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=土屋教授,IEEE Fellow 受賞

 
土屋教授は,IEEE The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc., 米国電気電子技術者協会)から,以下のCitationのように,MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) デバイスの信頼性物理の理解を進展させたことへの貢献,および,ホットキャリア耐性のあるCMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 技術開発への貢献により,IEEE Fellow の称号を受賞しました.


“For contributions to the understanding of the reliability physics of MOS devices and the development of hot-carrier-immune CMOS technologies”

IEDM(Int‘l Electron Devices Meeting)Plenary Sessionでの受賞セレモニー
San Francisco Hilton and Towersにて,2002.12.9