[1] 学術論文
(1) S. Takehiro, M. Sakuraba, J. Murota and T. Tsuchiya, "High-performance pMOSFETs with high Ge fraction strained SiGe-heterostructure channel and ultrashallow source/drain formed by selective B-doped SiGe CVD," Electr. Eng. Jpn., vol.165, no.3, pp.46-50, 2008.

(2) S. Takehiro, M. Sakuraba, T. Tsuchiya and J. Murota, "High Ge fraction intrinsic SiGe-heterochannel MOSFETs with embedded SiGe source/drain electrode formed by in-situ doped selective CVD epetaxial growth," Thin Solid Films, vol. 517, no. 1, pp. 346-349, Nov. 3, 2008.


[2] 国際会議
(1) T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, and J. Murota, "Transient Charge-Pumping Characteristics Related to Heterointerface Traps in SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs," 4th International SiGe Technology and Device Meeting, Hsinchu, Taiwan, pp. 64-65, May. 11-14, 2008.


(2)
S. Tsuboi, G. Kawachi, T. Okada, M. Mitani, T. Tsuchiya, and M. Matsumura, "Device Design for Sub-micron Si TFTs for Improved Hot-Carrier Immunity," Digest of Tech. Papers, The 15th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD 08), Tokyo, pp. 271-274, July 2-4, 2008.

(3) T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, and J. Murota, "Transient Charge-Pumping Characteristics Related to Heterointerface Traps in SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs," The 4th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Sendai, Japan, pp. 55-56, Sep. 25-27, 2008.

(4) T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, and J. Murota, "Capture/Emission Process of Carriers in Interface Traps Observed in the Transient Charge-Pumping Characteristics of MOSFETs," The 39th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference (SISC 2008), San Diego, USA, P. 22, Dec. 11-13, 2008.


[3] 研究会・委員会等
(1)
土屋敏章,吉田啓一,櫻庭政夫,最上 徹,大路 譲,"ナノスケールデバイスにおける界面物性揺らぎと雑音," 科研費特定領域研究「シリコンナノエレクトロニクスの新展開−ポストスケーリングテクノロジー−」第2回成果報告会(公開),2008年3月7-8日.

(2) 土屋敏章,吉田啓一,櫻庭政夫,"SiGe/SiヘテロチャネルMOSFETにおけるヘテロ界面準位に関連したチャージポンピング過渡特性," 科研費特定領域研究「シリコンナノエレクトロニクスの新展開−ポストスケーリングテクノロジー−」第2回成果報告会(公開),P305,2008年3月7-8日.

(3) 土屋敏章,最上 徹,大路 譲,"極微小ゲートMOSFETにおける雑音特性," 科研費特定領域研究「シリコンナノエレクトロニクスの新展開−ポストスケーリングテクノロジー−」第2回成果報告会(公開),P306,2008年3月7-8日.

(4) 土屋敏章,櫻庭政夫,室田淳一,"SiGe/SiヘテロチャネルMOSFETにおける過渡チャージポンピング特性," 電気学会 電子材料研究会,EFM-08-24,2008年9月27日.

(5) 土屋敏章,"シリコン及びシリコン系ヘテロMOSデバイスの信頼性物理," 薄膜材料デバイス研究会,pp. 27-33,2008年10月31日−11月1日(奈良100年会館).
(招待講演)


[4] 学会講演会
(1) 土屋敏章,"MOSデバイスにおける信頼性物理とヘテロ界面に関する研究," 応用物理学会中国四国支部貢献賞受賞記念講演,メルパルク松山,松山,2008年8月1日.

(2) 田村昌史,最上 徹,土屋敏章,"極薄ゲート酸化膜を有するMOSトランジスタのチャージポンピング特性," 応用物理学会中国四国支部 2008年度学術講演会,Da-01,p. 78,2008年8月2日(愛媛大学).

(3) 森村由太,岩松俊明,尾田秀一,土屋敏章,"2周波数チャージポンピング法による極薄ゲート酸化膜SOI MOSトランジスタの評価," 応用物理学会中国四国支部 2008年度学術講演会,Da-02,p. 79,2008年8月2日(愛媛大学).

(4) 森 祐樹,櫻庭政夫,室田淳一,土屋敏章,"SiGeチャネルMOSトランジスタのホットキャリア効果," 応用物理学会中国四国支部 2008年度学術講演会,Da-11,p. 88,2008年8月2日(愛媛大学).

(5) 下山展弘,石井仁,佐藤昇男,小野一善,阪田知巳,工藤和久,町田克之,土屋敏章,"アドオン型厚膜配線を形成したMOSFETの信頼性," 第69回応用物理学会学術講演会,4p-CD-4,2008.9.2-5(中部大学,愛知県春日井市).

(6) 田村昌史,最上 徹,土屋敏章,"極薄ゲート酸化膜を有するMOSFETにおける異常チャージポンピング特性の解析," 第10回IEEE HISS(IEEE広島支部学生シンポジウム),pp. 182-184,2008.11.21-23(広島産業会館).

(7) 森 祐樹,櫻庭政夫,室田淳一,土屋敏章,"SiGeチャネルpMOSFETにおけるホットキャリアストレス中の基板電流変化," 第10回IEEE HISS(IEEE広島支部学生シンポジウム),pp. 284-286,2008.11.21-23(広島産業会館).

(8) 森村由太,岩松俊明,尾田秀一,土屋敏章,"極薄ゲート酸化膜SOI MOSトランジスタにおけるチャージポンピング特性の補正," 第10回IEEE HISS(IEEE広島支部学生シンポジウム),pp. 293-294,2008.11.21-23(広島産業会館).





研究業績(2008年)