学生研究題目

2016年度修士論文

浦崎柊, 「二次元物質h-BNとMoS2の原子空孔の安定性と電子状態」

岡田克也, 「MoS2クラスター成長過程の第一原理計算による研究」


2016年度卒業研究

山本拓, 「Si(100)面での酸化初期過程の歪み依存性」

新田尚弥, 「MoSe2/GaAs構造の物性の研究」

矢島雄司, 「SiO2の動特性に対するSiOの効果の検討」


2015年度卒業研究

谷口克也, 「Si表面の酸化過程の理論検討」

安田将人, 「Si酸化物中の格子欠陥の安定性と結晶構造の関係」


2014年度卒業研究

浦崎柊, 「二次元半導体における原子空孔の第一原理計算に基づいた研究」

岡田克也, 「第一原理計算を用いたMoS2の結晶成長メカニズムの検討」

野村拓未, 「グラフェンにおけるエッジの再構成とエネルギー安定性」

福永将大, 「アームチェア端型グラフェンナノリボンにおけるバンドギャップ制御」