16.
     特開2009-147098 半導体多結晶薄膜及び半導体装置
15.
     US Patent 65006618B1, Method of forming a GaInNAs Layer , Jan. 14, 2003

14.
     特開2000-058971 半導体レーザ素子及びその製造方法
13.
     特開平11-026866 半導体レーザ及びその製造方法
12.
     特開平10-116786 半導体デバイス
11.
     特開平09-307187 第二次高調波発生半導体レーザ
10.
     特開平09-199802 半導体レーザ装置
09.
     特開平09-139552 半導体装置,及びその製造方法
08.
     特開平09-018089 半導体装置,及びその製造方法
07.
     特開平08-222815 半導体レーザ装置の製造方法、及び半導体レーザ装置
06.
     特開平08-181151 バイポーラトランジスタ
05.
     特開平08-172056 化合物半導体層の成長方法
04.
     特開平07-263357 III−V族化合物薄膜の製造方法
03.
     特開平07-092433 半導体電気光学素子
02.
     特開平05-110198 面発光半導体レーザ
01.
     特開平05-110197 半導体レーザ