総説・解説記事等

(1)M. Tsukada, K. Kobayashi, N. Isshiki, and H. Kageshima, "First-principles theory of scanning tunneling microscopy", Surf. Sci. Rep. Vol.13, No.8, pp.267-304 (1991, August).

(2)影島博之, 基礎講座<半導体材料・プロセスの物理と設計>「半導体プロセスにおける表面反応の理解」, 「応用物理」第68, 11, pp. 1280-1284 (199911)

(3)影島博之, 白石賢二, 植松真司, Si/SiO2界面形成における歪みの役割」, 「表面科学」第21, 6, pp. 361(43)-366(48) (20006)

(4)影島博之, 白石賢二, 植松真司, 「極薄シリコン酸化膜形成の理論」, 「真空」第44, 8, pp. 701-706  (20018)

(5)植松真司, 影島博之, 白石賢二, 「シリコン酸化膜形成のシミュレーション」, 「表面科学」第23, 2, pp.104-110 (20022)

(6)影島博之, 白石賢二, 植松真司, 「シリコン熱酸化の新しい描像」, 「固体物理」第37, 2, pp. 61-71 (20022)

(7)影島博之, 基礎講座<分子シミュレーションの基礎と応用>「第一原理計算法I, 「応用物理」第75, 10, pp. 1258-1265 (200610)

(8)H. Kageshima, "Computational physics technologies for developing novel functional nanostructures", 'NTT Technical Review', Vol. 4, No. 11, pp. 12-16 (November 2006).

(9)H. Kageshima, M. Uematsu, T. Akiyama, and T. Ito, "Microscopic Mechanism of Silicon Oxidation Process", Electrochem. Soc. Trans. Vol. 6, No. 3, pp.449-463 (2007).

(10)影島博之, 「新しい機能性ナノ構造開発のための計算物理技術」, NTT技術ジャーナル」第19, 2, pp. 6-8 (20072)

(11)M. Kasu, K. Ueda, H. Kageshima, and Y. Yamauchi, "RF equivalent-circuit analysis of p-type diamond field-effect transistors with hydrogen surface termination", IEICE Transactions on Electronics, Vol. E91C, No. 7, pp.1042-1049 (Jul. 2008).

(12)M. Kasu, K. Ueda, H. Kageshima, and Y. Taniyasu, "Diamond RF FETs and other approaches to electronics", Phys. Stat. Sol. (c) Vol.5, No.9, pp.3165–3168 (Jul. 2008).

(13)嘉数誠, 植田研二, 影島博之, 「水素終端ダイヤモンドFETのゲート金属界面」, 「表面科学」第29, 3, pp. 159-163 (20083)

(14)H. Hibino, H. Kageshima, and M. Nagase, "Epitaxial few-layer graphene: toward single crystal growth", J. Phys. D Vol. 43, No. 37, pp. 374005-1-14 (Sep. 2, 2010).

(15)日比野浩樹, 影島博之, 永瀬雅夫, 「単結晶グラフェン基板の創製に向けたSiC 上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析」, 'Journal of the Vacuum Society of Japan', Vol. 53, No. 2, pp. 101-108 (20102)

(16)日比野浩樹, 影島博之, 永瀬雅夫, 「シリコンカーバイト上のグラフェン成長」, NTT技術ジャーナル」第22, 6, pp. 18-21 (20106)

(17)影島博之, 「ダイヤモンド界面とグラフェン成長の理論検討」, NEW DIAMOND, 98, pp. 13-18 (20107)

(18)H. Hibino, H. Kageshima, and M. Nagase, "Graphene growth on silicon carbide", 'NTT Technical Review', vol. 8, No. 8, 6pages (August 2010).

(19)日比野浩樹, 田邉真一, 影島博之, 「シリコンカーバイト上に成長したエピタキシャルグラフェン」, NEW DIAMOND, 99, pp. 23-27 (201010)

(20)影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司, SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討」, 日本結晶成長学会誌, vol. 37, No. 3, pp. 190-195 (201010)

(21)日比野浩樹, 田邉真一, 影島博之, SiC上エピタキシャルグラフェンの成長と評価」, 固体物理 45 11 特集号「ディラック電子系の固体物理」, pp. 645-655 (201011)

(22)影島博之, 日比野浩樹, 田邉真一, 「グラフェン」, 月刊『機能材料』, 2011, 5月号, pp. 56-62 (20115)

(23)日比野浩樹, 田邉真一, 影島博之, SiCの熱分解によるグラフェン成長とLEEM評価技術」, 月刊『ディプレイ』, vol.17, No.10, pp. 21-26 (201110)

(24)H. Kageshima, H. Hibino, M. Nagase, Y. Sekine, and H. Yamaguchi, "Theoretical study on magnetoelectric and thermoelectric properties for graphene devices", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 50, No. 7, pp. 070115-1-5 (Jul. 2011).

(25)H. Hibino, S. Tanabe, and H. Kageshima, "Growth and electronic transport properties of epitaxial graphene grown on SiC", J. Phys. D Vol. 45, No. 15, pp.154008-1-15 (Apr. 18, 2012).

(26)H. Kageshima, H. Hibino, and S. Tanabe, "Physics of Epitaxial Graphene on SiC(0001)", J. Phys. Condens. Matter Vol. 24, No. 31, pp.314215-1-11 (Aug. 8, 2012).

(27)影島博之, SiC表面におけるグラフェン形成の理論検討」, 「超精密」, 18, pp. 39-44 (20121231)

(28)関根佳明, 日比野浩樹, 小栗克也, 赤崎達志, 影島博之, 永瀬雅夫, 佐々木健一, 山口浩司, SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱」, NTT技術ジャーナル」, 25, 6, pp. 22-26 (20136)

(29)Y. Sekine, H. Hibino, K. Oguri, T. Akasaki, H. Kageshima, M. Nagase, K. Sasaki, and H. Yamaguchi, "Surface-enhanced Raman Scattering of Graphene on SiC", 'NTT Technical Review', Vol. 11, No. 8, 6pages (Aug. 2013).

(30) H. Hibino, S. Wang, C. M. Orofeo, and H. Kageshima, "Growth and low-energy electron microscopy characterizations of graphene and hexagonal boron nitride", Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials, Vol. 62, No. 2, pp.155-176 (Jun. 2016).

(31)H. Kageshima, K. Shiraishi, and T. Endoh, "Silicon emission mechanism for oxidation process of non-planar silicon", ECS Transactions, Vol. 75, No. 5, 215-226 (2016).