0000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000


125 M. Nishigaichi, S. Tenma, K. Kato, S. Katsube, Y. Kajikawa
"Suppression of twin generation in the growth of InGaAs on Ge (111)"
The 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2017), August 3, 2017, Matsue, Japan, ThP-24.

124 Y. Kajikawa, Y. Son, H. Hayase, H. Ichiba, R. Mori, K. Ushirogouchi, M. Irie
"Suppression of Twin Generation in the Growth of GaAs on Ge (111) Substrates"
The 19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2016), September 5, 2016, Montpellier, France, Mo-P-17.

123 Y. Kajikawa
"Hall factor for hopping conduction in n- and p-type GaN"
The 43rd International symposium on Compound Semiconductors (iscs2016), June 27, 2016, Toyama, Japan, MoP-ISCS-099.

122 梶川靖友
Co1-xNixSb3の輸送および熱電特性に関する実験データの解析の精密化IV多重バンドのネルンスト係数の表式とCo1-xNixSb3への応用
2016年春季応用物理学会 (21p-W323-6) 2016.3.21

121 梶川靖友
MnドープGaAs中のの最近接ホッピング伝導に対するホール因子
2016年春季応用物理学会 (20p-P13-14) 2016.3.20

120 梶川靖友
p型InPおよびGaN中の最近接ホッピング伝導に対するホール因子
2016年春季応用物理学会 (20p-P13-13) 2016.3.20

119 梶川靖友
Co1-xNixSb3の輸送および熱電特性に関する実験データの解析の精密化III伝導帯第3バレーと価電子帯の寄与
2015年秋季応用物理学会 (14p-PA6-6) 2015.9.14

118 梶川靖友
Co1-xNixSb3の輸送および熱電特性に関する実験データの解析の精密化(IIスピン軌道分裂バンドと光学フォノン散乱の影響
2015年秋季応用物理学会 (14p-PA6-5) 2015.9.14

117 梶川靖友,孫一博,早瀬久貴,後河内健太,入江将大
Ge(111)基板上へのGaAsMBE成長におけるGaSb緩衝層の効果
2015年秋季応用物理学会 (14a-2W-8) 2015.9.14

116 梶川靖友
電磁波と電子波の波動方程式の対比
2015年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 (Ea-1) 2015.8.1

115 孫一博,早瀬久貴,市場大国,森亮介,梶川靖友
Ge(111)基板上のGaSbxAs1-xのMBE成長
2015年春季応用物理学会 (13a-P15-4) 2015.3.13

114 梶川靖友
CoSb3の価電子帯の非放物線性に起因するHall因子の強い温度依存性
2015年春季応用物理学会 (12a-A22-12) 2015.3.12

124 Y. Kajikawa, Y. Son, H. Hayase, H. Ichiba, R. Mori, K. Ushirogouchi, M. Irie
"Suppression of Twin Generation in the Growth of GaAs on Ge (111) Substrates"
The 19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2016), September 5, 2016, Montpellier, France, Mo-P-17.

123 Y. Kajikawa
"Hall factor for hopping conduction in n- and p-type GaN"
The 43rd International symposium on Compound Semiconductors (iscs2016), June 27, 2016, Toyama, Japan, MoP-ISCS-099.

122 梶川靖友
Co1-xNixSb3の輸送および熱電特性に関する実験データの解析の精密化IV多重バンドのネルンスト係数の表式とCo1-xNixSb3への応用
2016年春季応用物理学会 (21p-W323-6) 2016.3.21

121 梶川靖友
MnドープGaAs中のの最近接ホッピング伝導に対するホール因子
2016年春季応用物理学会 (20p-P13-14) 2016.3.20

120 梶川靖友
p型InPおよびGaN中の最近接ホッピング伝導に対するホール因子
2016年春季応用物理学会 (20p-P13-13) 2016.3.20

119 梶川靖友
Co1-xNixSb3の輸送および熱電特性に関する実験データの解析の精密化III伝導帯第3バレーと価電子帯の寄与
2015年秋季応用物理学会 (14p-PA6-6) 2015.9.14

118 梶川靖友
Co1-xNixSb3の輸送および熱電特性に関する実験データの解析の精密化(IIスピン軌道分裂バンドと光学フォノン散乱の影響
2015年秋季応用物理学会 (14p-PA6-5) 2015.9.14

117 梶川靖友,孫一博,早瀬久貴,後河内健太,入江将大
Ge(111)基板上へのGaAsMBE成長におけるGaSb緩衝層の効果
2015年秋季応用物理学会 (14a-2W-8) 2015.9.14

116 梶川靖友
電磁波と電子波の波動方程式の対比
2015年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 (Ea-1) 2015.8.1

115 孫一博,早瀬久貴,市場大国,森亮介,梶川靖友
Ge(111)基板上のGaSbxAs1-xのMBE成長
2015年春季応用物理学会 (13a-P15-4) 2015.3.13

114 梶川靖友
CoSb3の価電子帯の非放物線性に起因するHall因子の強い温度依存性
2015年春季応用物理学会 (12a-A22-12) 2015.3.12

124 Y. Kajikawa, Y. Son, H. Hayase, H. Ichiba, R. Mori, K. Ushirogouchi, M. Irie
"Suppression of Twin Generation in the Growth of GaAs on Ge (111) Substrates"
The 19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2016), September 5, 2016, Montpellier, France, Mo-P-17.

123 Y. Kajikawa
"Hall factor for hopping conduction in n- and p-type GaN"
The 43rd International symposium on Compound Semiconductors (iscs2016), June 27, 2016, Toyama, Japan, MoP-ISCS-099.

122 梶川靖友
Co1-xNixSb3の輸送および熱電特性に関する実験データの解析の精密化IV多重バンドのネルンスト係数の表式とCo1-xNixSb3への応用
2016年春季応用物理学会 (21p-W323-6) 2016.3.21

121 梶川靖友
MnドープGaAs中のの最近接ホッピング伝導に対するホール因子
2016年春季応用物理学会 (20p-P13-14) 2016.3.20

120 梶川靖友
p型InPおよびGaN中の最近接ホッピング伝導に対するホール因子
2016年春季応用物理学会 (20p-P13-13) 2016.3.20

119 梶川靖友
Co1-xNixSb3の輸送および熱電特性に関する実験データの解析の精密化III伝導帯第3バレーと価電子帯の寄与
2015年秋季応用物理学会 (14p-PA6-6) 2015.9.14

118 梶川靖友
Co1-xNixSb3の輸送および熱電特性に関する実験データの解析の精密化(IIスピン軌道分裂バンドと光学フォノン散乱の影響
2015年秋季応用物理学会 (14p-PA6-5) 2015.9.14

117 梶川靖友,孫一博,早瀬久貴,後河内健太,入江将大
Ge(111)基板上へのGaAsMBE成長におけるGaSb緩衝層の効果
2015年秋季応用物理学会 (14a-2W-8) 2015.9.14

116 梶川靖友
電磁波と電子波の波動方程式の対比
2015年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 (Ea-1) 2015.8.1

115 孫一博,早瀬久貴,市場大国,森亮介,梶川靖友
Ge(111)基板上のGaSbxAs1-xのMBE成長
2015年春季応用物理学会 (13a-P15-4) 2015.3.13

114 梶川靖友
CoSb3の価電子帯の非放物線性に起因するHall因子の強い温度依存性
2015年春季応用物理学会 (12a-A22-12) 2015.3.12

113 T. Hayase, Y. Kajikawa, and W. Yeh
"Analysis of temperature dependence of electrical properties of sputter-epitaxy grown Ge on Si"
11th Thin Film Materials & Devices Meeting, October 31, 2014, Kyoto, Japan. http://www.tfmd.jp/


112 梶川靖友
低温でのp型CoSb3の輸送および熱電特性に関する実験データの解析
2014年秋季応用物理学会 (18p-A7-2) 2014.9.18

111 梶川靖友
Co1-xNixSb3の輸送および熱電特性に関する実験データの解析の精密化
2014年秋季応用物理学会 (18p-A7-1) 2014.9.18

110 梶川靖友
p型CoSb3の輸送および熱電特性に関する実験データの見直し
2014年春季応用物理学会 (19a-F11-1) 2014.3.19

109 梶川靖友
イオン化不純物散乱が支配的な半導体多結晶の導電率に対するポテンシャル障壁高さのゆらぎの影響
2013年春季応用物理学会 (28p-F2-2) 2013.3.28


108 梶川靖友
熱起電力出力因子に対するポテンシャル障壁高さのゆらぎの影響
2013年春季応用物理学会 (27p-B9-1) 2013.3.27

107 Y. Kajikawa, T. Okuzako, and Y. Matsui 
Effects of the GaSbAs buffer layer on the properties of the polycrystalline InAs layer on glass
The 17th international symposium on molecular beam epitaxy(MBE2012) 2012.9.24
MoP-8

106 梶川靖友
縮退したSi多結晶薄膜の導電率の温度依存性の解析
2012年秋季応用物理学会 (13p-PB12-6) 2012.9.13

105 梶川靖友
縮退したII-VI族多結晶薄膜の導電率の温度依存性の解析
2012年秋季応用物理学会 (13a-H8-11) 2012.9.13

104 梶川靖友岡村健太猪子祐貴
縮退半導体多結晶の導電率の温度依存性の解析-InPAs多結晶への適用-
2012年春季応用物理学会 (17p-DP3-3) 2012.3.17

103 梶川靖友
GaNの価電子帯に対する非極性面内の歪みの効果
2012年春季応・p物理学会 (16p-DP1-11) 2012.3.16


102 岡村健太水木晴也梶川靖友
ガラス基板上へ分子線蒸着したInPAsの電気的特性
2011年秋季応用物理学会 (30a-ZA-10) 2011.8.30

101 奥迫拓也松井良記梶川靖友
ガラス基板上のInAs多結晶層の特性に対するGaSbAsバッファ層の効果
2011年秋季応用物理学会 (30a-ZA-9) 2011.8.30

100 Y. Kajikawa and K.Okamura 
Impurity-band conduction in polycrystalline films of GaSb and GaSbAs grown by molecular-beam deposition
The 38th international symposium on Compound Semiconductors (iscs2011) 2011.5.24

99 Y. Kajikawa, Y. Iseki, and Y. Matsui
X-ray diffraction characterization of polycrystalline InP films grown by molecular-beam deposition: Estimation of stacking-fault density
The 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2011) 2011.5.24.

98 岡村健太梶川靖友
GaSb及びGaAsSb多結晶薄膜における不純物伝導
2011年春季応用物理学会 (25p-BA-8) 2011.3.25

97 井関康宏松井良記梶川靖友
分子線蒸着したInP及びInAs多結晶薄膜の積層欠陥密度の推定
2011年春季応用物理学会 (25p-BA-9) 2011.3.25


96 梶川靖友
伝導帯の非放物線性とFermi-Dirac分布を考慮した粒界散乱移動度の解析
2010年秋季応用物理学会 (16a-NH-7) 2010.9.16

95 岡村健太奥迫拓也,松井良紀梶川靖友
分子線蒸着したGaAsSb多結晶薄膜の電気的特性の温度依存性
応用物理学会中国四国支部,日本物理学会中国・四国支部,2010年度支部学術講演会(Da1-2) 2010.7.31

94 T. Okuzako, K.Okamura, Y. Matsui, K. Nakaya, and Y. Kajikawa
Molecular-Beam Deposition of Polycrystalline GaSbAs Thin Films on Glass and Plastic Substrates
The 37th International symposium on Compound Semiconductors (iscs2010) 2010.5.31-6.4

93 梶川靖友
六方晶半導体量子井戸における正孔の量子閉じ込め質量
2010年春季応用物理学会 (18a-TM-21) 2010.3.18

92 奥迫拓也,岡村健太,松井良記,中谷公亮,梶川靖友
ガラス基板およびプラスチック基板上へのGaSbAs多結晶薄膜のMBE成長
2010年春季応用物理学会 (18a-TW-5) 2010.3.18

91 鳥居義親,奥迫拓也,高見慎也,梶川靖友
GaInAs多結晶薄膜の電気的光学的特性
電子情報通信学会 電子デバイス研究会 (ED2009-139) 2009.11.19

90 奥迫拓也,鳥居義親,梶川靖友
InGaAs多結晶薄膜における電気伝導機構
薄膜材料デバイス研究会第6回研究集会 (2P-55) 2009.11.2

89 梶川靖友
Si(11
l)面極薄SOIpMOSFET構造における正孔の量子閉じ込め質量
2009年秋季応用物理学会 (8p-TB-8) 2009.9.8

88 奥迫拓也,梶川靖友,宅島正尚,高見慎也
InGaAs多結晶薄膜における電気伝導機構
応用物理学会中国四国支部,日本物理学会中国・四国支部,2009年度支部学術講演会(Ea-3) 2009.8.1

87 梶川靖友
III-V族化合物半導体のフレキシブルデバイス応用の可能性
応用物理学会応用電子物性分科会研究例会 2009.5.22

86 梶川靖友
Si(110)量子井戸における正孔有効質量
2009年春季応用物理学会 (1a-P13-4) 2009.4.1

85 鳥居義親,奥迫拓也,高見慎也,宅島正尚,梶川靖友
ガラス基板上へMBE成長したGaInAsの光学的特性
2009年春季応用物理学会 (31p-TF-6) 2009.3.31


84 鳥居義親,奥迫拓也,高見慎也,宅島正尚,大西和義,奥・卵也,梶川靖友
ガラス基板上にMBE成長したGaInAsの光学的特性
島根大学総合理工学部紀要.シリーズA vol.42 2009.2.17 http://ap09.lib.shimane-u.ac.jp/article.php?flag=j&output=csv&arid=6996


83 梶川靖友,宅島正尚,高見慎也,鳥居義親,奥迫拓也,大崎稔
ガラス基板上へMBE成長したInGaAs多結晶の電気的特性(II) −温度変化−
2008年秋季応用物理学会 (4a-ZD-7) 2008.9.4

82 鳥居義親、宅島正尚、高見慎也、大西和義、梶川靖友
ガラス基板上へMBE成長したGaInAs多結晶の光学的特性
応用物理学会中国四国支部,日本物理学会中国・四国支部,2008年度支部学術講演会(Fa-03) 2008.8.2

81 高見慎也、宅島正尚、鳥居義親、梶川靖友
ガラス基板上へMBE成長したInGaAs多結晶の電気的特性
2008年春季応用物理学会 (29a-ZT-7) 2008.3.29

80 宅島正尚、久家侑、大西和義、梶川靖友
ガラス基板及びプラスチック基板上への分子線蒸着法によるInAsの低温成長
薄膜材料デバイス研究会第4回研究集会 (P-39) 2007.11.2

79 M. Takushima, and Y. Kajikawa
Excess As in low-temperature Grown InAs
The 34th international symposium on Compound Semiconductors (iscs2007) 2007.10.15-10.18.

78 K. Ohnishi, M. Shiba, M. Yamakage, and Y. Kajikawa
Refractive Index of TlGaAs
The 34th international symposium on Compound Semiconductors (iscs2007) 2007.10.15-10.18.

77 M. Takushima, Y. Kajikawa, Y. Kuya, M. Shiba, and K. Ohnishi
Low-temperature growth of InAs on glass and plastic film substrates by molecular-beam deposition
The 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'07) 2007.5.15-5.16.

76 宅島正尚、久家侑、大西和義、梶川靖友
ガラス基板及びプラスチック基板上へのInAsの低温成長
2007年春季応用物理学会 (30a-Q-7) 2007.3.30

75 大西和義、斯波将希、山蔭無作、梶川靖友
TlGaAs薄膜の反射スペクトル測定
2007年春季応用物理学会 (29p-Q-4) 2007.3.29

74 M. Shiba, R. Ikariyama, M. Takushima, and Y. Kajikawa
Properties of low-temperature grown InAs and their changes upon annealing
The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy<MBE2006>,2006.9.6

73 M. Takushima, N. Kobayashi, Y. Yamashita, Y. Kajikawa, Y. Satou, Y. Tanaka, and N. Sumida
Thallium incorporation during TlInAs growth by low-temperature MBE
The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy<MBE2006>,2006.9.7

72 K. Ohnishi, T. Kanda, H. Kiriyama, Y. Kajikawa, S. Tamoto, and T. Narusawa
Effects of annealing on TlGaAs/GaAs single hetero structures and TlGaAs/GaAs multiple quantum well structures grown by low-temperature MBE
The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy<MBE2006>,2006.9.4

71 田本晋吾、根引拓也、梶川靖友、成沢忠
RBS/Channeling法による低温成長TlGaAsの結晶性評価
2006年秋季応用物理学会 (29a-B-7) 2006.8.29

71 田本晋吾、根引拓也、梶川靖友、成沢忠
RBS/Channeling法による低温成長TlGaAsの結晶性評価
平成18年度 第15回日本材料学会講演大会 2006.6.24

70 碇山理究、宅島正尚、梶川靖友
低温成長InAsの電気的特性とそのアニールによる変化
2006年春季応用物理学会 (25a-T-6) 2006.3.25

69 梶川靖友、宅島正尚、碇山理究、斯波将希
低温成長InAsへのアニールの影響
2005年秋季応用物理学会 (11a-ZQ-3) 2005.9.11

68 斯波将希、宅島正尚、碇山理究、梶川靖友
低温成長InAsへのアニールの影響
応用物理学会中国四国支部,日本物理学会中国・四国支部,2005年度支部学術講演会 2005.7.30

67 梶川靖友、西本尚己、藤岡大輔、市田桂也
低温MBE成長InGaAs/GaAs量子井戸のフォトルミネッセンスに対する急速加熱処理の効果
2005年春季応用物理学会 (1a-ZM-3) 2005.4.1

66 梶川靖友
低温GaAs,InAsにおけるTlの固溶限界
2004年春季応用物理学会 (29p-ZX-5) 2004.3.29

65 西本尚己、梶川靖友
(110)量子井戸における正孔有効質量の歪みによる変化
応用物理学会中国四国支部,日本物理学会中国支部・四国支部,2003年度支部例会 2003.8.2

64 小林信裕、西本尚己、梶川靖友
TlGaAs/GaAs多重量子井戸構造の低温MBE成長
応・p物理学会中国四国支部,日本物理学会中国支部・四国支部,2003年度支部例会 2003.8.2

63 樋口恭明、西本尚己、梶川靖友
(110)歪み量子井戸における正孔有効質量
2003年春季応用物理学会 (30p-ZE-6) 2003.3.30

62 川崎直行、小林信裕、樋口恭明、西本尚己、梶川靖友
TlGaAs/GaAs多重量子井戸構造の低温MBE成長
2003年春季応用物理学会 (29p-YA-16) 2003.3.29

61 西本尚己、小林信裕、梶川靖友
低温MBE成長におけるTlGaAsのエピタキシャル限界膜厚 (2) -成長温度とAs圧の影響-
電気・情報通信学会中国支部第53回連合大会 2002.10.19

60 小林信裕、西本尚己、梶川靖友
低温MBE成長におけるTlGaAsのエピタキシャル限界膜厚 (1) -Tl組成依存性-
電気・情報通信学会中国支部第53回連合大会 2002.10.19

59 小林信裕、梶川靖友、西本尚己
低温MBE成長TlGaAsにおけるエピタキシャル限界膜厚の組成依存性
電子情報通信学会 電子部品・材料研究会 2002.10.11

58 梶川靖友、小林信裕、西本尚己
TlGaAsの低温MBE成長における基板温度とAs圧の影響
2002年秋季応用物理学会 (26p-YD-2) 2002.9.26

57 梶川靖友、亀谷雅広、小林信裕、西本尚己、淀良彰
GaAs基板上のTlGaAs低温MBE成長における単結晶成長の限界膜厚
2002年春季応用物理学会 (30a-ZQ-4) 2002.3.30

56 梶川靖友、久保田浩臣,朝比奈秀一
TlGaAsの低温MBE成長におけるTl分子線量の影響
2001年秋季応用物理学会 (13p-T-11) 2001.9.13

55 Kajikawa Y, Kubota H, Asahina S, and Kanayama N
Growth of TlGaAs by low-temperature molecular-beam epitaxy
The 13th International Conference on Crystal Growth, Kyoto, Japan, 04a-SB3-05, 2001.8.4

54 Kajikawa Y
Effects of the Barrier Height on Optical Anisotropy of (110)-Oriented Strained Quantum Wells
13th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Nara, Japan, WP-05, 2001.5.16

53 梶川靖友、久保田浩臣,朝比奈秀一
TlGaAsの低温MBE成長におけるAs圧の影響
2001年春季応用物理学会 (29a-G-6) 2001.3.29

52 梶川靖友、久保田浩臣,朝比奈秀一
GaAs基板上へのTlGaAsのMBE成長
2000年秋季応用物理学会 (4p-ZA-13) 2000.10.4

51 梶川靖友、朝比奈秀一
InAs基板上にMBE成長したInTlAsのX線回折測定
2000年春季応用物理学会 (28a-P3-3) 2000.3.28

50 H. Kizuki, Y. Kouji, N. Hayafuji, and Y. Kajikawa
Quasi-persistent photoconductivity of double heterojunction pseudomorphic high electron mobility transistor epitaxial wafers
7th International Conference on Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques, Tsukuba, Japan, Th4-19, 1999.7.27

49 梶川靖友
ひずみ量子井戸における光学遷移行列要素のひずみ依存性:スピン軌道分裂バンドの影響
1998年秋季日本物理学会 (27aYN-19) 1998.9.27

48 梶川靖友、杵築弘隆、三橋豊、久義浩
微傾斜(110)GaAsのMOCVD成長・気相エッチング表面の準周期的ファセッティングのAFM観察
1998年秋季応用物理学会 (17p-P12-10) 1998.9.17

47 杵築弘隆、早藤紀生、佐藤和彦、梶川靖友
MBE成長AlGaAs/InGaAs/AlGaAs DH-pHEMT構造ヘテロ界面のAFM評価
1998年春季応用物理学会 (31a-R-5) 1998.3.31

46 宮下宗治、木村達也、三橋豊、樋口英世、梶川靖友
InGaAs/GaAsP 応力補償型MQW構造による臨界膜厚の増大
1997年秋季応用物理学会 (3p-T-2) 1997.10.3

45 梶川靖友
Schwoebelモデルにおける原子取り込み率の上下ステップでの非対称性
1997年秋季応用物理学会 (2p-M-17) 1997.10.2

44 山村真一、川崎和重、永井豊、島顕洋、宮下宗治、梶川靖友、十河敏雄
0.98μm帯リッジ型窓構造半導体レーザ(2)
1997年春季応用物理学会 (29p-PA-20) 1997.3.29

43 川崎和重、永井豊、島顕洋、山村真一、宮下宗治、梶川靖友、長濱弘毅
0.98μm帯リッジ型窓構造半導体レーザ(1)
1997年春季・棊p物理学会 (29p-PA-19) 1997.3.29