総説・解説記事等

(2)影島博之, 基礎講座<半導体材料・プロセスの物理と設計>「半導体プロセスにおける表面反応の理解」, 「応用物理」第68, 11, pp. 1280-1284 (199911)

(3)影島博之, 白石賢二, 植松真司, Si/SiO2界面形成における歪みの役割」, 「表面科学」第21, 6, pp. 361(43)-366(48) (20006)

(4)影島博之, 白石賢二, 植松真司, 「極薄シリコン酸化膜形成の理論」, 「真空」第44, 8, pp. 701-706  (20018)

(5)植松真司, 影島博之, 白石賢二, 「シリコン酸化膜形成のシミュレーション」, 「表面科学」第23, 2, pp.104-110 (20022)

(6)影島博之, 白石賢二, 植松真司, 「シリコン熱酸化の新しい描像」, 「固体物理」第37, 2, pp. 61-71 (20022)

(7)影島博之, 基礎講座<分子シミュレーションの基礎と応用>「第一原理計算法I, 「応用物理」第75, 10, pp. 1258-1265 (200610)

(8)H. Kageshima, "Computational physics technologies for developing novel functional nanostructures", 'NTT Technical Review', Vol. 4, No. 11, pp. 12-16 (November 2006).

(10)影島博之, 「新しい機能性ナノ構造開発のための計算物理技術」, NTT技術ジャーナル」第19, 2, pp. 6-8 (20072)

(13)嘉数誠, 植田研二, 影島博之, 「水素終端ダイヤモンドFETのゲート金属界面」, 「表面科学」第29, 3, pp. 159-163 (20083)

(14)H. Hibino, H. Kageshima, and M. Nagase, "Epitaxial few-layer graphene: toward single crystal growth", J. Phys. D Vol. 43, No. 37, pp. 374005-1-14 (Sep. 2, 2010).

(15)日比野浩樹, 影島博之, 永瀬雅夫, 「単結晶グラフェン基板の創製に向けたSiC 上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析」, 'Journal of the Vacuum Society of Japan', Vol. 53, No. 2, pp. 101-108 (20102)

(16)日比野浩樹, 影島博之, 永瀬雅夫, 「シリコンカーバイト上のグラフェン成長」, NTT技術ジャーナル」第22, 6, pp. 18-21 (20106)

(17)影島博之, 「ダイヤモンド界面とグラフェン成長の理論検討」, NEW DIAMOND, 98, pp. 13-18 (20107)

(18)H. Hibino, H. Kageshima, and M. Nagase, "Graphene growth on silicon carbide", 'NTT Technical Review', vol. 8, No. 8, 6pages (August 2010).

(19)日比野浩樹, 田邉真一, 影島博之, 「シリコンカーバイト上に成長したエピタキシャルグラフェン」, NEW DIAMOND, 99, pp. 23-27 (201010)

(20)影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司, SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討」, 日本結晶成長学会誌, vol. 37, No. 3, pp. 190-195 (201010)

(21)日比野浩樹, 田邉真一, 影島博之, SiC上エピタキシャルグラフェンの成長と評価」, 固体物理 45 11 特集号「ディラック電子系の固体物理」, pp. 645-655 (201011)

(22)影島博之, 日比野浩樹, 田邉真一, 「グラフェン」, 月刊『機能材料』, 2011, 5月号, pp. 56-62 (20115)

(23)日比野浩樹, 田邉真一, 影島博之, SiCの熱分解によるグラフェン成長とLEEM評価技術」, 月刊『ディプレイ』, vol.17, No.10, pp. 21-26 (201110)

(27)影島博之, SiC表面におけるグラフェン形成の理論検討」, 「超精密」, 18, pp. 39-44 (20121231)

(28)関根佳明, 日比野浩樹, 小栗克也, 赤崎達志, 影島博之, 永瀬雅夫, 佐々木健一, 山口浩司, SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱」, NTT技術ジャーナル」, 25, 6, pp. 22-26 (20136)

(29)Y. Sekine, H. Hibino, K. Oguri, T. Akasaki, H. Kageshima, M. Nagase, K. Sasaki, and H. Yamaguchi, "Surface-enhanced Raman Scattering of Graphene on SiC", 'NTT Technical Review', Vol. 11, No. 8, 6pages (Aug. 2013).