井大学グラフェン研究会「グラフェンナノリボンFETへ向けて」, 福井大学文教キャンパス, 福井, 影島博之, 「第一原理計算からみたSiC上グラフェンの形成と構造」

(62)2013626, 千葉大学大学院理学研究科物理学専攻物性セミナー, 千葉大学西千葉キャンパス, 千葉, 影島博之, SiC上エピタキシャルグラフェンの物理」

(63)2014年4月25日, 物質材料研究機構講演会「表面・界面の第一原理理論の進歩」, 物質材料研究機構並木地区, つくば, 影島博之, 「半導体デバイス材料表面界面の物性とプロセスの研究」

(64)2014年9月29日, NIMSナノシミュレーションワークショップ2014, 一橋大学一橋講堂, 千代田, 東京, 影島博之, 「二次元原子結晶半導体の物性」

(65)2014年10月24日, 平成26年度静岡大学電子工学研究所共同研究プロジェクト「シリコンナノデバイスにおける複合欠陥の物理と応用」研究会, 静岡大学電子工学研究所, 浜松, 影島博之, 「半導体界面欠陥の理論的考察」

(66)2014年11月6日, 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会「プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般」, 機会振興会館, 港, 東京, 影島博之, 「計算物理に基づく電子材料設計の最近の進展」

(67)2015年2月6日, 企業研究会第28期CAMMフォーラム本例会, 青山学院大学アイビーホール, 渋谷, 東京, 影島博之, 「計算物理に基づく電子材料設計ーシリコンとグラフェンの制御ー」

(68)2015年2月10日, 九州大学応用力学研究所主催第5回九州大学グラフェン研究会, 九州大学伊都キャンパス, 福岡, 影島博之, 「SiC上エピタキシャルグラフェン形成機構と制御指針」

(69) 2015年3月6日, 平成26年度静岡大学電子工学研究所共同研究プロジェクト「アルコールCVDグラフェン材料のイメージングデバイス応用」研究会, 静岡大学電子工学研究所, 浜松, 影島博之, 「グラフェンの熱電変換特性と電気磁気特性」

(70) 2016年1月8日, 平成27年度静岡大学電子工学研究所共同研究プロジェクト「シリコンナノデバイスにおける複合欠陥の物理と応用」研究会, 静岡大学電子工学研究所, 浜松, 影島博之, 白石賢二, 遠藤哲郎,  「シリコンピラー酸化の理論的考察」

(71) 2016年1月29日, 九州大学応用力学研究所主催第6回九州大学グラフェン研究会, 九州大学筑紫キャンパス, 春日, 影島博之, 浦崎柊, 岡田克也, 「二次元半導体の欠陥と成長の理論検討」

(72) 2016年3月5日, 研究会NWDTF, 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター, 仙台, 影島博之, 「シリコン放出モデルとシリコンピラー酸化」

(73) 2016年9月6日,静岡大学電子工学研究所生体医歯工学共同研究プロジェクト「IV族半導体表面界面制御に基づく高速分子センシング技術の研究」研究会, 静岡大学電子工学研究所, 浜松, 影島博之, 「SiC上グラフェン形成におけるステップの役割」

(74) 2016年11月2日, NIMSナノシミュレーションワークショップ2016, 東京, 浦崎柊, 影島博之, 「二次元半導体h-BNとMoS2の原子空孔の安定性と電子状態」

(75) 2017年6月15日, 2017年日本結晶成長学会特別講演会「ブレークスルーをもたらす結晶成長技術 ーナノスケール制御による新機能発現ー」, 京都国立博物館, 京都, 影島博之, 日比野浩樹, 「二次元物質の結晶成長と結晶性・原子構造に関する理論的研究」