国内会議一般講演(査読無し)

(1)1988104,日本物理学会1988年秋の分科会, 広島大学, 広島, 4p-B4-1, 影島博之, 塚田捷, 「クラスターにおける共鳴電子状態」

(2)1989106,日本物理学会1989年秋の分科会, 鹿児島大学, 鹿児島, 6a-T-7, 影島博之, 塚田捷, 「吸着分子のFIM像に関する理論的研究」

(3)1990105,日本物理学会1990年秋の分科会, 岐阜大学, 岐阜, 5a-PS-9, 影島博之, 塚田捷, LCAOを越えたSTM/STSの理論シミュレーション」

(4)1991325,日本物理学会1990年春の分科会, 学習院大学, 豊島, 東京,25a-R-10, 一色信之, 小林 功佳, 影島博之, 塚田捷,Si(100)再配列構造表面のSTM/STSの理論シミュレーション」

(5)1991325,日本物理学会1990年春の分科会, 学習院大学, 豊島, 東京,25p-PS-55, 影島博之, 一色信之, 塚田捷, LCAOを越えたSTM/STSの理論シミュレーション(II)

(6)199110月、1991年秋季第52回応用物理学会学術講演会、岡山大学、岡山、影島博之、一色信之、塚田捷、「Si(100)再構成表面のSTM/STSの理論解析」

(7)19923月、1992年春季第39回応用物理学会関係連合講演会、日本大学、船橋、千葉、影島博之、田部道晴、「シリコン酸化膜/シリコン界面の強結合近似法による計算」

(8)19929月、1992年秋季第53回応用物理学会学術講演会、関西大学、吹田、大阪、影島博之、田部道晴、「Si酸化初期表面のSTMに関する理論」

(9)1992928日、日本物理学会1992年秋の分科会、東京大学、目黒、東京、28a-Y-4影島博之、田部道晴、「Si(111)酸化初期表面のSTM/STSに関する理論」

(10)1993330日、日本物理学会1993年第48回年会、東北大学、仙台、宮城、30a-H-2影島博之、田部道晴、「O/Si(111)表面の電子状態とSTM(II)

(11)1993422日、電子情報通信学会シリコンデバイス材料(SDM)研究会、北海道大学、札幌、北海道、小野行徳、田部道晴、影島博之、「Si(111)7×7表面の熱酸化初期過程」

(12)19939月、1993年秋季第54回応用物理学会学術講演会、北海道大学、札幌、北海道、影島博之、田部道晴、「Si(111)酸化初期表面の内殻準位のエネルギーシフト」

(13)19943月、1994年春季第41回応用物理学会関係連合講演会、明治大学、川崎、神奈川、影島博之、田部道晴、「Si(111)酸化初期表面の内殻準位シフトの理論」

(14)19949月、1994年秋季第55回応用物理学会学術講演会、名城大学、名古屋、愛知、影島博之、田部道晴、「Si(111)酸化初期表面の内殻準位シフトの理論 II」

(15)1995328日、日本物理学会第50回年会、神奈川大学、横浜、神奈川、28p-PSB-2影島博之、白石賢二、「表面をOで覆われたSi(100)量子薄膜の第一原理計算」

(16)19957月、第14回電子材料シンポジウム、ホテル富士見ハイツ、伊豆長岡、静岡、影島博之、「表面を一原子層Oで覆われたSi(100)超極薄膜の第一原理計算」

(17)19958月、1995年秋季第56回応用物理学会学術講演会、金沢工業大学、金沢、石川、影島博之、「表面が1ML Oで覆われたSi(100)量子薄膜の構造と電子状態」

(18)19963月、1996年春季第43回応用物理学会関係連合講演会、東洋大学、朝霞、埼玉、影島博之、白石賢二、「クリストバライトで挟まれたSi(100)量子薄膜の原子配置と電子状態」

(19)19963月、1996年春季第43回応用物理学会関係連合講演会、東洋大学、朝霞、埼玉、影島博之、白石賢二、武田京三郎、「5員環-7員環BCシートの電子状態」

(20)199643日、日本物理学会第51回年会、金沢大学、金沢、石川、3a-F-7影島博之、白石賢二、武田京三郎、「5員環-7員環BCシートの電子状態」

(21)1996710日、第15回電子材料シンポジウム、ホテル富士見ハイツ、伊豆長岡、静岡、影島博之、白石賢二、「超ソフト擬ポテンシャルによる運動量行列要素の計算方法ーGaNへの応用」

(22)199698日、1996年秋季第57回応用物理学会学術講演会、九州産業大学、福岡、8a-PB3影島博之、白石賢二、「SiO2/Si(100)界面の原子配置と電子状態の第一原理計算」

(23)199699日、1996年秋季第57回応用物理学会学術講演会、九州産業大学、福岡、9p-ZF15影島博之、白石賢二、「超ソフト擬ポテンシャル法によるGaNの光学遷移行列要素の第一原理計算」

(24)1996101日、日本物理学会1996年秋の分科会、山口大学、山口、1aYN-6, 影島博之、白石賢二、「超ソフト擬ポテンシャル法を用いた光学遷移行列要素の計算」

(25)19973月、1997年春季第44回応用物理学会関係連合講演会、日本大学、船橋、千葉、影島博之、白石賢二、「シリコン酸化膜界面における原子構造とバンド不連続量の関係」

(26)19973月、1997年春季第44回応用物理学会関係連合講演会、日本大学、船橋、千葉、田口明仁、影島博之、「GaAs中の酸素不純物の荷電状態と原子配置」

(27)199779-11日、第16回電子材料シンポジウム、ホテル箕面、箕面、大阪、影島博之、白石賢二、「水素関連欠陥のあるシリコン酸化膜界面の障壁高さの理論的研究」

(28)199710月、1997年秋季第58回応用物理学会学術講演会、秋田大学、秋田、白石賢二、鈴木康夫、影島博之、伊藤智徳、「GaAs(001)-(111)B面間でのGa原子拡散に関する第一原理的考察」

(29)199710月、1997年秋季第58回応用物理学会学術講演会、秋田大学、秋田、影島博之、白石賢二、「水素終端Si(100) 1x1表面の酸化の進行原子過程の第一原理計算による研究」

(30)1997105日、日本物理学会1997年秋の分科会、神戸大学、神戸、兵庫、5a-B-5影島博之、白石賢二、「di-hydride Si(100)表面の初期酸化進行過程の第一原理計算」

(31)1997107日、日本物理学会1997年秋の分科会、神戸大学、神戸、兵庫、7p-J-4影島博之、白石賢二、「シリコンナノ構造における酸化膜界面のSi-OH結合と発光」

(32)1997108日、日本物理学会1997年秋の分科会、神戸大学、神戸、兵庫、8a-S-3、田口明仁、影島博之、「GaAs中の酸素原子の拡散過程」

(33)1998124日、応用物理学会薄膜表面分科会主催特別研究会「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」(3)NTT御殿場研修センター、御殿場、静岡、影島博之、白石賢二、「水素終端Si(100)表面に関する酸化物形成原子過程の理論研究」

(34)1998328日、1998年春季第45回応用物理学会関係連合講演会、東京工科大学、八王子、東京、28p-ZK6影島博之、白石賢二、「シリコンの酸化に伴う界面からの格子間原子放出の原子機構」

(35)1998329日、1998年春季第45回応用物理学会関係連合講演会、東京工科大学、八王子、東京、29p-PB11影島博之、白石賢二、「H終端Si(100) 1×1表面の酸化進行原子過程 −層状酸化と島状酸化−」

(36)1998330日、日本物理学会第53回年会、日本大学・東邦大学、習志野、千葉、30a-YK-13、田口明仁、影島博之、「AlAs中の酸素原子の拡散過程」

(37)1998916日、1998年秋季第59回応用物理学会学術講演会、広島大学、東広島、広島、白石賢二、影島博之、「Si/SiO2界面における水素原子のマイグレーションの理論的考察」

(38)1998916日、1998年秋季第59回応用物理学会学術講演会、広島大学、東広島、広島、16p-ZD-6, 影島博之、白石賢二、「Si表面とSi/SiO2界面での酸化領域成長過程の理論的考察」

(39)1998928日、日本物理学会1998年秋の分科会、琉球大学・沖縄国際大学、西原・宜野湾、沖縄、25p-T-8, 山口栄一、白石賢二、影島博之、「InGaN中の格子欠陥の第一原理計算」

(40)1998928日、日本物理学会1998年秋の分科会、琉球大学・沖縄国際大学、西原・宜野湾、沖縄、28a-YR-11, 影島博之、白石賢二、「第一原理計算によるSi表面、SiO2/Si界面における酸化領域成長の研究」

(41)1999122日、応用物理学会薄膜表面分科会主催特別研究会「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」(4)NTT御殿場研修センター、御殿場、静岡、影島博之、白石賢二、「シリコン酸化における層状成長の起源」

(42)1999328日、1999年第46回春季応用物理学会関係連合講演会、東京理科大学、野田、千葉、白石賢二、永瀬雅夫、堀口誠二、影島博之、「酸化歪を利用した量子ドットの理論的考察」

(43)1999331日、1999年第46回春季応用物理学会関係連合講演会、東京理科大学、野田、千葉、31p-ZT8, 影島博之、白石賢二、「シリコン酸化に伴う原子放出の物性の理論検討」

(44)199991日、1999年秋季第60回応用物理学会学術講演会、甲南大学、神戸、兵庫、1p-ZQ3, 影島博之、白石賢二、「界面Si原子放出を考慮した酸化膜成長速度の理論」

(45)199991日、1999年秋季第60回応用物理学会学術講演会、甲南大学、神戸、兵庫、永瀬雅夫、堀口誠二、白石賢二、影島博之、高橋庸夫、村瀬克実、「パターン依存酸化を用いて製作したSi SETの解析 (I)  3次元形状評価」

(46)199991日、1999年秋季第60回応用物理学会学術講演会、甲南大学、神戸、兵庫、白石賢二、伊藤智徳、鈴木康夫、田口明仁、影島博之、「GaAs(001)-(111)B面間におけるGa原子拡散のミクロスコピックな起源」

(47)1999927日、日本物理学会1999年秋の分科会、岩手大学、盛岡、岩手、27aY-13, 影島博之、白石賢二、「Si(100)表面酸化に伴う表面からのSi原子放出量の理論検討」

(48)2000121日、応用物理学会薄膜表面分科会主催特別研究会「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」(5)NTT御殿場研修所、御殿場、静岡、影島博之、白石賢二、植松真司、「界面Si原子放出によるSi酸化膜成長速度の説明の試み」

(49)200029日、電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)、電子デバイス研究会(ED)合同研究会、北海道大学、札幌、北海道、堀口誠二、永瀬雅夫、白石賢二、影島博之、高橋庸夫、村瀬克実、「パターン依存酸化法(PADOX)を用いて制作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構」

(50)2000329日、2000年春季第47回応用物理関係連合講演会、青山学院大学、港、東京、白石賢二、影島博之、植松真司、「酸化反応における界面Si原子放出と層状酸化現象との関係」

(51)2000329日、2000年春季第47回応用物理関係連合講演会、青山学院大学、港、東京、29aYH-4, 影島博之、白石賢二、植松真司、「界面Si原子放出酸化膜成長速度理論の有効性」

(52)2000329日、2000年春季第47回応用物理関係連合講演会、青山学院大学、港、東京、堀口誠二、永瀬雅夫、白石賢二、影島博之、高橋庸夫、村瀬克実、「パターン依存酸化法を用いて制作したSi SETの解析(III)ーポテンシャルプロファイルの形成機構(II)ー」

(53)2000330日、2000年春季第47回応用物理関係連合講演会、青山学院大学、港、東京、30pYM-1, 影島博之、田口明仁、和田一実、「Si結晶中の欠陥形成に対する窒素添加効果の理論検討」

(54)2000330日、2000年春季第47回応用物理関係連合講演会、青山学院大学、港、東京、30pYH-2, 影島博之、白石賢二、池田浩也、財満鎮明、安田幸夫、「dihydride Si(100)表面上での原子状Oの選択吸着」

(55)200094日、2000年秋季第61回応用物理学会学術講演会、札幌工業大学、札幌、北海道、5aZC-4, 影島博之、白石賢二、植松真司、「Si熱酸化に対する界面Si放出モデルの第一原理計算による検討」

(56)200094日、2000年秋季第61回応用物理学会学術講演会、札幌工業大学、札幌、北海道、植松真司、影島博之、白石賢二、「界面Si放出モデルによる統一酸化のシミュレーション」

(57)200097日、2000年秋季第61回応用物理学会学術講演会、札幌工業大学、札幌、北海道、7aZ-7, 影島博之、田口明仁、和田一実、「Si結晶中の欠陥形成に関する窒素添加効果の理論検討(II)

(58)2000924日、日本物理学会第55回年次大会、新潟大学、新潟、24pPSA-56, 影島博之、白石賢二、植松真司、「Si酸化膜界面における格子間Siの振る舞い」

(59)200132日、The Fifth Symposium on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics, Heart in Nogizaka, Minato, Tokyo, Hiroyuki Kageshima, Kenji Shiraishi, and Masashi Uematsu, "Theoretical study on atomic picture for Si thermal oxide growth process".

(60)2001525日、電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)、電子デバイス研究会(ED)、電子部品・材料研究会(CPM)合同研究会、静岡大学、浜松、静岡、堀口誠二、永瀬雅夫、白石賢二、影島博之、高橋庸夫、29、「酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性」

(61)2001912日、2001年秋季第62回応用物理学会学術講演会、愛知工業大学、豊田、愛知、堀口誠二、永瀬雅夫、白石賢二、影島博之、高橋庸夫、「量子サイズ効果と酸化誘起歪みに起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性」

(62)2001913日、2001年秋季第62回応用物理学会学術講演会、愛知工業大学、豊田、愛知、高橋智紀、深津茂人、伊藤公平、植松真司、藤原聡、影島博之、高橋庸夫、白石賢二、「Si酸化膜(SiO2)中のSi自己拡散」

(63)2001913日、2001年秋季第62回応用物理学会学術講演会、愛知工業大学、豊田、愛知、13aW-8, 影島博之、白石賢二、植松真司、「Si熱酸化に対する界面Si放出モデルの考察」

(64)2001913日、2001年秋季第62回応用物理学会学術講演会、愛知工業大学、豊田、愛知、植松真司、影島博之、白石賢二、「界面Si放出モデルの有効性-H, Cl添加ドライ酸化での検討」

(65)2001913日、2001年秋季第62回応用物理学会学術講演会、愛知工業大学、豊田、愛知、デビッド・ボトムリー、尾身博雄、荻野俊郎、植松真司、影島博之、「Si(100)-SiO2界面でのステップ・テラス構造の自己形成の起源」

(66)20011127日、第3回シリコン材料の科学と技術フォーラム、湘南国際村センター、葉山、神奈川、高橋智紀、深津茂人、伊藤公平、植松真司、藤原聡、影島博之、高橋庸夫、白石賢二、「Si酸化膜(SiO2)中のSi自己拡散」

(67)200218, Computational Science Workshop 2002, 湘南国際村センター、葉山, 神奈川: Hiroyuki Kageshima, Shinji Uematsu, and Kenji Shiraishi, "Construction of Si Thermal Oxide Layer Growth Rate Theory by Combining First-principles Calculations with the Classical Diffusion Theory".

(68)2002125日、応用物理学会薄膜表面分科会主催特別研究会「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」(7)、熱川ハイツ、東伊豆、静岡、影島博之、植松真司、白石賢二、「Si熱酸化膜成長過程の界面Si放出モデルに関する考察」

(69)2002125日、応用物理学会薄膜表面分科会主催特別研究会「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」(7)、熱川ハイツ、東伊豆、静岡、深津茂人、高橋智紀、伊藤公平、植松真司、藤原聡、影島博之、高橋庸夫、白石賢二、「熱平衡状態における熱酸化膜中でのSi自己拡散」

(70)2002327日、2002年春季第49回応用物関係連合講演会、東海大学、平塚、神奈川、伊藤智徳、寒川義裕、中村浩次、白石賢二、田口明仁、影島博之、「Si1-x-yGexCyにおけるC混合安定性に対する基板拘束の影響」

(71)2002328日、2002年春季第49回応用物関係連合講演会、東海大学、平塚、神奈川、尾身博雄、植松真司、影島博之、荻野俊郎、「Si(001)-SiO2界面でのステップ・テラス構造の形成機構(2)

(72)2002328日、2002年春季第49回応用物関係連合講演会、東海大学、平塚、神奈川、尾身博雄、植松真司、影島博之、荻野俊郎、「Si(001)-SiO2界面での高温酸化のスケーリング則」

(73)200299日、日本物理学会2002年秋季大会、中部大学、春日井、愛知、9aSN-9, 秋山亨、影島博之、「SiO2/Si(001)界面近傍における原子状酸素の安定性」

(74)2002926日、2002年秋季第63回応用物理学学会学術講演会、新潟大学、新潟、秋山亨、影島博之、「Si熱酸化における界面反応の微視的メカニズム」

(75)2002926日、2002年秋季第63回応用物理学学会学術講演会、新潟大学、新潟、伊藤智徳、中村浩次、白石賢二、田口明仁、影島博之、「Si1-x-yGexCyにおけるC混合安定性に対する表面の影響」

(76)2003124日、応用物理学会薄膜表面分科会主催特別研究会「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」(8)、熱川ハイツ、東伊豆、静岡、影島博之、秋山亨、赤木和人、白石賢二、植松真司、常行真司、「Si熱酸化における界面Si放出過程の検討」

(77)2003124日、応用物理学会薄膜表面分科会主催特別研究会「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」(8)、熱川ハイツ、東伊豆、静岡、秋山亨、影島博之、「SiO2/Si(100)界面での原子状酸素の微視的振舞い」

(78)2003327日、2003年春季第50回応用物理学関係連合講演会、神奈川大学、横浜、神奈川、伊藤智徳、堤田和三、中村浩次、寒川義裕、白石賢二、田口明仁、影島博之、「GaAs((001)-c(4x4)-(2x4)表面構造相転移に関する再検討」

(79)2003328日、2003年春季第50回応用物理学関係連合講演会、神奈川大学、横浜、神奈川、28a-P6-6, 影島博之、秋山亨、赤木和人、白石賢二、植松真司、常行真司、「シリコン酸化膜/シリコン界面における界面放出Siの安定性」

(80)2003328日、2003年春季第50回応用物理学関係連合講演会、神奈川大学、横浜、神奈川、秋山亨、影島博之、「SiO2/Si(100)界面における酸素原子反応過程の理論検討」

(81)2003328日、日本物理学会第58回年次大会、東北大学、仙台、宮城、28pPSB-43, 秋山亨、影島博之、「SiO2/Si(100)界面での酸素原子反応過程の理論的検討」

(82)2003831日、2003年秋季第64回応用物理学学会学術講演会、福岡大学、福岡、31p-A-14, 植松真司、影島博之、永瀬雅夫、白石賢二、「パタン依存酸化(PADOX)における下方酸化と応力の関係」

(83)200391日、2003年秋季第64回応用物理学学会学術講演会、福岡大学、福岡、1a-YC-7, 秋山亨、影島博之、伊藤智徳、「Si熱酸化過程における界面反応定数B/Aの起源: 第一原理計算による解明」

(84)200391日、2003年秋季第64回応用物理学学会学術講演会、福岡大学、福岡、1a-YA-3, 伊藤智徳、堤田和三、中村浩次、寒川義裕、白石賢二、田口明仁、影島博之、「GaAs(001)-c(4x4)表面における吸着原子のマイグレーションに関する再検討」

(85)200391日、2003年秋季第64回応用物理学学会学術講演会、福岡大学、福岡、1p-YC-20, 深津茂人、高橋智紀、伊藤公平、植松真司、藤原聡、影島博之、高橋庸夫、白石賢二、Ulrich Gösele、「酸化膜中におけるSi自己拡散の酸化膜/Si界面からの距離依存性」

(86)200392日、2003年秋季第64回応用物理学学会学術講演会、福岡大学、福岡、2a-YA-8, 影島博之、田口明仁、和田一実、「Si結晶中のN-V-O複合体形成の理論的検討」

(87)2003921日、日本物理学会2003年秋季大会、岡山大学、岡山、21pXA-9, 影島博之、秋山亨、赤木和人、植松真司、白石賢二、常行真司、「SiO2/Si(100)界面近傍における余剰Si点欠陥の安定性」

(88)2003923日、日本物理学会2003年秋季大会、岡山大学、岡山、23aYD-14, 赤木和人、常行真司、影島博之、植松真司、「シリコン酸化物中の余剰原子および欠陥の拡散挙動: 第一原理分子動力学計算からのアプローチ」

(89)2004123日、応用物理学会薄膜表面分科会主催特別研究会「極薄シリコン化膜の形成・評価・信頼性」(9)、熱川ハイツ、東伊豆、静岡、深津茂人、伊藤公平、植松真司、藤原聡、影島博之、高橋庸夫、白石賢二、Ulrich Gösele、「SiO2中でのSi自己拡散に与えるSi/SiO2界面の影響」

(90)2004123日、応用物理学会薄膜表面分科会主催特別研究会「極薄シリコン化膜の形成・評価・信頼性」(9)、熱川ハイツ、東伊豆、静岡、秋山亨、影島博之、伊藤智徳、「シリコン熱酸化過程における酸素分子界面反応のメカニズム」

(91)2004328日、2004年春季第51回応用物理学関係連合講演会、東京工科大学、八王子、28p-C-17, 植松真司、影島博之、高橋庸夫、深津茂人、伊藤公平、白石賢二、「Bドープ酸化膜中のSi自己拡散」

(92)2004330日、2004年春季第51回応用物理学関係連合講演会、東京工科大学、八王子、30a-B-4, 秋山亨、影島博之、伊藤智徳、「シリコン熱酸化における酸化種界面反応のメカニズム: 電子論による検討」

(93)2004330日、2004年春季第51回応用物理学関係連合講演会、東京工科大学、八王子、30a-B-5, 影島博之、植松真司、秋山亨、赤木和人、常行真司、白石賢二、「シリコン酸化膜/シリコン界面における界面放出Siの安定性(II)

(94)2004330日、2004年春季第51回応用物理学関係連合講演会、東京工科大学、八王子、30a-YK-10, 影島博之、田口明仁、和田一実、「Si結晶成長における窒素添加効果の熱力学的考察」

(95)2004330日、2004年春季第51回応用物理学関係連合講演会、東京工科大学、八王子、30p-B-2, 植松真司、影島博之、高橋庸夫、深津茂人、伊藤公平、白石賢二、Ulrich Gösele、酸化膜中のSi自己拡散-酸化膜/Si界面の影響と時間依存性」

(96)2004330日、2004年春季第51回応用物理学関係連合講演会、東京工科大学、八王子、30p-B-3, 深津茂人、伊藤公平、植松真司、影島博之、高橋庸夫、白石賢二、「酸化膜中におけるB拡散の酸化膜/Si界面からの距離依存性」

(97)2004610日、The 10th symposium on the Physics and Application of Spin-related phenomena in Semiconductors (PASPS-10), 東京工業大学、横浜、神奈川、Shin Yabuuchi, Eiji Ohta, Hiroyuki Kageshima, and Akihito Taguchi, "First-principles calculations of Mn-Mn interaction in Si"

(98)2004621日、応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第61回研究会「ゲート絶縁膜の現状と課題〜信頼性を中心に〜」、機械振興会館、港、東京、植松真司、影島博之、高橋庸夫、深津茂人、伊藤公平、白石賢二、「Si酸化膜中におけるB拡散とSi自己拡散の相関」

(99)200493日、2004年秋季第65回応用物理学学会学術講演会、東北学院大学、仙台、宮城、3a-B-6, 深津茂人、伊藤公平、植松真司、影島博之、高橋庸夫、白石賢二、「同位体ヘテロ構造を用いたSiO2中のSi自己拡散のSi/SiO2界面距離依存性の評価」

(100)200493日、2004年秋季第65回応用物理学学会学術講演会、東北学院大学、仙台、宮城、3a-B-7, 植松真司、深津茂人、伊藤公平、影島博之、高橋庸夫、白石賢二、「Si酸化膜中のSi自己拡散に対するSiNキャップ堆積法の影響」

(101)200493日、2004年秋季第65回応用物理学学会学術講演会、東北学院大学、仙台、宮城、3a-B-8, 秋山亨、影島博之、伊藤智徳、「第一原理計算による構造遷移領域SiO2中の酸素拡散機構の解明」

(102)200493日、2004年秋季第65回応用物理学学会学術講演会、東北学院大学、仙台、宮城、3a-B-9, 影島博之、植松真司、赤木和人、常行真司、秋山亨、白石賢二、「シリコン酸化膜/シリコン界面における界面放出Siの安定性(III)

(103)200493日、2004年秋季第65回応用物理学学会学術講演会、東北学院大学、仙台、宮城、3a-X-1, 籔内真、太田英二、影島博之、田口明仁、「Si結晶中におけるMn-Mnペア形成の第一原理計算による研究」

(104)200493日、2004年秋季第65回応用物理学学会学術講演会、東北学院大学、仙台、宮城、3p-ZG-10, 内田和之、影島博之、猪川洋、「フェニルジチオール分子におけるキャリア注入効果の理論からの検討」

(105)2004914日、日本物理学会2004年秋季大会、青森大学、青森、14pTJ-2, 秋山亨、影島博之、伊藤智徳、「SiO2中の格子間酸素の構造および拡散の歪みによる影響」

(106)2004915日、日本物理学会2004年秋季大会、青森大学、青森、15aPS-29, 影島博之、植松真司、赤木和人、常行真司、秋山亨、白石賢二、「SiO2/Si(100)での格子間Siの研究」

(107)2004915日、日本物理学会2004年秋季大会、青森大学、青森、15aPS-30, 秋山亨、影島博之、伊藤智徳、「SiO2/Si(100)界面における酸素分子反応の第一原理計算」

(108)2004915日、日本物理学会2004年秋季大会、青森大学、青森、15aPS-58, 内田和之、影島博之、猪川洋、「有機分子フェニルジチオールにおける電子-格子相互作用の電子状態計算に基づく研究」

(109)2005128日、応用物理学会薄膜表面分科会主催特別研究会「ゲートスタック研究会−材料・プロセス・評価の物理−」(10)、東レ総合研修センター、三島、影島博之、植松真司、赤木和人、常行真司、秋山亨、白石賢二、「Si熱酸化における界面原子構造変化と歪み緩和機構」

(110)2005128日、応用物理学会薄膜表面分科会主催特別研究会「ゲートスタック研究会−材料・プロセス・評価の物理−」(10)、東レ総合研修センター、三島、植松真司、影島博之、白石賢二、「Si酸窒化膜中の拡散に対するNの効果」

(111)2005324日、日本物理学会第60回年次大会、東京理科大学、野田、千葉、24aPS-164, 内田和之、影島博之、猪川洋、「フェニルジチオール分子群における帯電効果の普遍性と個別性の検討」

(112)2005329日、2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会、埼玉大学、さいたま、埼玉、29a-ZC-7, 細井重孝、中嶋薫、鈴木基史、木村健二、清水康雄、深津茂人、伊藤公平、植松真司、影島博之、白石賢二、「Siの同位体を用いた熱酸化に伴う酸化膜中へのSi放出の観測」

(113)2005329日、2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会、埼玉大学、さいたま、埼玉、29a-ZC-8, 植松真司、影島博之、白石賢二、「Si酸窒化膜中の拡散に対するNの効果」

(114)2005329日、2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会、埼玉大学、さいたま、埼玉、29a-ZC-9, 川本圭一、秋山亨、影島博之、植松真司、中村浩次、伊藤智徳、「第一原理計算によるクリストバライト型SiO2結晶中での酸素拡散機構の解明」

(115)2005329日、2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会、埼玉大学、さいたま、埼玉、29a-ZC-10, 影島博之、植松真司、赤木和人、常行真司、秋山亨、白石賢二、「シリコン熱酸化における界面原子構造変化と歪み緩和機構」

(116)2005330日、2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会、埼玉大学、さいたま、埼玉、30a-YD-4, 籔内真、太田英二、影島博之、田口明仁、「Si結晶中Mnへの三次元歪み効果の第一原理計算による研究」

(117)2005331日、2005年春季第52回応用物理学関係連合講演会、埼玉大学、さいたま、埼玉、31p-YL-1, 内田和之、影島博之、猪川洋、「電極近傍分子の耐電における鏡像効果の第一原理計算に向けて」

(118)200597日、2005年秋季第66回応用物理学会学術講演会、徳島大学、徳島、7p-P3-1, 内田和之、影島博之、猪川洋、「フェルミエネルギー分割法によるナノスケール電極間に電位差を課した系の第一原理計算」

(119)200598日、2005年秋季第66回応用物理学会学術講演会、徳島大学、徳島、8a-ZA-11, 田口明仁、影島博之、和田一実、「Si結晶成長における窒素添加効果の熱力学的考察(II)

(120)2005910日、2005年秋季第66回応用物理学会学術講演会、徳島大学、徳島、10a-ZQ-9, 籔内真、太田英二、影島博之、田口明仁、「第一原理計算によるSi結晶中Mnへの2次元歪みの影響の検討」

(121)2005921日、日本物理学会2005年秋季大会、同志社大学、京田辺、京都、21aPS-25, 内田和之、影島博之、猪川洋、「帯電界面の第一原理計算のためのフェルミエネルギー分割法の開発」

(122)200623日、応用物理学会薄膜表面分科会主催特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(11)、東レ総合研修センター、三島、静岡、影島博之、植松真司、赤木和人、常行真司、秋山亨、「Si熱酸化膜/Si(100)界面原子構造の理論検討」

(123)2006322日、2006年春季第53回応用物理学関係連合講演会、武蔵工業大学、世田谷、東京、22a-P1-42, 内田和之、影島博之、猪川洋、「第一原理計算によるSrTiO3超薄膜を電極として用いたコンデンサの電子状態解析」

(124)2006324日、2006年春季第53回応用物理学関係連合講演会、武蔵工業大学、世田谷、東京、24a-ZM-2, 籔内真、太田英二、影島博之、「第一原理計算によるSi結晶中Mnの荷電状態の濃度依存性の検討」

(125)2006325日、2006年春季第53回応用物理学関係連合講演会、武蔵工業大学、世田谷、東京、25a-P7-8, 影島博之、植松真司、赤木和人、常行真司、秋山亨、「Si熱酸化における界面原子構造の理解」

(126)2006325日、2006年春季第53回応用物理学関係連合講演会、武蔵工業大学、世田谷、東京、25a-P7-7, 秋山亨、影島博之、植松真司、伊藤智徳、「SiO2/Si(100)界面における酸化反応過程の界面歪み依存性:第一原理計算によるアプローチ」

(127)2006327日、日本物理学会第61回年次大会、愛媛大学・松山大学、松山、愛媛、27pPSA-15, 大野暁、大場洋次郎、佐藤徹哉、田口明仁、影島博之、篠原武尚、「Pdナノワイヤーにおける強磁性発現機構の第一原理計算による研究」

(128)2006330日、日本物理学会第61回年次大会、愛媛大学・松山大学、松山、愛媛、30aPS-18, 内田和之、影島博之、猪川洋、「帯電界面の第一原理計算の為のフェルミエネルギー分割法の開発(2)

(129)2006829日、2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会、立命館大学、草津、滋賀、29a-ZN-10, 影島博之、植松真司、「Si酸化膜の密度とSi関連欠陥の安定性」

(130)2006829日、2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会、立命館大学、草津、滋賀、29p-W-10, 影島博之、嘉数誠、「ダイヤモンド(001)面上Alの安定性に関する理論検討」

(131)2006926日、日本物理学会2006年秋季大会、千葉大学、千葉、26aYK-9, 影島博之、植松真司、秋山亨、伊藤智徳、「SiO2中の酸素拡散と酸素安定サイトの存在の可能性」

(132)20061121日、第20回ダイヤモンドシンポジウム、東京大学駒場リサーチキャンパス、目黒、東京、影島博之、嘉数誠、「ダイヤモンド(001)面上Alの安定性に関する理論検討」

(133)20061215日、第11回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-11)、東京大学物性研究所、柏、千葉、籔内真、太田英二、影島博之、「第一原理計算によるGe結晶中Mnへの2次元歪みの影響の検討」

(134)200722日、応用物理学会薄膜表面分科会主催特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(12)、東レ総合研修センター、三島、静岡、影島博之、植松真司、「Si酸化過程の微視的機構に関する考え方」

(135)200722日、応用物理学会薄膜表面分科会主催特別研究会「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(12)、東レ総合研修センター、三島、静岡、秋山亨、影島博之、植松真司、伊藤智徳、「酸化誘起歪みを伴った極薄SiO2/Si界面における酸化反応の検討」

(136)2007321日、日本物理学会2007年春季大会、鹿児島大学、鹿児島、21aWH-9, 影島博之、植松真司、「SiO2/Si(100)界面でのSi輸送過程」

(137)2007327日、2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会、青山学院大学、相模原、神奈川、27a-ZG-5, 影島博之、植松真司、秋山亨、伊藤智徳、「Si酸化膜中酸素安定サイトと酸素輸送機構」

(138)2007327日、2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会、青山学院大学、相模原、神奈川、27a-P1-14, 日比野浩樹、影島博之、前田文彦、永瀬雅夫、小林慶裕、山口浩司、「6H-SiC(0001)表面に形成したグラファイト薄膜のLEEM観察」

(139)2007327日、2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会、青山学院大学、相模原、神奈川、29a-ZJ-5, 影島博之、嘉数誠、「H終端ダイヤモンド(001)表面上へのAl吸着の理論検討」

(140)2007327日、2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会、青山学院大学、相模原、神奈川、29a-ZJ-8, 嘉数誠、植田研二、影島博之、テレアアレクサンダ、山内喜晴、牧本俊樹、「水素終端ダイヤモンドFETのゲート界面層」

(141)200794日、2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会、北海道工業大学、札幌、北海道、4a-ZQ-8, 日比野浩樹,永瀬雅夫,影島博之,前田文彦,小林慶裕,山口浩司、「SiC(0001)表面に形成したグラフェン層の層数分布」

(142)200795日、2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会、北海道工業大学、札幌、北海道、5p-S-3, 籔内真,小野行徳,永瀬雅夫,影島博之,藤原聡,太田英二、「シリコン結晶中マンガンナノシリサイドの強磁性」

(143)200795日、2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会、北海道工業大学、札幌、北海道、5p-S-4, 籔内真,影島博之,小野行徳,永瀬雅夫,藤原聡,太田英二、「第一原理計算によるシリコン結晶中マンガンナノシリサイドの磁性の研究」

(144)200796日、2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会、北海道工業大学、札幌、北海道、6a-ZF-10, 秋山亨,影島博之,植松真司,伊藤智徳、「Si熱酸化における界面反応過程のSiO2/Si界面応力による影響」

(145)200796日、2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会、北海道工業大学、札幌、北海道、6p-F-12, 嘉数誠,植田研二,影島博之,山内喜晴、「水素終端ダイヤモンドFETの遮断周波数のバイアス依存性」

(146)200796日、2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会、北海道工業大学、札幌、北海道、6p-F-13, 影島博之,嘉数誠、「酸素終端ダイヤモンド(001)表面上へのAl吸着の理論検討」

(147)200797日、2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会、北海道工業大学、札幌、北海道、7p-P15-6, 永瀬雅夫,日比野浩樹,影島博之,山口浩司、「ナノギャップ電極プローブによるSiC上ナノグラフェンの導電率計測」

(148)2007922日、日本物理学会第62回年次大会、北海道大学、札幌、北海道、22aPS-60, 浦山太一,影島博之,佐藤徹哉、「第一原理計算による二次元系Pdの磁性発現に関する研究」

(149)2007922日、日本物理学会第62回年次大会、北海道大学、札幌、北海道、22pPSA-73, 影島博之,藤原聡、「水素終端Si(111)単二重層ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算」

(150)20071121日、第21回ダイヤモンドシンポジウム、長岡技術科学大学、長岡、新潟、影島博之、嘉数誠、「ダイヤモンドFET形成における水素終端処理の役割」

(151)20071221日、The 12th Symposium on the Physics and Appllication of Spin-Related Phenomena in Semiconductors (PASPS-12), Osaka Univ., Suita, Osaka、籔内真、影島博之、小野行徳、永瀬雅夫、藤原聡、太田英二、「第一原理計算によるSi結晶中MnSi1.7微粒子の強磁性の検討」

(152)2008328日、2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会、日本大学、船橋、千葉、28a-K-7, 嘉数誠、植田研二、影島博之、山内喜晴、「水素終端ダイヤモンドFETのゲート金属蒸着法依存性」

(153)2008328日、2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会、日本大学、船橋、千葉、28a-K-8, 影島博之、嘉数誠、「Al/ダイヤモンド(001)界面のショットキー障壁高さへの水素の効果」

(154)2008328日、2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会、日本大学、船橋、千葉、28p-N-12, 日比野浩樹、影島博之、郭方准、前田文彦、小嗣真人、渡辺義夫、「SiC(0001)表面に成長したグラフェン層の光電子顕微鏡観察」

(155)2008329日、2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会、日本大学、船橋、千葉、29a-P11-16, 影島博之、藤原聡、「究極の極薄SiチャネルFETの第一原理計算による検討」

(156)200892日、2008年秋季第69回応用物理学会講演会、中部大学、春日井、愛知、2a-P2-20, 影島博之,嘉数誠、「H終端ダイヤモンド(100)面のショットキー障壁高さの第一原理計算」

(157)200892日、2008年秋季第69回応用物理学会講演会、中部大学、春日井、愛知、2p-R-11, 日比野浩樹,影島博之,小嗣真人,渡辺義夫、「熱電子放出顕微鏡を用いたエピタキシャルグラフェンの局所仕事関数測定」

(158)200892日、2008年秋季第69回応用物理学会講演会、中部大学、春日井、愛知、2p-CD-5, 秋山亨,影島博之,植松真司,伊藤智徳、「SiO2/Si界面におけるH2O分子の界面反応機構」

(159)200893日、2008年秋季第69回応用物理学会講演会、中部大学、春日井、愛知、3a-ZR-11, 永瀬雅夫、日比野浩樹、影島博之、山口浩司、「二層グラフェン導電率へのSiC基板表面ステップ構造の影響」

(160)200894日、2008年秋季第69回応用物理学会講演会、中部大学、春日井、愛知、4p-E-13, 影島博之、藤原聡、「原子スケール極薄チャネルFETの反転層特性の第一原理計算」

(161)2008923日、日本物理学会2008年秋季大会、岩手大学、盛岡、岩手、23pXA-13, 影島博之、藤原聡、「水素終端極薄Si(111)ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算 −膜厚の効果−」

(162)2009226, 電子情報通信学会電子デバイス研究会/シリコン材料・デバイス研究会「機能ナノデバイスおよび関連技術」、北海道大学、札幌, 宮崎康晶,小野行徳,影島博之,永瀬雅夫,藤原聡,太田英二, 「マンガンをイオン注入したSOI 層の磁気特性」

(163)2009330, 2009年春季第56回応用物理学会関係連合講演会, 筑波大学, つくば, 茨城, 30a-Q-22, 宮崎康晶,小野行徳,影島博之,永瀬雅夫,藤原聡,太田英二, 「マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性」

(164)2009330, 2009年春季第56回応用物理学会関係連合講演会, 筑波大学, つくば, 茨城, 30p-T-3, 尾身博雄,影島博之,小林慶裕, 「高温・低酸素分圧下でのシリコン熱酸化における拡散律速過程」

(165)2009331, 2009年春季第56回応用物理学会関係連合講演会, 筑波大学, つくば, 茨城, 31a-TD-6, 日比野浩樹,水野清義,影島博之,永瀬雅夫,山口浩司, SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンの積層ドメイン構造」

(166)2009331, 2009年春季第56回応用物理学会関係連合講演会, 筑波大学, つくば, 茨城, 31a-TD-7, 影島博之,日比野浩樹,永瀬雅夫,山口浩司, SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェン形成に関する第一原理計算」

(167)2009331, 2009年春季第56回応用物理学会関係連合講演会, 筑波大学, つくば, 茨城, 31p-TC-17, 影島博之,嘉数誠, 「ダイヤモンド(100)面のショットキー接合におけるH終端の役割」

(168)200941, 2009年春季第56回応用物理学会関係連合講演会, 筑波大学, つくば, 茨城, 1a-V-1, 影島博之,藤原聡, 「原子スケール薄層SiチャネルFETの反転層誘電率の第一原理計算による研究」

(169)200941, 2009年春季第56回応用物理学会関係連合講演会, 筑波大学, つくば, 茨城, 1a-TE-1, 永瀬雅夫,日比野浩樹,影島博之,山口浩司, SiC上グラフェンへの導電性プローブのコンタクト特性」

(170)200941, 2009年春季第56回応用物理学会関係連合講演会, 筑波大学, つくば, 茨城, 1a-S-4, 秋山亨,影島博之,植松真司,伊藤智徳, SiO2中のH2O分子の構造および拡散機構に関する理論検討」

(171)200994, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 富山, 8p-G-7,日比野浩樹,前田文彦,影島博之,永瀬雅夫,広沢一郎,渡辺義夫, 「エピタキシャルグラフェン/SiC界面構造のXCTR散乱による解析」

(172)200994, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 富山, 8p-G-8, 影島博之,日比野浩樹,永瀬雅夫,山口浩司, SiC(0001)面上グラフェン形成の第一原理計算−吸着原子・原子空孔の影響」

(173)200999, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会, 富山大学, 富山, 9p-L-11, 永瀬雅夫,日比野浩樹,影島博之,山口浩司, SiC上グラフェンへの導電性プローブのコンタクト特性(2)

(174)2009910, 2009年秋季第70回応用物理学会 学術講演会, 富山大学, 富山, 10a-TA-1, 影島博之,藤原聡, 「原子スケール薄層SiチャネルFETの反転層誘電率の第一原理計算による研究II

(175)2009925, 日本物理学会2009年秋季大会, 熊本大学, 熊本, 25aYG-5, 影島博之,藤原聡, 「水素終端極薄Si(111)ナノキャパシタの電気特性の第一原理計算−Si層の有効誘電率−」

(176)2009925, 日本物理学会2009年秋季大会, 熊本大学, 熊本, 25pPSA-14, 山田都照,影島博之,佐藤徹哉, 「第一原理計算によるPt薄膜の磁性」

(177)2009927,日本物理学会2009年秋季大会, 熊本大学, 熊本, 27pYE-4, 影島博之,日比野浩樹,永瀬雅夫,山口浩司, SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性」

(178)20091024, 東京大学物性研究所短期研究会「ディラック電子系の物性−グラフェンおよび関連物質の最近の研究」, 東京大学, , 千葉, 影島博之、日比野浩樹、永瀬雅夫、山口浩司, SiC上グラフェン島の理論検討」

(179)2010318日,2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会, 東海大学, 平塚, 神奈川, 18p-TE-4, 永瀬雅夫,日比野浩樹,影島博之,山口浩司, SiC上数層グラフェンの断面TEM観察」

(180)2010318, 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会,東海大学, 平塚, 神奈川, 18p-TE-5, 日比野浩樹,影島博之,永瀬雅夫,山口浩司, 「炭化反応が駆動する少数層グラフェン上のSiナノ粒子の移動」

(181)2010318, 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会,東海大学, 平塚, 神奈川, 18p-TE-11, 影島博之,日比野浩樹,永瀬雅夫,山口浩司, SiC(0001)面上に形成されるグラフェン島の理論検討」

(182)2010916日,2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会、長崎大学、長崎、16a-ZM-5, 井上仁人,寒川義裕,若林克法,影島博之,柿本浩一、「SiC表面におけるグラフェン成長の初期過程」

(183)2010916日、2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会、長崎大学、長崎、16a-ZM-9, 影島博之,日比野浩樹,山口浩司,永瀬雅夫、「SiC上エピタキシャルグラフェンのステップ境界」

(184)2010916日、2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会、長崎大学文教キャンパス、長崎、16a-ZQ-11, 田邉真一,関根佳明,影島博之,永瀬雅夫,日比野浩樹、「単層エピタキシャルグラフェンにおける半整数量子ホール効果の観測」

(185)2010916日、2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会、長崎大学、長崎、16a-ZQ-15, 影島博之、「グラフェンの熱電特性に関する考察」

(186)2010917日、2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会、長崎大学、長崎、17p-ZE-8, 登坂仁一郎,西口克彦,小野行徳,影島博之,藤原聡、「薄層SOI-MOSFETの電流注入発光における巨大Stark効果」

(187)2010925日、日本物理学会2010年秋季大会、大阪府立大学、堺、25pWS-4, 影島博之,日比野浩樹,永瀬雅夫,関根佳明,山口浩司、「SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と電気磁気効果」

(188)2011326日、2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会、神奈川工科大学、厚木、神奈川、26p-BM-1, 影島博之,日比野浩樹,山口浩司,永瀬雅夫、「SiC(0001)面上でのSi脱離とグラフェン形成」

(189)2011326日、2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会、神奈川工科大学、厚木、神奈川、26p-BM-6, 日比野浩樹,桐生貢,田邉真一,影島博之、「水素をインターカレートしたエピタキシャルグラフェンのLEEM観察」

(190)2011326日、2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会、神奈川工科大学、厚木、神奈川、26p-BM-9, 井上仁人,寒川義裕,影島博之,若林克法,柿本浩一、「[1100]方向微傾斜SiC表面におけるグラフェンの異方成長機構」

(191)2011326日、2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会、神奈川工科大学、厚木、神奈川、26p-KE-14, 田邉真一,関根佳明,影島博之,永瀬雅夫,日比野浩樹、「エピタキシャルグラフェンのHall移動度評価」

(192)2011326日、日本物理学会第66回年次大会、新潟大学、新潟、26aTA-3, 関根佳明、日比野浩樹、小栗克弥、赤崎達志、影島博之、永瀬雅夫、山口浩司、「SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱」

(193)2011712日、第30回電子材料シンポジウム、ラフォーレ琵琶湖、守山、滋賀、Th4-17、井上仁人、寒川義裕、影島博之、若林克法、柿本浩一、「[1-100]方向微傾斜 SiC(0001)面におけるグラフェン異方成長機構の解明へ向 けた理論的アプローチ」

(194)2011830日、2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会, 山形大学, 山形、30p-E-6, 西勇輝,永瀬雅夫,日比野浩樹,影島博之,山口浩司、「グラフェンメンブレンの形状変化」

(195)201191日、2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会, 山形大学, 山形、1p-ZF-4, 影島博之,日比野浩樹,山口浩司,永瀬雅夫、「SiC(0001)上エピタキシャルグラフェン成長におけるSi脱離とC吸着の効果の比較」

(196)201191日、2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会, 山形大学, 山形、1p-ZF-6, 日比野浩樹,田邉真一,前田文彦,影島博之,鶴田和弘、「エピタキシャルグラフェン成長のSiC基板面方位依存性」

(197)201191日、2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会, 山形大学, 山形、1p-ZF-7, 井上仁人,寒川義裕,影島博之,若林克法,柿本浩一、「[1100]方向微傾斜SiC(0001)面における0層グラフェンの異方成長機構」

(198)201191日、2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会, 山形大学, 山形、1p-E-5, 田邉真一,関根佳明,影島博之,永瀬雅夫,日比野浩樹、「単層エピタキシャルグラフェンの特異な抵抗の温度依存性」

(199)2011922日、日本物理学会2011年秋季大会, 富山大学, 富山、22aTE-5, 影島博之,日比野浩樹,山口浩司,永瀬雅夫、「トレンチモデルを用いたSiC(0001)上グラフェン成長の検討」

(200)2011922日、日本物理学会2011年秋季大会, 富山大学, 富山、22aTE-6, 関根佳明,日比野浩樹,小栗克弥,赤崎達志,影島博之,永瀬雅夫,山口浩司、「SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱 II

(201)2012120日、応用物理学会薄膜表面分科会主催特別研究会「ゲートスタック研究会ー材料・プロセス・評価の物理ー」(17)、東レ総合研修センター、三島、静岡、影島博之、日比野浩樹、山口浩司、永瀬雅夫、「SiC(0001)上エピタキシャルグラフェン成長初期過程の理論検討」

(202)201227日、電気情報通信学会電子デバイス(ED)、シリコンデバイス材料(SDM)合同研究会、北海道大学、札幌、北海道、登坂仁一郎、西口克彦、影島博之、藤原聡、「シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光」

(203)2012316日、2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会, 早稲田大学, 新宿, 東京、16p-B2-1, 田邉真一,高村真琴,関根佳明,影島博之,日比野浩樹、「疑似的にフリースタンドした1層及び2層エピタキシャルグラフェンの伝導特性」

(204)2012317日、2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会, 早稲田大学, 新宿, 東京、17a-A3-3, 日比野浩樹,宗高大和,井上仁人,高村真琴,影島博之、「Ar雰囲気での加熱による微傾斜SiC表面上のグラフェン成長」

(205)2012317日、2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会, 早稲田大学, 新宿, 東京、17a-A3-5, 井上仁人,影島博之,寒川義裕,柿本浩一、「SiC(0001)上グラフェン成長初期C凝集過程の第一原理計算による検討」

(206)2012326日、日本物理学会2012年春季第67回年次大会, 関西学院大学, 西宮, 兵庫、26pSB-10, 影島博之,日比野浩樹,山口浩司,永瀬雅夫、「SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェン成長の初期過程」

(207)2012912日、2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会、愛媛大学・松山大学、松山、愛媛、12p-C2-4, 田邉真一,原田裕一,高村真琴,影島博之,日比野浩樹、「Al2O3ゲート絶縁膜を用いたSiC上単層グラフェン素子の電気特性」

(208)2012912日、2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会、愛媛大学・松山大学、松山、愛媛、12p-C2-19, 村田祐也,高村真琴,影島博之,日比野浩樹、「疑似的にフリースタンドしたグラフェンからの水素脱離」

(209)2012913日、2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会、愛媛大学・松山大学、松山、愛媛、13p-C1-8, 影島博之,日比野浩樹,山口浩司,永瀬雅夫、「SiC(0001)面上第0層グラフェン成長初期過程とステップの役割」

(210)2012913日、2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会、愛媛大学・松山大学、松山、愛媛、13p-C1-9, 井上仁人,寒川義裕,影島博之,若林克法,柿本浩一、「SiC(0001)ステップにおけるC原子凝集過程の理論検討」

(211)2012918日、日本物理学会2012年秋季大会、横浜国立大学、横浜、18pPSA-30, 坂井智洋,櫻木俊輔,影島博之,佐藤徹哉、「Pd超薄膜の磁性の層数依存性」

(212)2012919日、日本物理学会2012年秋季大会、横浜国立大学、横浜、19aEC-5, 影島博之,日比野浩樹、「SiC(11-20)a面上エピタキシャルグラフェンの理論」

(213)2012926日、第36回結晶成長討論会、国民宿舎虹の松原ホテル、唐津、佐賀、PW7、井上仁人、寒川義裕、影島博之、柿本浩一、「SiCステップによるクラスタリングCのグラフェン化作用」

(214)2013326日、日本物理学会2013年春季第68回年次大会、広島大学、東広島、広島、26aPS-25、坂井智洋,影島博之,佐藤徹哉、「第一原理計算によるPd超薄膜の電子構造及び磁気特性の検討」

(215)2013329日、2013年第60回応用物理学会春季学術講演会、神奈川工科大学、厚木、神奈川、29a-G10-7、田邉真一、原田裕一、高村真琴、影島博之、日比野浩樹、「擬似的にフリースタンドしたグラフェンの伝導特性:水素アニール依存性」

(216)2013329日、2013年第60回応用物理学会春季学術講演会、神奈川工科大学、厚木、神奈川、29a-G10-8影島博之、日比野浩樹、「SiC(11-20)a面上エピタキシャルグラフェンの電子状態」

(217)2013329日、2013年第60回応用物理学会春季学術講演会、神奈川工科大学、厚木、神奈川、29a-G7-10、西勇輝, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司, 永瀬雅夫、「SiC上グラフェンによる原子層スイッチ」

(218)2013329日、2013年第60回応用物理学会春季学術講演会、神奈川工科大学、厚木、神奈川、29p-PB4-8、秋山亨、中村浩次、伊藤智徳、影島博之、植松真司、「SiC熱酸化過程でのSiO2膜におけるカーボンオキサイド拡散機構の理論的検討」

(219)2013329日、2013年第60回応用物理学会春季学術講演会、神奈川工科大学、厚木、神奈川、29p-G12-14Carlo M. Orofeo, Satoru Suzuki, Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino"Growth and Characterization of Monolayer Hexagonal Boron Nitride on Cobalt"

(220)2013330日、2013年第60回応用物理学会春季学術講演会、神奈川工科大学、厚木、神奈川、30a-G12-10、井上仁人、寒川義裕、影島博之、柿本浩一、「C凝集過程におけるSiC(0001)ステップのテンプレート効果」

(221)2013330日、2013年第60回応用物理学会春季学術講演会、神奈川工科大学、厚木、神奈川、30a-G12-15、日比野浩樹、影島博之、河原憲治、吾郷浩樹、「SiCグラフェン上にCVDグラフェンを転写して作製した2層グラフェンの構造解析」

(222)2013917日、2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会、同志社大学、京田辺、京都、17a-B1-8影島博之、日比野浩樹、山口浩司、永瀬雅夫、「SiC(0001)面上第1層グラフェン成長初期過程とステップの役割」

(223)2013928日、日本物理学会2013年秋季大会、徳島大学、徳島、28aDK-7影島博之、日比野浩樹、山口浩司、永瀬雅夫、「SiC(0001)0層グラフェン成長における表面形状の起源」

(224)2014124日、応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」(19)、ニューウェルシティ湯河原、熱海、静岡、影島博之、日比野浩樹、山口浩司、永瀬雅夫、「SiC(0001) Si面上でのエピタキシャルグラフェン成長初期過程における[11-20]ステップの役割」

(225)2014年3月18日、2014年第61回応用物理学会春季学術講演会、青山学院大学、中央、相模原、18p-E2-2、影島博之、日比野浩樹、山口浩司、永瀬雅夫、「SiC(0001) Si面上エピタキシャルグラフェン成長における[1-100]ステップの役割」

(226)2014年3月18日、2014年第61回応用物理学会春季学術講演会、青山学院大学、中央、相模原、18p-E2-16、日比野浩樹、Carlo M. Orofeo、影島博之、鈴木哲、水野清義、「CVD 法で成長させた単層 h-BN の LEED による構造解析」

(227)2014年3月19日、2014年第61回応用物理学会春季学術講演会、青山学院大学、中央、相模原、19p-D5-2、関根佳明、日比野浩樹、小栗克也、影島博之、佐々木健一、赤崎達志 、村田祐也、「SiC上グラフェンナノリボンの偏光ラマン散乱分光」

(228)2014年9月10日、物理学会、中部大学、春日井、日本物理学会2014年秋季大会、10aAH-2、影島博之、日比野浩樹、「SiC(11-20)a面上エピタキシャルグラフェンの電子状態」

(229)2014年9月18日、2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会、北海道大学、札幌、18p-A17-3、伊藤綾子、秋山亨、中村浩次、伊藤智徳、白石賢二、影島博之、植松真司、「SiC表面における酸化初期過程に関する理論的研究」

(230)2014年9月18日、2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会、北海道大学、札幌、18p-B1-12、関根佳明、日比野浩樹、小栗克弥、岩本篤、永瀬雅夫、影島博之、赤崎達志、「金ナノ粒子表面増強ラマン散乱分光を用いたgraphene/SiC界面のバッファー層の精密分析」

(231)2014年9月19日、2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会、北海道大学、札幌、19p-B3-3、影島博之、日比野浩樹、山口浩司、永瀬雅夫、「SiC(0001)Si面上第一層目グラフェン成長における[1-100]ステップの役割」

(232)2014年9月20日、2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会、北海道大学、札幌、20a-B3-1、日比野浩樹、西口克彦、水野清義、影島博之、「剥離MoS2薄膜の LEEM/LEED解析」

(233)2014年11月8日、第34回表面科学学術講演会、くにびきメッセ、松江、 8Ap06、 影島博之、日比野浩樹、「SiC(11-20)a面上のエピタキシャルグラフェンの第一原理計算」

(234)2015年1月30日、応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―」(第20回)、東レ研修センター、三島、静岡、P-17、影島博之、日比野浩樹、山口浩司、永瀬雅夫、「SiC(0001) Si面熱分解グラフェン形成の制御指針」

(235)2015年3月13日、2015年第62回応用物理学会春季学術講演会、東海大学、平塚、13a-B4-1、伊藤綾子、秋山亨、中村浩次、伊藤智徳、影島博之、植松真司、白石賢二、「SiC表面における酸化初期での反応過程に関する理論的検討」

(236)2015年3月13日、2015年第62回応用物理学会春季学術講演会、東海大学、平塚、13a-B4-2、秋山亨、伊藤綾子、中村浩次、伊藤智徳、影島博之、植松真司、白石賢二、「4H-SiC/SiO2界面における酸化反応過程に関する理論的検討」

(237)2015年3月22日、日本物理学会2015年春季第70回年次大会、早稲田大学、新宿、22pAC-4、影島博之、日比野浩樹、「SiC(11-20)a面上エピタキシャルグラフェンの理解」

(238)   2015年6月19日、電子情報通信学会平成27年6月度研究会シリコン材料デバイス研究会、名古屋大学、千種、名古屋、川内伸悟、白川裕規、洗平昌晃、影島博之、遠藤哲郎、白石賢二、「シリコン熱酸化における水素アニールの効果の理論的研究」

(239)   2015年9月14日、2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋国際会議場、熱田、名古屋、14p-2T-4、浦崎柊、影島博之、「単層h-BNにおける多原子空孔の研究」

(240)   2015年9月15日、2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋国際会議場、熱田、名古屋、15p-2U-10、岡田克也、影島博之、「MoS2の結晶成長極初期過程の理論検討」

(241)2016年1月22日、応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会ー材料/プロセス/デバイス特性の物理ー」(第21回)、三島、静岡、浦崎柊、影島博之、P-8、「単層 h-BN における多原子空孔の理論的検討」

(242)2016年1月22日、応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会ー材料/プロセス/デバイス特性の物理ー」(第21回)、三島、静岡、岡田克也、影島博之、P-16、「第一原理計算によるMoS2の結晶成長初期過程の理論検討」

(243)2016年1月22日、応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会ー材料/プロセス/デバイス特性の物理ー」(第21回)、三島、静岡、川内伸悟、白川裕規、洗平昌晃、影島博之、遠藤哲郎、白石賢二、P-28、「Si/SiO2界面における水素アニール効果に関する理論的研究」

(244)2016年3月19日、日本物理学会2015年春季第71回年次大会, 東北学院大学, 泉, 仙台、宮城、19pPSB-19, 櫻木俊輔,田尻寛男,佐藤龍,青木舜平,糸谷良,浦崎柊,岡田克也,影島博之,佐藤徹哉、「遷移金属超薄膜中に量子井戸状態に起因して生じた自発歪みと強磁性」

(245)    2016年3月19日、日本物理学会2015年春季第71回年次大会, 東北学院大学, 泉, 仙台、宮城、19pPSB-4, 糸谷良,櫻木俊輔,浦崎柊,岡田克也,影島博之,佐藤徹哉、「ショットキー障壁を用いたPd(100)超薄膜の量子井戸変調」

(246)2016年3月20日、第63回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学、目黒、影島博之、白石賢二、遠藤哲郎、20a-S221-1、「Siピラーの酸化におけるミッシングSiとSi放出モデルの拡張」

(247)2016年3月20日、第63回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学、目黒、川内伸悟、白川裕規、洗平昌晃、影島博之、白石賢二、遠藤哲郎、20a-S221-2、「V-MOSFETにおけるSi/SiO2(001)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の歪み依存性の第一原理計算による考察」

(248)2016年3月20日、第63回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学、目黒、浦崎柊、影島博之、20a-P4-60、「単層MoS2における多原子空孔の研究」

(249)2016年3月20日、第63回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学、目黒、岡田克也、影島博之、20a-P4-62、「第一原理計算を用いたMoS2の結晶成長理論検討」

(250)2016年9月14日、日本物理学会2016年秋季大会、金沢大学、金沢、石川、櫻木俊輔、影島博之、田尻寛男、糸谷良、佐藤徹哉、14pAP-15、「遷移金属超薄膜中に量子井戸状態に起因して生じた自発歪みと強磁性II」

(251)2016年9月16日、2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会、朱鷺メッセ、新潟、新潟、川内伸悟、白川裕規、洗平昌晃、影島博之、遠藤哲郎、白石賢二、16a-P4-5、「V-MOSFETのSi/SiO2(001)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の歪み依存性」

(252)2017年1月20日、応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会ー材料/プロセス/デバイス特性の物理ー」(第22回)、三島、静岡、岡田克也、影島博之、P-12、「MoS2の結晶成長極初期過程の理論検討」

(253)2017年1月20日、応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会ー材料/プロセス/デバイス特性の物理ー」(第22回)、三島、静岡、浦崎柊、影島博之、P-17、「単層MoS2における帯電した原子空孔の第一原理計算」

(254)2017年1月20日、応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会ー材料/プロセス/デバイス特性の物理ー」(第22回)、三島、静岡、川内伸悟、名倉拓哉、長川健太、白川裕規、洗平昌晃、影島博之、遠藤哲郎、白石賢二、P-18、「圧縮歪みを伴ったVertical-BC-MOSFETのSi熱酸化過程の面方位依存性に関する理論的研究」

(255)2017年1月20日、応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会ー材料/プロセス/デバイス特性の物理ー」(第22回)、三島、静岡、名倉拓哉、川内伸悟、長川健太、白川裕規、洗平昌晃、影島博之、遠藤哲郎、白石賢二、P-19、「Si熱酸化過程の面方位依存性に関する理論的研究」

(256)2017年3月14日、第64回応用物理学会春季学術講演会、パシフィコ横浜、西、横浜、岡田克也、影島博之、14p-P4-60、「MoS2クラスター成長過程の第一原理計算による研究」

(257)2017年3月15日、第64回応用物理学会春季学術講演会、パシフィコ横浜、西、横浜、矢島雄司、影島博之、白石賢二、遠藤哲郎、15p-P14-2、「SiO2の高温動特性に対するSiOの効果の検討」

(258)2017年3月16日、第64回応用物理学会春季学術講演会、パシフィコ横浜、西、横浜、名倉拓哉、川内伸悟、長川健太、白川裕規、洗平昌晃、影島博之、遠藤哲郎、白石賢二、16a-413-1、「Si熱酸化過程の面方位依存性に関する理論的研究」

(259)2017年3月16日、第64回応用物理学会春季学術講演会、パシフィコ横浜、西、横浜、川内伸悟、白川裕規、長川健太、洗平昌晃、影島博之、遠藤哲郎、白石賢二、16a-413-2、「縦型BC-MOSFETのSi熱酸化過程における圧縮歪みと面方位依存性に関する理論的研究」

(260)2017年3月16日、第64回応用物理学会春季学術講演会、パシフィコ横浜、西、横浜、浦崎柊、影島博之、16p-F203-6、「MoS2/MoS2, MoS2/MoSe2における原子空孔の安定性と電子状態」

(261)2017年9月5日、第78回応用物理学会秋季学術講演会、福岡国際会議場、福岡、名倉拓哉,川内伸悟, 長川健太, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島博之, 遠藤哲郎, 白石賢二、5p-C11-9、「Si放出モデルに基づくSi熱酸化過程の面方位依存性に関する理論的研究」

(262)2017年9月5日、第78回応用物理学会秋季学術講演会、福岡国際会議場、福岡、堀真輔, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳, 影島博之, 植松真司, 白石賢二、5p-PB8-3、「4H-SiC/SiO2 界面におけるウェット酸化反応過程に関する理論的検討」

(263)2017年9月6日、第78回応用物理学会秋季学術講演会、福岡国際会議場、福岡、矢島雄司、白石賢二、遠藤哲郎、影島博之、6a-PA9-11、「高温SiO2とSiO2+SiOの自己拡散係数の揺らぎ」

(264)2017年9月21日、日本物理学会2017年秋季大会、岩手大学、盛岡、岩手、坂裕介、小松克伊、櫻木俊輔、谷山智康、影島博之、佐藤徹哉、21aPS-105、「BaTiO3が誘導する歪みを利用した電界印加による Pd 薄膜の強磁性制御」

(265)2017年9月21日、日本物理学会2017年秋季大会、岩手大学、盛岡、岩手、櫻木俊輔、影島博之、佐藤徹哉、21pPSA-21、「表面の格子歪みを用いた金属の量子井戸状態の変調による磁性スイッチング」

(266)2017年11月10日、第2回生体医歯工学共同研究拠点国際シンポジウム、東京工業大学、目黒、東京、Atsushi Nakamura, Hiroaki Sato, Atsushi Kubono, Hiroyuki Kageshima, Hiroshi Inokawa, Poster Session 2-108, ”Development of wearable sensor applications using graphene/nanocarbon composites”