外部資金等

(1) 科学研究費補助金研究分担者:

平成18年度-20年度 基盤研究(B) (一般)

18360027 「シリコンナノ構造酸化の窒素添加による制御」

研究代表者 慶應義塾大学教授 植松真司


(2) 科学研究費補助金研究分担者:

平成19年度-21年度 基盤研究(B) (一般)

19310077 「ナノスケール4d/5d遷移金属の電気・光学・力学的手法による強磁性誘起」

研究代表者 慶應義塾大学教授 佐藤徹哉


(3) 科学研究費補助金研究分担者:

平成19年度-21年度 基盤研究(B) (一般)

19310085 「数層グラフェン薄膜のナノスケール伝導特性の解明」

研究代表者 NTT物性科学基礎研究所主任研究員 永瀬雅夫


(4) 科学研究費補助金研究分担者:

平成21年度-23年度 基盤研究(A) (一般)

21246006 「ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製」

研究代表者 NTT物性科学基礎研究所主幹研究員 日比野浩樹


(5) 科学研究費補助金研究代表者

平成22年度-24年度 基盤研究(B) (一般)

22310062 「IV族半導体ナノ構造化による誘電関数制御の研究」


(6) 科学研究費補助金研究分担者:

平成22年度-24年度 基盤研究(B) (一般)

22310086 「数層グラフェン薄膜の局所電子・機械物性制御」

研究代表者 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部教授 永瀬雅夫


(7) 科学研究費補助金研究分担者:

平成26年度-28年度 基盤研究(B) (一般)

26289107 「異種機能集積化グラフェンデバイス構成法の研究」

研究代表者 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部教授 永瀬雅夫


(8) 科学技術振興機構(JST)研究分担者:

平成26年度- 戦略的創造研究推進事業(ACCEL)

「縦型BC-MOSFETによる三次元集積工学と応用展開」

研究代表者 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センターセンター長 遠藤哲郎


(9) 科学研究費補助金研究分担者:

平成27年度-30年度 基盤研究(A) (一般)

15H01998 「量子井戸構造に基づく2次元金属薄膜への磁気機能の誘導とその応用展開」

研究代表者 慶應義塾大学理工学部教授 佐藤哲哉