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=三島誠史君 応用物理学会支部発表奨励賞受賞=

 
2005年7月30日に島根大学松江キャンパスで開催された2005年度応用物理学会中国四国支部学術講演会において三島誠史君が下記の研究発表を行い,支部発表奨励賞を受賞しました.この賞は,大学院学生や30才未満の若手研究者を対象に,優秀な研究を発表した者に与えられるもので,今回で第10回目になります.今回は,一般講演128件の中から,自己申告した候補者10名について,各々,座長および正会員1名の合計2名の審査員の採点結果を基に,支部役員会で慎重に審議され,4名の受賞者が決定されました.三島誠史君はその一人として選出されたものです.本賞を受賞したことで,今後の研究の励みとなり,研究がますます進展することが期待されます.


発表奨励賞受賞者: 三島誠史(博士前期課程1年)

講演題目: SiGeチャネルpMOSFETにおける局所劣化SiGe/Siヘテロ界面の評価

共著者:土屋敏章,櫻庭政夫,室田淳一
      (島根大学総理工,東北大学電気通信研究所