学生研究題目
2017年度卒業研究
森山聖矢, 「MoSe2もしくはMoS2中の空孔の安定性に対する帯電効果」
矢田航平, 「SiO2中のVO拡散障壁の研究」
山田真輝, 「グラフェンとシリセンの振動数に対する構造変調の影響」
山本拓樹, 「SiO2/Si(100)界面の酸化物成長方向」
2016年度修士論文
浦崎柊, 「二次元物質h-BNとMoS2の原子空孔の安定性と電子状態」
岡田克也, 「MoS2クラスター成長過程の第一原理計算による研究」
2016年度卒業研究
山本拓, 「Si(100)面での酸化初期過程の歪み依存性」
新田尚弥, 「MoSe2/GaAs構造の物性の研究」
矢島雄司, 「SiO2の動特性に対するSiOの効果の検討」
2015年度卒業研究
谷口克也, 「Si表面の酸化過程の理論検討」
安田将人, 「Si酸化物中の格子欠陥の安定性と結晶構造の関係」
2014年度卒業研究
浦崎柊, 「二次元半導体における原子空孔の第一原理計算に基づいた研究」
岡田克也, 「第一原理計算を用いたMoS2の結晶成長メカニズムの検討」
野村拓未, 「グラフェンにおけるエッジの再構成とエネルギー安定性」
福永将大, 「アームチェア端型グラフェンナノリボンにおけるバンドギャップ制御」