[1] 学術論文
(1) T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota, "Characterization of Hot-Carrier Degraded SiGe/Si-Hetero-PMOSFETs," Thin Solid Films, vol. 508, issues 1-2, pp. 326-328, June 6, 2006.

(2) 土屋敏章,櫻庭政夫,室田淳一,”SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるホットキャリアによるヘテロ界面準位の発生,” 電気学会論文誌C,IEEJ Trans. EIS, vol. 126, no. 9, pp. 1101-1106, 2006.

(3) 竹廣 忍,櫻庭政夫,室田淳一,土屋敏章,”BドープSiGe選択CVD成長により形成された極浅ソース・ドレインと高Ge比率歪SiGeヘテロチャネルを有する高性能pMOSFET,” 電気学会論文誌C,IEEJ Trans. EIS, vol. 126, no. 9, pp. 1079-1082, 2006.


[2] 国際会議
(1)
T. Tsuchiya, T. Miura, T. Yamai, G. Kawachi, and M. Matsumura, "Influence of Grain Boundaries on the Temperature Dependence of Device Characteristics and on Hot Carrier Effects in LTPS-TFTs containing Large Grains," The 13th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices, Tokyo, Japan, pp. 199-202, July 5-7, 2006.

(2) T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota, "Quantitative Evaluation of Interface Traps in a Nanometer-Thick SiGe/Si Heterostructure in Hetero MOS Devices," 2006 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2006), Sendai, Japan, pp. 21-24, July 3-5, 2006.
(Invited Paper)

(3) T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota, "Hot-Carrier-Degradation of Hetero-Interface in SiGe/Si-Hetero-MOSFETs," 2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Sendai, Japan, pp. 83-84, Oct. 2-3, 2006.

(4) S. Takehiro, S. Kawada, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, and J. Murota, "Fabrication of Sub-100-nm Gate-Length SiGe-Heterochannel MOSFETs with In-Situ Doped Selectively Epitaxial SiGe Sourcs/Drain," 2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Sendai, Japan, pp. 11-12, Oct. 2-3, 2006.

(5) T. Tsuchiya, S. Mishima, M. Sakuraba, and J. Murota, "The Instability of the SiGe/Si-Hetero-Interface in Hetero-MOSFETs due to Bias Stress," to be presented at 37th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference (SISC 2006), San Diego, USA, P. 15, Dec. 7-9, 2006.


[3] 研究会、委員会等
(1) 土屋敏章,櫻庭政夫,室田淳一,”SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるヘテロ界面のホットキャリア局所劣化,” 電気学会 電子材料研究会EFM-06-15,pp. 1-6, 2006年10月3日.

(2) 土屋敏章,櫻庭政夫,室田淳一,”SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるホットキャリア局所劣化ヘテロ界面領域の定量的評価,”電気学会IV系ヘテロ超微細デバイス材料技術調査専門委員会,2006年11月17日.


[4] 学会講演会
(1) 山井 翼,河内玄士朗,土屋 敏章,”極薄膜大粒径低温多結晶シリコンTFT特性に及ぼす粒界の影響,” 応用物理学会中国四国支部 2006年度学術講演会,B-a-3,p. 116,2006年7月29日(徳島大学).

(2) 木山 雅志, 水卜崇文, 土屋 敏章,”低温多結晶シリコンTFTにおけるACホットキャリア効果(U),” 応用物理学会中国四国支部 2006年度学術講演会,B-a-4,p. 117,2006年7月29日(徳島大学).

(3) 吉田啓一,櫻庭政夫,室田淳一,土屋敏章,”SiGe/SiへテロpMOSFETのチャージポンピング特性,” 応用物理学会中国四国支部 2006年度学術講演会,B-a-5,p. 118,2006年7月29日(徳島大学).

(4) 水卜崇文,河内玄士朗,松村正清,土屋敏章,”極薄膜低温多結晶シリコンTFTにおけるホットキャリア発生と劣化に及ぼす粒界の影響,” 第67回応用物理学会学術講演会,30a-ZQ-5,2006年8月29日-9月1日(立命館大学,滋賀草津).

(5) 三島誠史,櫻庭政夫,室田淳一,土屋敏章,”SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるジュール熱によるヘテロ界面の不安定性,” 第67回応用物理学会学術講演会,31a-ZR-7,2006年8月29日-9月1日(立命館大学,滋賀草津).

(6) 福田幸夫,王谷洋平,小野俊郎,土屋敏章,柏木勇作,”Ge-MISキャパシターのC-V特性に見られる異常な周波数分散特性に対する一考察,” 第67回応用物理学会学術講演会,31p-P12-5,2006年8月29日-9月1日(立命館大学,滋賀草津).

(7) 木山雅志,水卜崇文,土屋敏章,”低温多結晶シリコンTFTにおけるACホットキャリア効果への粒界の影響,” 第8回IEEE HISS (IEEE広島支部学生シンポジウム),pp.80-81,2006年11月25日-26日(広島市立大学).

(8) 山井 翼,河内玄士朗,土屋敏章,”大粒径低温多結晶シリコンTFTにおけるデバイス特性の温度依存性と基板浮遊効果,” 第8回IEEE HISS (IEEE広島支部学生シンポジウム),pp. 82-83,2006年11月25日-26日(広島市立大学).

(9) 吉田啓一,櫻庭政夫,室田淳一,土屋敏章,”SiGe/SiヘテロpMOSFETのチャージポンピング特性に及ぼすパルスパラメータの影響,” 第8回IEEE HISS (IEEE広島支部学生シンポジウム),pp. 71-73,2006年11月25日-26日(広島市立大学).





研究業績(2006年)