[1] 学術論文
(1) D. Lee, S. Takehiro, M. Sakuraba, J. Murota, and T. Tsuchiya, "Fabrication of 0.12 μm pMOSFETs on high Ge fraction Si/Si1-xGex/Si (100) heterostructure with ultrashallow source/drain formed using B-doped SiGe CVD," Applied Surface Science 224, pp. 254-259, 2004.

(2) Y. Sato, T. Ishihara, Y. Kado, K. Nishimura, and T. Tsuchiya, "Body-Charge-Induced Switching Characteristics in Fully Depleted Silicon-on-Insulator Digital Circuits," Jpn. J. Appl. Phys., vol. 43, no. 8A, pp. 5209-5217, Aug. 2004.

(3) Y. Sato, T. Tsuchiya, and Y. Kado, "Influence of Doping Gradient near a Channel End on Parasitic Series Resistance of Thin-Film Fully-Depleted Metal-Oxide-Semiconductor Field-Efect Transistors," Jpn. J. Appl. Phys., vol. 43, no. 10, pp. 6948-6956, 2004.


[2] 国際会議
(1) T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota, "Hot Carrier Reliability of a SiGe/Si Hetero-Interface in SiGe MOSFETs," Proceedings of IEEE Int’l Reliability Physics Symposium (IRPS), Phoenix, USA, pp. 449-454, April 25-29, 2004.

(2) T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota, "Hot carrier reliability of SiGe/Si-hetero-MOSFETs," Second Int’l SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM), Frankfurt (Oder), Germany, pp. 127-128, May 16-19, 2004. (Invited Paper)

(3) T. Tsuchiya, "Single-Crystalline SOI CMOS Devices as an Ideal High-Quality Poly-Si TFT," 11th Int’l Workshop on Active-Matrix Liquid-Crystal Displays (AM-LCD’04), Tokyo, Japan, pp. 65-68, August 25-27, 2004. (Invited Paper)

(4) T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota, "Hetero-interface traps and hot carrier reliability of SiGe/Si heterostructure and low frequency noise in SiGe-channel pMOSFETs," The 3rd Int'l Workshop on New Group IV (SiGeC) Semiconductors, Sendai, pp. 89-90, Oct. 12-13, 2004.

(5) S. Takehiro, D. Lee, M. Sakuraba, J. Murota, and T. Tsuchiya, "High Performance Strained SiGe Channel pMOSFETs with Selective CVD B-Doped SiGe Source/Drain Electrode," The 3rd Int'l Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors, Sendai, pp. 65-66, Oct. 12-13, 2004.

(6) T. Tsuchiya, and J. Murota, "Hot carrier reliability of a SiGe/Si hetero-interface in SiGe/Si-hetero-MOSFETs," 2004 Int’l Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT), Beijing, China, pp. 2120-2124, Oct. 18-21, 2004.
(Invited Paper)



[3] 研究会、委員会等
(1) 土屋敏章,佐々木伸夫,”低温多結晶シリコンTFTのデバイス特性や信頼性に及ぼす粒界の影響“,電子情報通信学会 電子デバイス研究会,信学技報vol. 104, No.3 , ED2004-10,pp. 19-24, 2004.4.16 (九工大,飯塚市).(招待講演)

(2) 土屋敏章,室田淳一,“SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるヘテロ界面準位密度の直接測定と低周波雑音特性”,「超高速SiGeデバイス材料技術の最新動向」研究集会,電気学会研究会資料 電子材料研究会EFM-04-35,pp. 49-54,応用物理学会分科会 シリコンテクノロジー,No. 62,pp. 50-55,2004.6.26 (東京農工大).

(3) 土屋敏章,櫻庭政夫,室田淳一,”SiGe MOSFETにおけるSiGe/Siヘテロ界面のホットキャリア信頼性”,電気学会 IV族ヘテロデバイス・システム材料技術調査専門委員会,2004.8.20.

(4) 竹廣忍,櫻庭政夫,室田淳一,土屋敏章,”IV族半導体ヘテロデバイスの高性能化”,電気学会 IV族ヘテロデバイス・システム材料技術調査専門委員会,2004.8.20.


[4] 学会講演会
(1) 土屋敏章,櫻庭政夫,室田淳一,“SiGeヘテロMOSFETにおけるSiGe/Siヘテロ界面のホットキャリア信頼性とその評価法”,第51回応用物理学関係連合講演会 シンポジウム「W族半導体SiGe(C)における材料・プロセス・デバイス技術の新展開」,28p-ZZ-10,2004.3.28-31 (東京工科大).(招待講演)

(2) 山村星史,奥田  崇,吉野健一,竹井美智子,佐々木伸夫,土屋敏章,”低温結晶シリコンTFTの高温特性”,2004年度応用物理学会中国四国支部学術講演会,Aa2-4,2004.7.31(香川大学).

(3) 中村美一,土屋敏章,”ホットキャリア劣化したLDD MOSFETのチャージポンピング特性”,2004年度応用物理学会中国四国支部学術講演会,Ap2-1,2004.7.31(香川大学).

(4) 浅沼弘展,櫻庭政夫,室田淳一,土屋敏章,”SiGeチャネルpMOSFETの低周波雑音特性”,2004年度応用物理学会中国四国支部学術講演会,Ap2-2,2004.7.31(香川大学).

(5) 土屋敏章,櫻庭政夫,室田淳一,”SiGe/SiヘテロMOSFETにおいて局所的にホットキャリア劣化したヘテロ界面領域幅の考察”,第65回応用物理学会学術講演会,2p-L-16,2004.9.1-4 (東北学院大学).

(6) 浅沼弘展,櫻庭政夫,室田淳一,土屋敏章,”SiGe/SiヘテロpMOSFETの低周波雑音特性に及ぼすヘテロ界面準位の影響”,第6回IEEE広島支部学生シンポジウムHISS論文集,pp. 59-61,2004.12.4-5(テクノアートしまね).

(7) 中村美一,土屋敏章,”LDD MOSFETのチャージポンピング特性”,第6回IEEE広島支部学生シンポジウムHISS論文集,pp. 63-65,2004.12.4-5(テクノアートしまね).





研究業績(2004年)