より優れた半導体光デバイスのための新しい半導体量子構造の開発を目指している。具体的には、超高真空中で結晶成長する分子線エピタキシー(MBE)装置により、ガリウム砒素(GaAs)を基本とするIII-V族化合物半導体混晶で量子井戸・超格子構造を作製。この評価・解析は、ｘ線回折や原子間力顕微鏡(AFM)、また波長可変レーザを用いたフォトルミネッセンス励起分光法による。また、物性予測のため、量子力学を用いた理論計算を行なう。
