2015年秋季応用物理学会の注目講演として
　　14a-2W-8　Ge(111)基板上へのGaAsのMBE成長におけるGaSb緩衝層の効果
　　が選ばれました（応用物理学会誌2015年9月号）

特許が公開されました(2009年7月2日）
　　発明の名称：半導体多結晶薄膜及び半導体装置
　　公開番号：特開2009-147098

研究内容が化学工業日報第１面に紹介されました(2009年1月14日）

研究内容が毎日新聞に紹介されました(2008年3月26日）

2006年度の博士前期課程での教育について
第１回島根大学優良教育実践表彰を受けました
(2007年7月17日）