研究会案内
平成14年度応用物理学会中国四国支部研究会
SOIおよびTFTデバイス技術の現状と将来展望」


主催:応用物理学会中国四国支部

日時:平成141121日(木)午後2時から1122日(金)午後2時まで

場所:島根大学総合理工学部3号館2階多目的ホール(島根県松江市)
(学内には駐車場がほとんどありません,バスでお越し下さい)

参加費:無料

概要:高品質化されてきたTFT,および,本格的に普及しはじめたSOIデバイス,何れも絶縁体上のデバイスであり,少数派の道を歩んできたものの,今後の電子システムを支えるキーデバイスとなる可能性が大きい.本研究会では,これらの分野で顕著な活躍をされている研究者の方々にお集まり頂き,主に招待講演で構成したプログラムにより,技術課題と将来動向について活発な意見交換を行ってメインストリームへの道を展望したい.

プログラム:下記のとおり

懇親会:112119:30より開催します(有料).

参加申込・問合せ:〒690-8504  松江市西川津町1060  島根大学総合理工学部  土屋敏章
                電話&Fax 0852-32-6127  e-mail:tsuchiya@ecs.shimane-u.ac.jp

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[講演プログラム]

1121日(木)
14:00-14:10   「はじめに」
               土屋敏章,島根大学総合理工学部

14:10-14:40   招待講演 「SOI技術の現状と今後の展望」
               吉見 信,東芝 セミコンダクター社 SoC研究開発センター

14:40-15:10   招待講演 「0.1ミクロン時代の高品質SOIウエーハ技術」
               米原隆夫,キヤノン デバイス開発本部

15:10-15:40   招待講演 「完全空乏型SOI MOSFETにおける基板バイアス効果を利用した低消費電力化技術と高速化技術」
               平本俊郎,南雲俊治,東京大学生産技術研究所

15:40-16:10   招待講演 「絶縁膜上のシリコンMOSFETの通信用LSIへの応用について」
               前田茂伸,松本拓治,平野有一,岩松俊明,一法師隆志,前川繁登,
               三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター

16:10-16:20   休憩

16:20-16:50   招待講演 「CWレーザラテラル結晶化(CLC)技術による高移動度450℃低温ポリSi-TFT
               佐々木伸夫,原明人,竹内文代,筧達也,吉野健一,菅勝行,千田満,竹井美智子
               富士通研究所シリコンテクノロジ研究所

16:50-17:20   招待講演 「低温ポリSi TFTの現状と課題」
               大倉 理,糸賀敏彦,芝建夫*,波多野睦子*
               日立ディスプレイズ開発本部,*日立製作所中央研究所

17:20-17:50   招待講演 「エキシマ・レーザ再結晶化Poly-Siとその新規TFTへの応用」
               松尾直人,山口大学工学部

17:50-18:20   招待講演 「ラマン分光によるTFT用ポリシリコン中の欠陥評価」
               北原邦紀,島根大学総合理工学部

1122日(金)
 9:00-9:30    招待講演 「SOI構造を利用した新型素子の試み」
               浅野種正,九州工業大学 マイクロ化総合技術センター

 9:30-10:00   招待講演 「低電圧動作に特化した新規SOIデバイス構造の提案とそのデバイスシミュレーションによる動作解析」
               寺内 衛,広島市立大学情報科学部

10:00-10:30   招待講演 「量子SOI構造の作製とトンネルデバイスへの応用」
               田部道晴,池田浩也,石川靖彦,静岡大学電子工学研究所

10:30-10:40   休憩

10:40-11:10   招待講演 「SOIデバイスを用いた1V・RF回路応用の現状と将来展望」
               束原恒夫,小舘淳一,原田 充,宇賀神 守,山岸明洋,
               NTTマイクロシステムインテグレーション研究所

11:10-11:40   招待講演 「高性能多結晶シリコン薄膜トランジスタの作製」
               鮫島俊之,渡壁 創,東京農工大学工学部

11:40-12:10   招待講演 「低温ポリシリコン薄膜トランジスタのホットキャリア劣化」
               浦岡行治,井上由幸,矢野裕司,畑山智亮,冬木隆,遠藤尚彦*,小川裕之*
               奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科,*液晶先端技術開発センター

12:10-13:10   昼食

13:10-13:40   招待講演 「エキシマレーザ結晶化n-p-チャネル低温poly-Si TFTのホットキャリヤ効果による素子特性の劣化」
               丹呉浩侑,宇佐美弦,菅沼昌之,東京工芸大学工学部

13:40-14:00   「結晶粒界が関与したpoly-Si TFTホットキャリア劣化機構」
               吉田俊幸,蛯子芳樹*,竹井美智子*,佐々木伸夫*,土屋敏章
               島根大学総合理工学部,*富士通研究所シリコンテクノロジ研究所
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[交通案内]

大学までのバス経路

(1)JR松江駅 -> 島根大学

JR松江駅前バス乗り場から・2番乗り場発のバス(大学・川津行きなど)に乗車し「島根大学前」下車.所要時間17分程度,料金220円.1015分間隔にて運行.
その他に,
北循環線1番乗り場発着)も「島根大学前」を経由.循環バスの場合,「内回り」にて所要時間13分,「外回り」にて所要時間36分.料金一律200円.20分間隔にて運行.
「島根大学前」バス停から講演会場まで徒歩5分.

(2)一畑電気鉄道・松江温泉駅 -> 島根大学

一畑電気鉄道・松江温泉駅北循環線バス乗り場発のバスに乗車し「島根大学前」下車.「内回り」にて所要時間47分,「外回り」にて所要時間15分.料金一律200円.20分間隔にて運行.

(3)出雲空港 -> JR松江駅 -> 島根大学

出雲空港から松江行き空港連絡バスに乗車し「JR松江駅」下車.所要時間25分,料金1,000円.松江駅以降は上記(1)に準ず.

(4)米子空港 -> JR松江駅 -> 島根大学

米子空港から松江行き空港連絡バスに乗車し「JR松江駅」下車.所要時間45分,料金960円.松江駅以降は上記(1)に準ず.