[1] 学術論文
(1) 土屋敏章, "ナノスケールMOSデバイスにおける界面物性の揺らぎ−界面トラップ1個1個を検出して評価する−", 応用物理, 第78巻, 第9号, pp. 868-872, 2009.


[2] 国際会議
(1) T. Tsuchiya, Y. Mori, Y. Morimura, T. Mogami, and Y. Ohji, "Direct Observation of Fluctuations in Both the Number and Individual Carrier Capture Rate of Interface Traps in Small Gate-Area MOSFETs," Proc. of the 39th European Solid-State Device Research Conference, Athens, Greece, pp. 387-390, Sep. 14-18, 2009.


[3] 研究会・委員会等
(1) 土屋敏章,田村昌史,森 祐樹,森村由太,櫻庭政夫,最上 徹,"ナノスケールデバイスにおける界面物性揺らぎと雑音,"科研費特定領域研究「シリコンナノエレクトロニクスの新展開−ポストスケーリングテクノロジー−」第3回成果報告会(公開),2009年1月28-29日.

(2) 森 祐樹,最上 徹,土屋敏章,"数個の界面準位を含むMOSFETの雑音特性,"科研費特定領域研究「シリコンナノエレクトロニクスの新展開−ポストスケーリングテクノロジー−」第3回成果報告会(公開),2009年1月28-29日.

(3) 森村由太,田村昌史,最上 徹,土屋敏章,"極薄ゲート絶縁膜MOSFETにおける異常チャージポンピング特性とその補正,"科研費特定領域研究「シリコンナノエレクトロニクスの新展開−ポストスケーリングテクノロジー−」第3回成果報告会(公開),2009年1月28-29日.


[4] 学会講演会
(1) 森村由太,最上 徹,大路 譲,土屋敏章,"界面準位を数個含む極微細MOSFETのチャージポンピング特性," 応用物理学会中国四国支部 2009年度学術講演会, Ca1-4,p. 59,2009年8月1日(広島大学).

(2) 森 祐樹,最上 徹,大路 譲,土屋敏章,"ナノスケールMOSFETにおけるSi/SiO2界面準位数の揺らぎ," 応用物理学会中国四国支部 2009年度学術講演会, Ca1-5,p. 60,2009年8月1日(広島大学).

(3) 嘉藤俊宏,最上 徹,大路 譲,土屋敏章,"MOSFETの界面準位密度に及ぼすチャネルドープの影響," 応用物理学会中国四国支部 2009年度学術講演会, Ca1-6,p. 61,2009年8月1日(広島大学).

(4) 塚本直樹,河内玄士朗,土屋敏章,"低温多結晶シリコンpチャネルTFTのホットキャリア劣化," 応用物理学会中国四国支部 2009年度学術講演会, Cp1-4,p. 70,2009年8月1日(広島大学).

(5) 嘉藤俊宏,最上 徹,大路 譲,土屋敏章,"チャネルイオン注入によるMOSFETの界面準位密度変化,"第11回IEEE HISS(IEEE広島支部学生シンポジウム),pp. 76-77,2009年11月21-22日(山口大学工学部).

(6) 塚本直樹,河内玄士朗,土屋敏章,"pチャネルLTPS-TFTにおけるDCホットキャリア劣化要因の経時変化,"第11回IEEE HISS(IEEE広島支部学生シンポジウム),pp. 78-79,2009年11月21-22日(山口大学工学部).





研究業績(2009年)