研究業績(2013年)

[1] 学術論文
(1) T. Tsuchiya, N. Tamura, A. Sakakidani, K. Sonoda, M. Kamei, S. Yamakawa, and S. Kuwabara, "Characterization of Oxide Traps Participating in Random Telegraph Noise Using Charging History Effects in Nano-Scaled MOSFETs," ECS Transactions, vol. 58, no. 9, pp. 265-279, Oct. 2013.


[2] 国際会議
(1) T. Tsuchiya, N. Tamura, A. Sakakidani, K. Sonoda, M. Kamei, S. Yamakawa, and S. Kuwabara, "Characterization of Oxide Traps Participating in Random Telegraph Noise Using Charging History Effects in Nano-Scaled MOSFETs," The 224th Electrochemical Society Meeting, the Symp. on ULSI Process Integration 8, San Francisco, CA, USA, Abstract #2245, Oct. 27-Nov. 1, 2013 (Invited paper).


[3] 研究会・委員会等
(1)
土屋敏章,”ナノCMOSデバイスの界面物性揺らぎ評価技術の開発とRTNの機構解明に関する研究,”2013年度STARC研究成果総合報告会,横浜,2013年5月17日.


[4] 学会講演会
(1) 北川謙輔,土屋敏章,”ナノスケールpMOSトランジスタにおけるホットキャリア劣化要因(II),”応用物理学会中国四国支部2013年度学術講演会,Ep-11,p. 100, 2013年7月27日(香川大学).

(2) 王 晨,土屋敏章,”SOI MOSFETにおけるランダムテレグラフノイズの基板浮遊効果,”応用物理学会中国四国支部2013年度学術講演会,Ep-12,p. 101, 2013年7月27日(香川大学).

(3) 土屋敏章,田村直義,榊谷明仁,園田賢一郎,亀井政幸,山川真弥,桑原純夫,”電子捕獲履歴現象を利用した多値ランダムテレグラフノイズの解析(I):関与している酸化膜トラップの数と荷電状態の判定,”第74回応用物理学会学秋季術講演会,19a-C8-2,2013年9月17日-20日(同志社大学).

(4) 土屋敏章,田村直義,榊谷明仁,園田賢一郎,亀井政幸,山川真弥,桑原純夫,”電子捕獲履歴現象を利用した多値ランダムテレグラフノイズの解析(II):個々の酸化膜トラップの評価,”第74回応用物理学会学秋季術講演会,19a-C8-3,2013年9月17日-20日(同志社大学).

(5) 北川謙輔,土屋敏章,”極微pMOSFETにおけるオン電流のホットキャリア劣化,”第15回IEEE HISS(IEEE広島支部学生シンポジウム),A-15,2013年11月16-17日(鳥取大学).

(6) 王 晨,土屋敏章,”完全空乏型SOI MOSFETにおけるインパクトイオン化によるRTN現象への影響,”第15回IEEE HISS(IEEE広島支部学生シンポジウム),A-18,2013年11月16-17日(鳥取大学).