著書等
(1)M. Tsukada, K. Kobayashi, N. Isshiki, S. Watanabe, and H. Kageshima, "The Role of Tip Atomic and Electronic Structure in Scanning Tunneling Microscopy and Spectroscopy", Springer Series in Surface Sciences, Vol 29, 'Scanning Tunneling Microscopy III: Theory of Stm and Related Scanning Probe Methods (Springer Series in Surface Sciences)', editted by R. Wiesendanger and H.-J. Gruntherodt, Springer-Verlag (Berlin, 1993, 392pages), pp. 77-103.
(2)白石賢二, 伊藤智徳, 影島博之共著, 「ナノエレクトロニクスと計算科学」, 社団法人電子情報通信学会 (東京, 2001年11月1日,150pages), pp. 1-150。
(3)影島博之, 第１編第4章「表面の電子状態およびエネルギー」, 第1節1-3「三次元バルクの原子配列と電子状態」, 第2節1-3「表面の原子配列と電子状態の基礎」, 第3節1-6「さまざまな物質の表面の電子状態」, 日本表面科学会編, 「日本表面科学会創立25周年記念 新訂版・表面科学の基礎と応用」, エヌ・ティー・エス (東京, 2004年6月22日,1555pages), pp.70-93。
(4) 日比野浩樹, 田邉真一, 影島博之, 「SiC の熱分解によるグラフェン成長」, 『グラフェン・イノベーション −−電子デバイスを変えるナノカーボン材料革命』, 日経BPマーケティング(東京, 2011年2月, 255pages), pp. 146-153。
(5) H. Kageshima, “Theory of Graphene Growth on SiC Substrate”, in ‘Epitaxial Graphene on Silicon Carbide: Modelling, Characterization, and Applications’, edited by G. Rius and P. Godignon, Pan Stanford (Singapore, 2018, 260pages, ISBN 978-9814774208), pp. 143-166.
