研究業績(2011年)

[1] 学術論文
(1) T. Tsuchiya, K. Yoshida, M. Sakuraba, and J. Murota, "Capture/Emission Processes of Carriers in Heterointerface Traps Observed in the Transient Charge-Pumping Characteristics of SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs," Key Engineering Materials, vol. 470, pp. 201-206, 2011. (Online available since 2011/Feb/21 at www.scientific.net)

(2) T. Tsuchiya, S.Tsuboi, G. Kawachi, and M. Matsumura, "Water-Related Instability in Low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors Caused by Self-Heating," Jpn. J. Appl. Phys., vol. 49, no. 3, 03CB04_1-6, March 22, 2011.

(3) T. Tsuchiya, Y. Morimura, and Y. Mori, "Fluctuations in Electronic Properties of MOS Interface in Nanoscale MOSFETs," ECS Transactions, vol. 35, no. 4, pp. 3-17, May, 2011.

(4) 嘉藤俊宏,河内玄士朗,土屋敏章,”大粒径低温多結晶シリコン薄膜トランジスタにおけるチャージポンピング特性とMOS界面に関する考察,” 電子情報通信学会論文誌 C,vol. J94-C, no. 8, pp. 205-209, Aug. 2011.

(5) T. Tsuchiya, "Interactions between Interface Traps in Electron Capture/Emission Processes: Deviation from Charge Pumping Current Based on the Schockley-Read-Hall Theory," Applied Physics Express Vol. 4, No. 9, 094104, 2011 (published online Sep. 8, 2011).


[2] 国際会議
(1) T. Tsuchiya, Y. Morimura, and Y. Mori, "Fluctuations in Electronic Properties of MOS Interface in Nanoscal MOSFETs," the 11th International Symp. on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Emerging Dielectrics, Motreal, Canada, Abstract #1341, May 1-6, 2011. (
Invited Paper).

(2) T. Tsuchiya, "Accurate Measurements of the Charge Pumping Current due to Individual MOS Interface Traps and Interactions in the Carrier Capture/Emission Processes," Proc. of the 41th European Solid-State Device Research Conference, Helsinki, Finland, pp. 339-342, Sep. 12-16, 2011.

(3) M. Hu, T. Yamane, and T. Tsuchiya, "Saturation Behavior in the Generation of Interface Traps by Hot-Carrier Stress in Nanoscale MOSFETs," International Conf. on Solid State Devices and Materials, Extended Abstract, Nagoya, pp. 86-87, Sep. 28-30, 2011.


[3] 研究会・委員会等
(1)


[4] 学会講演会
(1) 福島利昌,土屋敏章,”ナノスケールMOSFETにおける離散的界面トラップ準位の評価,” 応用物理学会中国四国支部2011年度学術講演会,Fa1-5,p. 117,2011年7月30日(鳥取大学).

(2) 鎌田祐樹,土屋敏章,”チャージポンピング法によるナノMOSFETにおける界面トラップ数の評価,” 応用物理学会中国四国支部2011年度学術講演会,Fa1-6,p. 118,2011年7月30日(鳥取大学).

(3) 和田守涼平,土屋敏章,”MOS界面トラップの空間密度分布の評価,” 応用物理学会中国四国支部2011年度学術講演会,Fa2-1,p. 119,2011年7月30日(鳥取大学).

(4) 山根拓也,胡 明,土屋敏章,”ホットキャリア注入で発生したMOS界面単一トラップのキャリア捕獲過程の評価,” 応用物理学会中国四国支部2011年度学術講演会,Fa2-2,p. 120,2011年7月30日(鳥取大学).

(5) 鎌田祐樹,土屋敏章,”ナノMOSFETにおける界面トラップ数評価方法の検討,” 第13回IEEE HISS(IEEE広島支部学生シンポジウム),A-12,pp. 32-34,2011年11月12-13日(広島大学).

(6) 濱野竜朗,土屋敏章,”ゲートバイアスストレスで発生したMOSFETの単一界面トラップの評価,” 第13回IEEE HISS(IEEE広島支部学生シンポジウム),A-13,pp. 35-36,2011年11月12-13日(広島大学).

(7) 和田守涼平,土屋敏章,”MOS界面トラップの空間密度分布の評価方法の検討,” 第13回IEEE HISS(IEEE広島支部学生シンポジウム),A-15,pp. 39-41,2011年11月12-13日(広島大学).

(8) 内山皓平,土屋敏章,”ナノスケールMOSFETの界面特性評価,第13回IEEE HISS(IEEE広島支部学生シンポジウム),B-11,pp. 241-242,2011年11月12-13日(広島大学).

(9) 福島利昌,土屋敏章,”極微細MOSFETにおける離散的MOS界面トラップのエネルギー準位の評価,” 第13回IEEE HISS(IEEE広島支部学生シンポジウム),B-13,pp. 245-248,2011年11月12-13日(広島大学).

(10) 山根拓也,土屋敏章,”ホットキャリアにより発生した界面トラップのキャリア捕獲過程の評価,” 第13回IEEE HISS(IEEE広島支部学生シンポジウム),B-14,pp. 249-251,2011年11月12-13日(広島大学).