研究業績(2016年)

[1] 学術論文
(1) 土屋敏章,”チャージポンピング法による単一界面トラップ(欠陥)の検出と評価,”応用物理 第85巻 第5号,pp. 422-426,2016.

(2) T. Tsuchiya,“Characterization of Interface Defects by the Charge Pumping Technique,” ECS Transactions, vol. 74, no. 4, pp. 29-37, 2016.

(3) M. Hori, T. Tsuchiya, and Y. Ono, "Improvement of charge-pumping electrically detected magnetic resonance and its application to silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistor," Applied Physics Express vol. 10, 015701_1-4, 2017 (published online Dec. 15, 2016).

(4) T. Watanabe, M. Hori, T. Tsuchiya, A. Fujiwara, and Y. Ono, "Time-domain charge pumping on silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor devices," Jpn. J. Appl. Phys. vol. 56, no. 1, pp. 011303_1-5, Jan. 2017 (published online Dec. 19, 2016).

(5) T. Tsuchiya and P. M. Lenahan, "Distribution of the energy levels of individual interface traps and a fundamental refinement in charge pumping theory," Jpa. J. Appl. Phys. vol. 56, no. 3, pp. 131301_1-6, March 2017 (published online Feb. 6, 2017).


[2] 国際会議
(1)
(Invited talk) T. Tsuchiya, "Detection and Characyterization of Single MOS Interface Traps by the Charge Pumping Method," 2016 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2016), Kyoto, Japan, pp. 22-23, June 23-24, 2016.

(2) (Invited talk) T. Tsuchiya,“Characterization of Interface Defects by the Charge Pumping Technique,” The 14th Symp. on High Purity and High Mobility Semiconductors, PRiME (Pacific Rim Meeting) 2016/The 230th ECS (Electrochemical Society) Meeting, Honolulu, Hawaii, Oct. 2-7, 2016.

(3) (Invited talk) T. Tsuchiya,“Single defect characterization at Si/SiO2 interface," to be presented at 6th International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors, Schloss Hernstein, Hernstein, Austria, May 21-25, 2017.



[3] 研究会・委員会等
(1) 土屋敏章,”微細MOSデバイスとの対話を通じた過去と将来,”2016年 IEEE広島支部功績賞 特別講演会,ホテル広島ガーデンパレス,2016年1月28日.

(2) (招待講演) 土屋敏章,”チャージポンピング(CP)法によるMOS界面欠陥評価:CP法の原理的改善と単一欠陥評価への進展,”第13回薄膜材料デバイス研究会「スマート社会を支える薄膜デバイス」,龍谷大学 響都ホール校友会館,京都,pp. 43-45, 2016年10月21日−22日.

(3) (招待講演) 土屋敏章,”チャージポンピング法による単一MOS界面トラップの個別検出と解析−原子スケールの視点で新たなトラップ物理を目指して−,”電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会,応用物理学会シリコンテクノロジ分科会共催,機械振興会館,東京,信学技報(IEICE Technical Report) Vol. 116,No. 296,SDM2016-86,pp. 43-47,応用物理学会シリコンテクノロジNo. 195, pp. 43-47, 2016年11月10-11日.

(4) 土屋敏章,”原子スケール信頼性に関わるMOS界面近傍の単一欠陥評価,”薄膜材料デバイス研究会 山陰特別研究会,青嵐荘,奥出雲,2017年3月21日.


[4] 学会講演会
(1) 大澤 航,土屋敏章,”ホットキャリアストレス誘起のRTNと発生した酸化膜トラップの評価,”第63回応用物理学会春季学術講演会,19p-S423-14,2016年3月19-22日(東京工業大学 大岡山キャンパス).

(2) 土屋敏章,”界面トラップ数の真の値とばらつき,および,従来のチャージポンピング理論による値との比較,”第63回応用物理学会春季学術講演会,20a-S422-1,2016年3月19-22日(東京工業大学 大岡山キャンパス).


(3) 土屋敏章,”電子捕獲放出過程における界面トラップ間の相互作用,”第63回応用物理学会春季学術講演会,20a-S422-2,2016年3月19-22日(東京工業大学 大岡山キャンパス).

(4) 田代晃之,土屋敏章,”MOS界面トラップのエネルギー分布形状に及ぼす使用パラメータ値の影響,”応用物理学会中国四国支部2016年度学術講演会,Ga-9,p.122,2016年7月31日(岡山大学 津島キャンパス).

(5) (応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演)土屋敏章,小野行徳,”Charge Pumping Current from Single Si/SiO2 Interface Traps: Direct Observation of Pb Centers and Fundamental Trap-Counting by the Charge Pumping Method,” 第77回応用物理学会秋季学術講演会,14a-B13-1,2016年9月13日−16日(新潟市 朱鷺メッセ).

(6) 土屋敏章,P. M. Lenahan,”単一界面トラップの準位密度分布:”U字型”分布は定説か?,” 第77回応用物理学会秋季学術講演会,14a-B13-4,2016年9月13日−16日(新潟市 朱鷺メッセ).

(7) 堀 匡寛,成松諒一,土屋敏章,小野行徳,”高感度チャージポンピングEDMR法の開発,” 第77回応用物理学会秋季学術講演会,14a-B13-5,2016年9月13日−16日(新潟市 朱鷺メッセ).

(8) 渡辺時暢,堀 匡寛,土屋敏章,藤原 聡,小野行徳,”Silicon-on-insulator MOSデバイスにおける実時間チャージポンピングの応用,”第64回応用物理学会春季学術講演会,16a-412-10,2017年3月14日−17日(パシフィコ横浜).