1 梶川靖友、渡部　力
UDWAの二電子系への応用　― p + He, Li3++ Heにおける電荷移動断面積―
1981年春季物理学会　1981.4

2 Kajikawa Y, Mizuguchi K, Murotani T, and Fujikawa K
The effects of infrared flash lamp annealing on the electrical properties of modulation doped GaAs/N-AlGaAs structures
Fifth Molecular Beam Epitaxy Workshop, Atlanta, 1983.10

3 梶川靖友、平野良一、室谷利夫
DX センターのフォトルミネッセンス
1985年秋季応用物理学会　(2a-A-4)　1985.4.2

4 梶川靖友、永井　豊、三橋　豊、早藤紀夫、越智誠二、水口一男、室谷利夫、池田健次
MOCVD 法によるSe ドープAlGaAs のフォトルミネッセンス測定
1985年秋季応用物理学会（2a-A-6）1985.4.2

5 西村隆司、梶川靖友、平野良一、室谷利夫、藤川恭一郎
ハライドVPE法によるInGaAs 成長
1985年秋季応用物理学会（4a-G-8）1985.4.4

6 梶川靖友、平野良一、室谷利夫
MOCVD で作製した高濃度Se ドープAlGaAs のフォトルミネッセンス測定
電子デバイス研究会研究報告　ED85-110　1985.11.22

7 Kajikawa Y, Nagai Y, Mihashi Y, Hirano R and Murotani T
Deep Level Photoluminescence Associated with SA Centers and DX Centers in Heavily Se-Doped AlGaAs
MRS 1986 Spring Meeting B5.4, Palo Alto, CA, 1986.4

8 梶川靖友、中西雅彦、早藤紀夫、越智誠二、水口一男、平野良一、室谷利夫
PL 法によるGaAs エピ層シートキャリア濃度分布の非破壊非接触測定
1986年春季応用物理学会（3p-W-15）1986.4.3

9 梶川靖友、越智誠二、早藤紀夫、水口一男、平野良一、室谷利夫
MOCVD 法によるSi 基板上GaAs 結晶の低温フォトルミネッセンス
1986年春季応用物理学会（4p-W-6）1986.4.4

10 Kajikawa Y, Ochi S, Hayafuji N, Mizuguchi K, Hirano R, and Murotani T
Effect of substrate orientation on the photoluminescence of GaAs on Si
18th Int. Conf. Solid State Devices and Materials, 1986.8

11 室谷利夫、水口一男、梶川靖友、早藤紀夫、越智誠二、加藤真理、三井興太郎
Si 基板上に成長したGaAs の評価
応用電子物性分科会研究報告 No.415, p. 28, 1986.9.12

12 梶川靖友、中西雅彦、平野良一、室谷利夫
MBE Si ドープGaAs 、AlGaAs における空孔複合体の発光
1987年春季応用物理学会（31a-V-9）1987.3.31

13 梶川靖友、中西雅彦、平野良一、室谷利夫
MBE Si ドープGaAs 、AlGaAs における空孔複合体の発光
半導体：トランジスタ研究会　研究報告　SSD86-159　1987.3.9

14 梶川靖友、平野良一、室谷利夫
MESFET 及びHEMT のゲート耐圧モデル
1987年秋季電子情報通信学会　論文集 分冊1 p.200　1987.11

15 梶川靖友、長浜弘毅、平野良一、室谷利夫
リセス型MESFET のゲート耐圧モデル
1988年春季電子情報通信学会　論文集 分冊 2p.109　1988.3

16 杉山直治、井須俊郎、梶川靖友、上條　健
MBE法による原子層制御エピタキシーの試み
1989年春季応用物理学会（1a-ZM-11）1989.4.1

17 梶川靖友、杉山直治、上條　健、片山良史、
GaAs／AlGaAs［111］方向量子井戸における電界効果、
1989年春季応用物理学会（3p-Z-6）1989.4.3

18 N.Sugiyama, T. Isu, T.Kamijoh, Y.Kajikawa, and Y.Katayama,
Atomic Layer Growth of GaAs by Molecular Beam Epitaxy Using Desorption of Excess Ga Atoms
11th International Vacuum Congress 1989.9

19 梶川靖友、杉山直治、上條　健、片山良史
InGaAs ／GaAs 歪超格子における量子閉じ込めStark 効果
1989年秋季応用物理学会（28p-Z-6）1989.9.28

20 Y.Kajikawa, N.Sugiyama, and Y.Katayama,
Orientation Anisotropy of Quantum-Confined Stark Effect in GaAs-AlGaAs Quantum Wells
7th International Workshop on Future Electron Devices
Extended Abstracts p.197　1989.10

21 梶川靖友、畑　雅幸、杉山直治、井須俊郎、片山良史
GaAs-AlGaAs ［111］方向量子井戸の光電流スペクトル
1990年春季物理学会（30p-Z-4）1990.3.30

22 梶川靖友、畑　雅幸、井須俊郎
量子井戸の偏光特性の基板面方位による違い
1990年春季応用物理学会 (30p-PC-14）1990.3.30

23 杉山直治、梶川靖友、井須俊郎
交互分子線供給法法によるGaAs成長中のAs取り込み機構
1990年春季応用物理学会（30p-T-11）1990.3.30

24 Kajikawa Y
Electric field effects on optical transitions in InGaAs/GaAs superlattices: Evidence of type-II superlattices for light holes
Int. Conf. Superlattices and Microstructures, Berlin, 1990.8

25 梶川靖友
InGaAs ／GaAs の光電流スペクトル　−タイプII 超格子におけるWannier-Stark 効果の観測−
応用電子物性分科会研究例会　研究報告　No.435 p.7　1990.9.13

26 梶川靖友
InGaAs ／GaAs 歪超格子におけるtype-II のWannier-Stark 局在
1990年秋季応用物理学会　(26p-ZL-15)　1990.9.26

27 梶川靖友、畑　雅幸、井須俊郎
微傾斜面のMBEにおけるステップフロー成長　−異方性のある場合−
1991年春季応用物理学会　(28a-SZK-14)　1991.3.28

28 Kajikawa Y, Hata M, Isu T, and Katayama Y
Linear polarization effects in (110) quantum wells for light propagating perpendicular to the well planes
Int. Conf. Modulated Semiconductor Structures, 1991.8

29 梶川靖友、畑雅幸
（110）量子井戸の偏光特性から見積ったLuttinger parameter の異方性
1991年秋季物理学会　(28p-C-14)　1991.9.28

30 梶川靖友、畑雅幸
（110）量子井戸の準位反交差に伴う面内光学異方性の異常
1992年春季物理学会　(28p-W-9)　1992.3.28

31 Kajikawa Y and Hata M
Extreme optical anisotropy in strained (110) quantum wells
Int. Conf. Superlattices and Microstructures, 1992.8

32 Kajikawa Y
Extreme optical anisotropy in (110) quantum wells induced by [110] uniaxial stress
Int. Conf. High Pressure in Semiconductor Physics, 1992.8

33 梶川靖友、葛西淳一、片山良史
（001）及び（111）量子井戸における1 s - 2 s 励起子分裂エネルギー
1992年秋季物理学会　(28a-ZH-6)　1992.9.28

34 葛西淳一、河西秀典、梶川靖友、片山良史
低温顕微フォトルミネッセンス・励起スペクトル測定装置
1993年春季物理学会　(30p-G-13)　1993.3.30

35 梶川靖友
QCSEによる（110）歪み量子井戸の正孔準位反交差と光学異方性の異常増大
1993年秋季物理学会　(30p-ZW-5)　1993.9.30

36 梶川靖友
量子井戸の偏光異方性におけるスピン軌道相互作用の影響
1994年春季物理学会　(29a-K-9)　1994.3.29

37 Kajikawa Y, Brandt O, Kanamoto K, and Tsukada N
Optical anisotropy of (11N) and vicinal (001) quantum wells
Int. Conf. Molecular Beam Epitaxy, 1994.8

38 杵築弘隆、宮下宗治、梶川靖友、三橋豊、高宮三郎
HClガスエッチング･MOCVD再成長によるGaAs/AlGaAs DH構造の時間分解PL評価
1994年秋季応用物理学会　(21a-MG-4)　1994.9.21

39 松本啓資、石村栄太郎、瀧口透、梶川靖友、三橋豊、大村悦司
半導体多層反射膜付高効率InGaAs pinフォトダイオード
1995年春季応用物理学会　(29a-ZE-3)　1995.3.29

40 Kajikawa Y, Miyashita M, Karakida S, Shima A, Mihashi Y, and Takamiya S
Effects of barrier thickeness on crystalline degradation in InGaAs/(Al)GaAs strained quantum-well structures
14th Electronic Materials Symposium, 1995.7

41 宮下宗治、唐木田昇市、島顕洋、梶川靖友、三橋豊、高宮三郎
InGaAs/(Al)GaAs歪み量子井戸構造における障壁層厚増大による劣化抑制
1995年秋季応用物理学会　(26a-ZM-4)　1995.8.26

42 Miyashita M, Karakida S, Shima A, Kajikawa Y, Mihashi Y, and Takamiya S
Suppression of degradation in crystalline quality of InGaAs/(Al)GaAs strained quantum-well structures by increasing the barrier thickness
22nd Int. Symp. Compound Semiconductors, Cheju Island, Korea, ThA1-4, 1995.8