研究業績(2014年)

[1] 学術論文
(1) Masahiro Hori, Tokonibu Watanabe, Toshiaki Tsuchiya and Yukinori Ono, "Analysis of electron capture process in charge pumping sequence using time domain measurements," Appl. Phys. Lett. vol. 105, no. 26, pp. 261602_1-4, Dec. 2014.


[2] 国際会議
(1) M. Hori, T. Watanabe, T. Tsuchiya and Y. Ono, "Time domain measurement of the charge pumping current," 2014 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2014), Honolulu, HI, USA, Workshop Abstract, pp. 31-32, June 8-9, 2014.

(2) T. Watanabe, M. Hori, T. Tsuchiya and Y. Ono, "Evaluation of Accuracy of Time Domain Charge Pumping," 2014 Asia-Pasific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2014), Kanazawa, Workshop Digest, pp. 96-99, July 1-3, 2014.

(3) T. Tsuchiya and Y. Ono, "Charge Pumping Current from Single Si/SiO2 Interface Traps: Direct Observation of Pb Centers and Fundamental Trap-Counting by the Charge Pumping Method," International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Tsukuba, J-2-5L, pp. 842-843, Sep. 9-11, 2014.


[3] 研究会・委員会等
(1)
(依頼講演)土屋敏章,”チャージポンピング法によるMOS界面評価,” SiC酸化膜界面検討会(パワーエレクトロニクスコンステレーション),産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター,虎の門 発明会館,2014年6月26日.

(2)
(招待講演)土屋敏章,”ナノスケールMOSFETにおける多値RTNに関与している個々の酸化膜トラップのキャラクタリゼーション,” 映像情報メディア学会・電子情報通信学会共催 情報センシング・集積回路合同研究会,映情学技報 vol. 38, no. 26, IST2014-32,pp. 29-30,大社文化プレイスうらら館,出雲市,2014年7月3-4日.

(3) (招待講演)土屋敏章,”電子捕獲履歴現象を利用したナノスケールMOSFETにおける多値ランダムテレグラフノイズの解析,” 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会,信学技報 vol. 114,no. 255,SDM2014-92,pp. 47-54,東北大学,仙台,2014年10月16-17日.


[4] 学会講演会
(1) 渡辺時暢,堀 匡寛,土屋敏章,小野行徳,”実時間チャージポンピング法の開発,”第61回応用物理学会春季学術講演会,20p-F12-3,2014年3月17-20日(青山学院大学).

(2) 西河秀泰,土屋敏章,”I-MOSトランジスタ動作の不安定性,” 応用物理学会中国四国支部2014年度学術講演会,Dp-4,p. 66, 2014年7月26日(島根大学).

(3) 枌本裕治,土屋敏章,”トンネル接合の違いによるトンネルFETのオン電流の比較,” 応用物理学会中国四国支部2014年度学術講演会,Dp-5,p. 67, 2014年7月26日(島根大学).

(4) 王 晨,鎌田祐樹,土屋敏章,”MOSFETにおける多値RTNに関与している複数酸化膜トラップの荷電状態の評価,” 応用物理学会中国四国支部2014年度学術講演会,Dp-6,p. 68, 2014年7月26日(島根大学).

(5) 大澤 航,下房慎佳,土屋敏章,”ホットキャリア効果によるRTN特性変化I:nMOSFETの場合,” 応用物理学会中国四国支部2014年度学術講演会,Dp-7,p. 69, 2014年7月26日(島根大学).

(6) 下房慎佳,大澤 航,土屋敏章,”ホットキャリア効果によるRTN特性変化II:pMOSFETの場合,” 応用物理学会中国四国支部2014年度学術講演会,Dp-8,p. 70, 2014年7月26日(島根大学).

(7) 大澤 航,土屋敏章,”ホットキャリアストレスによって生じるランダムテレグラフノイズの変化,”第16回IEEE HISS(IEEE広島支部学生シンポジウム),A-17,2014年11月15-16日(広島市立大).

(8) 枌本裕治,土屋敏章,”トンネルFETのオン電流に及ぼす種々のパラメータの影響,”第16回IEEE HISS(IEEE広島支部学生シンポジウム),B-17,2014年11月15-16日(広島市立大).