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=三島誠史君および水卜崇文君 IEEE HISS優秀研究賞受賞=

 
2005年11月26日−27日に岡山大学津島キャンパスで開催された第7回IEEE Hiroshima Section学生シンポジウム(HISS)において三島誠史君と水卜崇文君の両名が下記の研究発表を行い,IEEE HISS優秀研究賞を受賞しました.152件の発表の中から8件の論文が選ばれ,当研究室から三島君と水卜君が発表した2件が共に受賞するという快挙を成し遂げました.本人達の今後の研究の励みとなり,研究がますます進展することが期待されると共に,後輩達への大きな励みにもなりました.


(1) HISS優秀研究賞受賞者: 三島誠史(博士前期課程1年)

講演題目: SiGeチャネルpMOSFETにおけるSiGe/Siヘテロ界面の評価

共著者:土屋敏章,櫻庭政夫,室田淳一
      (島根大学総理工,東北大学電気通信研究所

(2) HISS優秀研究賞受賞者: 水卜崇文(博士前期課程1年)

講演題目: 交流ストレス・ゲート電圧印加による低温多結晶シリコンTFTのホットキャリア劣化

共著者: 土屋敏章(島根大学総理工)