[1] 学術論文
(1) N. Shimoyama, N. Sato, H. Ishii, T. Kamei, K. Kudo, K. Machida, and T. Tsuchiya, "The Effect of Thick Interconnections Formed by Gold Electroplating on the Characteristics of Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors," Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 49, No. 1, Issue 1, 016501_1-5, 2010.

(2) T. Tsuchiya, Y. Mori, Y. Morimura, T. Mogami1, and Y. Ohji, “Direct Observation of Fluctuations in the Number and Individual Electronic Properties of Interface Traps in Nanoscale Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors,” Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 49, No. 6, 064001_1-5, 2010.


[2] 国際会議
(1) T. Tsuchiya, Y. Mori, Y. Morimura, and T. Mogami, "Fluctuation in Electronic Properties of Interface Traps in Nano-MOSFETs," 4th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Sendai, pp. 3-4, Jan. 29-30, 2010. (
Invited Paper).

(2) T. Tsuchiya, Y. Morimura, Y. Mori, and T. Mogami, ”Fluctuations in Electronic Properties of Individual Interface Traps in Nanoscale MOSFETs,” International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE), Tokyo, p. 10, June 3-5, 2010.

(3) T. Tsuchiya, S. Tsuboi, G. Kawachi, and M. Matsumura, ”Anomalous Instability in Low-Temperature Poly-Silicon TFTs Caused by Self-Heating,” Proc. of Tech. Papers, The 17th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD 10), Tokyo, pp. 251-254, July 5-7, 2010.

(4) T. Kato, G. Kawachi, and T. Tsuchiya, "
Peculiar Charge Pumping Characteristics and Exploration of MOS Interfaces in Large-Grain LTPS TFTs,” The 17th International Display Workshops (IDW), Fukuoka, Dec. 1-3, 2010.


[3] 研究会・委員会等
(1) 土屋敏章,森 祐樹,森村由太,嘉藤俊宏,最上 徹,"ナノスケールデバイスにおける界面物性揺らぎと雑音,"科研費特定領域研究「シリコンナノエレクトロニクスの新展開−ポストスケーリングテクノロジー−」第4回成果報告会(公開),2010年1月19-20日.

(2) 森 祐樹,森村由太,土屋敏章,"ナノスケールMOSFETにおける雑音特性の温度依存性,"科研費特定領域研究「シリコンナノエレクトロニクスの新展開−ポストスケーリングテクノロジー−」第4回成果報告会(公開),2010年1月19-20日.

(3) 森村由太,森 祐樹,土屋敏章,"ホットキャリアによって発生したMOS界面準位の電子捕獲過程,"科研費特定領域研究「シリコンナノエレクトロニクスの新展開−ポストスケーリングテクノロジー−」第4回成果報告会(公開),2010年1月19-20日.

(
4) T. Tsuchiya, ”Reliability and Instability of MOS Transistors Induced by Backend Processes,” The 27th Sensor Symposium on Sensors, Micromachines and Applied Systems, The 2nd Integrated MEMS Symposium, BOOK OF ABSTRACTS, p. 128, Oct. 14-15, 2010. 招待講演


[4] 学会講演会
(1) M. Hu, Y. Morimura, T. Mogami, and T. Tsuchiya, "Direct Observation of Fluctuation in the Carrier Capture Process of Single Interface Traps in MOSFETs," 第57回応用物理学関係連合講演会,17a-A-8,2010年3月17日-19日(東海大学湘南キャンパス).

(2) 嘉藤俊宏,河内玄士朗,土屋敏章,"大粒径低温多結晶シリコンTFTにおけるチャージポンピング特性," 第57回応用物理学関係連合講演会,18p-D-18,2010年3月17日-19日(東海大学湘南キャンパス).

(3) 福島利昌,土屋敏章,“チャージポンピング法による離散的MOS界面トラップのエネルギー準位の評価,”応用物理学会中国四国支部 2010年度学術講演会, Ca1-4, p. 49, 2010年7月31日(高知大学).

(4) 山根拓也,土屋敏章,“ホットキャリア注入で発生したMOSFETの単一界面トラップの評価,”応用物理学会中国四国支部 2010年度学術講演会, Ca1-5, p. 50, 2010年7月31日(高知大学).

(5) 内山皓平,土屋敏章,“MOSFETにおける低周波雑音の高温領域での温度依存性,”応用物理学会中国四国支部 2010年度学術講演会, Ca1-6, p. 51, 2010年7月31日(高知大学).


(6) 福島利昌,土屋敏章,“極微細MOSFETにおける離散的界面トラップの評価,”第12回IEEE HISS(IEEE広島支部学生シンポジウム),(b)-12, pp. 89-92,2010年11月6-7日(島根大学).

(7) 山根拓也,土屋敏章,“ホットキャリアによる界面トラップ発生の過程観測,”第12回IEEE HISS(IEEE広島支部学生シンポジウム),(b)-14, pp. 95-97,2010年11月6-7日(島根大学).

(8) 内山皓平,土屋敏章,“高温領域下におけるMOSFETの低周波雑音,”第12回IEEE HISS(IEEE広島支部学生シンポジウム),(b)-16, pp. 100-102,2010年11月6-7日(島根大学).






研究業績(2010年)