研究業績(2012年)

[1] 学術論文
(1) M. Hu, T. Yamane, and T. Tsuchiya, "The Generation Process of Interface Traps Hot-Carrier Injection in Nanoscale Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors," Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 51, No. 2, 02BC09, Feb. 2012 (published online Feb. 20, 2012).

(2) M. Hu and T. Tsuchiya, "Channel Length and Time Dependent Interface Trap Generation near the Source due to Hot-Carrier Injection in Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors," Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 51, No. 7, 074001_1-5, July, 2012 (published online June 12, 2012).


[2] 国際会議
(1) T. Tsuchiya, N. Tamura, A. Sakakidani, K. Sonoda, M. Kamei, S. Yamakawa, and S. Kuwabara, "Novel Gate-Bias-Induced Instability Phenomenon Causing Anomalous Behavior in Random Telegraph Noise," 43th IEEE Semiconductor Interface Specialist Conference (SISC 2012), San Diego, CA, USA, P. 25, Dec. 6-8, 2012.


[3] 研究会・委員会等
(1) 土屋敏章,”チャージポンピング法によるナノMOS構造界面のアトミスティック電子物性評価:SRHモデルの再考,”独立行政法人 日本学術振興会 半導体界面制御技術第154委員会 第80回研究会,pp. 8-15,東京,2012年2月20日
(招待講演)

(2) 土屋敏章,櫻庭政夫,室田淳一,”極薄膜ヘテロエピタキシャル層の電気的特性に及ぼすヘテロ界面の影響に関する研究,”平成23年度共同研究プロジェクト研究発表会「新世代ICTの羅針盤〜通研共同プロジェクトからのメッセージ〜」,紅陽グランドホテル,仙台,2012年3月2日.


[4] 学会講演会
(1) M. Hu and T. Tsuchiya,"Channel Length Dependent Interface Trap Generation near the Source due to Hot-Carrier Injection in MOSFETs," 第59回応用物理学関係連合講演会,18a-GP6-16,2012年3月15-18日(早稲田大学早稲田キャンパス).

(2) 藤本敏充,土屋敏章,”低周波雑音スペクトラムを用いたMOSFETにおけるランダムテレグラフノイズの評価,”応用物理学会中国四国支部2012年度学術講演会,Dp-11,p. 78, 2012年7月28日(山口大学).

(3) 北川謙輔,土屋敏章,”ナノスケールpMOSトランジスタにおけるホットキャリア劣化要因,”応用物理学会中国四国支部2012年度学術講演会,Dp-12,p. 79, 2012年7月28日(山口大学).

(4) 土屋敏章,”キャリア捕獲放出過程における界面トラップ間相互作用:SRHモデル及びチャージポンピング法の再考,”第73回応用物理学会学術講演会,13a-F4-1,2012年9月11日-14日(愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス).

(5) 土屋敏章,田村直義,榊谷明仁,園田賢一郎,亀井政幸,山川真弥,桑原純夫,”電流ヒストグラムを用いたRandom Telegraph Noiseの解析:酸化膜トラップ間相互作用の検証,”第73回応用物理学会学術講演会,13a-F4-2,2012年9月11日-14日(愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス).

(6) 土屋敏章,田村直義,榊谷明仁,園田賢一郎,亀井政幸,山川真弥,桑原純夫,”キャリア捕獲履歴を用いたRandom Telegraph Noiseの解析:新たな信頼性不安定性現象の観測,”第73回応用物理学会学術講演会,13a-F4-3,2012年9月11日-14日(愛媛大学城北地区・松山大学文京キャンパス).

(7) 藤本敏充,土屋敏章,”ソース−ドレインの正・逆接続によるランダムテレグラフノイズの変化,”平成24年度(第63回)電気・情報関連学会中国支部連合大会,p. 113,2012年10月20日(島根大学).

(8) 濱野竜朗,土屋敏章,”ゲートバイアスストレスによって発生するMOS界面トラップのバイアス電圧およびストレス時間依存性,”平成24年度(第63回)電気・情報関連学会中国支部連合大会,p. 114,2012年10月20日(島根大学).

(9) 北川謙輔,土屋敏章,”ホットキャリアによるナノスケールpMOSトランジスタの特性劣化,”平成24年度(第63回)電気・情報関連学会中国支部連合大会,p. 115,2012年10月20日(島根大学).