[1] 学術論文
(1) T. Tsuchiya, T. Miura, T. Yamai, G. Kawachi, and M. Matsumura, "Influence of Grain Boundaries on the Temperature Dependence of Device Characteristics and on Hot Carrier Effects in Low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors Containing Large Grains," Jpn. J. Appl. Phys., vol. 46, no. 3B, pp. 1312-1317, 2007.

(2) T. Tsuchiya, S. Mishima, M. Sakuraba, and J. Murota, "Hot carrier degradation of a SiGe/Si hetero-interface and experimental estimation of the density of locally-generated hetero-interface traps," Jpn. J. Appl. Phys., vol. 46, no. 8A, pp. 5015-5020, 2007.


[2] 国際会議
(1) T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota, "Reliability and instability of a SiGe/Si-hetero-interface in hetero-channel MOSFETs," 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5), Marseille, France, pp. 125-126, May 20-25, 2007.
(Invited Paper)

(2) S. Takehiro, M. Sakuraba, T. Tsuchiya, and J. Murota, "High Ge fraction intrinsic SiGe-heterochannel MOSFETs with embeded SiGe source/drain electrode formed by in-situ doped selective CVD epitaxial growth," 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5), Marseille, France, pp. 365-366, May 20-25, 2007.


(3) T. Tsuchiya, M. Sakuraba, and J. Murota, "Instability of a SiGe/Si-hetero-interface in hetero-channel MOSFETs due to Joule heating," 3rd International Workshop on New Group IV Semiconductor Nonoelectronics, Sendai, Japan, pp. 17-18, Nov. 8-9, 2007. (Invited Paper)


[3] 学会講演会
(1) 吉田啓一,櫻庭政夫,室田淳一,土屋敏章,”SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるヘテロ界面準位でのキャリア捕獲過程の時定数,” 応用物理学会中国四国支部2007年度学術講演会,Dp-8,p. 84,2007年8月4日(岡山大学).

(2) 大谷仁司,坪井眞信三,河内玄士朗, 土屋敏章,”大粒径低温多結晶シリコンTFTにおけるホットキャリア劣化のストレス時間依存性に及ぼすバイアス効果,” 応用物理学会中国四国支部2007年度学術講演会,Dp-9,p. 85,2007年8月4日(岡山大学).

(3) 木山雅志,土屋敏章,”pチャネル低温多結晶シリコンTFTにおけるダイナミックホットキャリア効果,” 応用物理学会中国四国支部2007年度学術講演会,Dp-10,p. 86,2007年8月4日(岡山大学).

(4) 定免浩平,坪井眞信三,河内玄士朗, 土屋敏章,”低温多結晶シリコンTFTにおけるセルフヒーティング効果,” 応用物理学会中国四国支部2007年度学術講演会,Dp-11,p. 87,2007年8月4日(岡山大学).

(5) 大谷仁司,坪井眞信三,河内玄士朗, 土屋敏章,”大粒径低温多結晶シリコンTFTにおけるホットキャリア劣化に及ぼすストレスバイアスの影響,” 第9回IEEE HISS(IEEE広島支部学生シンポジウム),A-10, 2007年11月24-25日(鳥取大学).

(6) 定免浩平,坪井眞信三,河内玄士朗, 土屋敏章,”低温多結晶シリコンTFTにおけるデバイス特性に及ぼすジュール熱の影響,” 第9回IEEE HISS(IEEE広島支部学生シンポジウム),A-11, 2007年11月24-25日(鳥取大学).





研究業績(2007年)