=土屋教授がSTARC共同研究賞を受賞

 
土屋敏章教授が本年のSTARC共同研究賞を受賞しました.

 半導体デバイスメーカー9社のコンソーシアムである(株)半導体理工学研究センター(STARC:Semiconductor Technology Academic Research Center)は,以下の目的で大学との共同研究テーマを広く公募しています:@半導体技術基盤および先端技術競争力の強化,A半導体分野における産業界と大学との密接かつ有効な協力関係による発展性と創造性に富んだ特徴ある研究成果の創生,B異分野技術との融合も含めた半導体を応用した新たな市場の創造,C半導体技術分野へ強い関心と情熱を持つ大学若手研究者の育成支援.共同研究の対象分野は,半導体の設計関連分野(システム/回路),製造関連分野(プロセス/デバイス),応用関連分野(半導体そのものではないが,その周辺にあり半導体と強く関連する応用分野)であり,特に応用分野としては既存の半導体応用市場(PC、情報家電、携帯電話など)に加えて,今後,市場として拡がりが期待されている応用分野(環境・エネルギー,健康・医療,建設,食品,農業,ロボットなど市場規模としては未知な領域)など広範な分野となっています.
 多くの提案の中から厳しい競争率の審査を経て,将来の日本半導体に有益な優れたテーマが採択され研究プロジェクトが進められています.これらの採択テーマの内,研究期間の終了を迎えたものの中から多大な貢献をした研究テーマに対して,「STARC共同研究賞」の授与と表彰が行なわれています.本年は,終了した12件の中から1件,土屋教授が提案した「ナノCMOSデバイスの界面物性揺らぎ評価技術の開発とRTNの機構解明に関する研究」が選ばれました.
 この研究テーマは,2010年4月から2013年3月までの3年間実施されたものです.この研究では,MOS界面付近に存在している1個1個のトラップを分離して検出・評価するという究極的な手法を開発し,MOSトランジスタのドレイン電流が離散的に変動して回路誤動作を招くRTN(Random Telegraph Noise)現象の機構解明を目的に行われました.内容は基礎的研究ですが,そこから考案し,新たに開発した測定評価解析手法をプログラム化して,産業界で実用できるツールに仕上げました.
 表彰式と記念講演が,1月29日に新横浜国際ホテルで開催されたSTARCシンポジウム2014のなかで行なわれました.

  

  




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