外部資金等
(1) 科学研究費補助金研究分担者：
平成１８年度-２０年度 基盤研究（Ｂ） （一般）
18360027 「シリコンナノ構造酸化の窒素添加による制御」
研究代表者 慶應義塾大学教授 植松真司
(2) 科学研究費補助金研究分担者：
平成１９年度-２１年度 基盤研究（Ｂ） （一般）
19310077 「ナノスケール4d/5d遷移金属の電気・光学・力学的手法による強磁性誘起」
研究代表者 慶應義塾大学教授 佐藤徹哉
(3) 科学研究費補助金研究分担者：
平成１９年度-２１年度 基盤研究（Ｂ） （一般）
19310085 「数層グラフェン薄膜のナノスケール伝導特性の解明」
研究代表者 NTT物性科学基礎研究所主任研究員 永瀬雅夫
(4) 科学研究費補助金研究分担者：
平成２１年度-２３年度 基盤研究（Ａ） （一般）
21246006 「ウェハスケール表面構造制御を用いた単結晶グラフェン基板創製」
研究代表者 NTT物性科学基礎研究所主幹研究員 日比野浩樹
(5) 科学研究費補助金研究代表者：
平成２２年度-２４年度 基盤研究（Ｂ） （一般）
22310062 「ＩＶ族半導体ナノ構造化による誘電関数制御の研究」
(6) 科学研究費補助金研究分担者：
平成２２年度-２４年度 基盤研究（Ｂ） （一般）
22310086 「数層グラフェン薄膜の局所電子・機械物性制御」
研究代表者 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部教授 永瀬雅夫
(7) 科学研究費補助金研究分担者：
平成２６年度-２８年度 基盤研究（Ｂ） （一般）
26289107 「異種機能集積化グラフェンデバイス構成法の研究」
研究代表者 徳島大学大学院ソシオテクノサイエンス研究部教授 永瀬雅夫
(8) 科学技術振興機構(JST)研究分担者:
平成２６年度- 戦略的創造研究推進事業(ACCEL)
「縦型BC-MOSFETによる三次元集積工学と応用展開」
研究代表者 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センターセンター長 遠藤哲郎
(9) 科学研究費補助金研究分担者：
平成２７年度-３０年度 基盤研究（A） （一般）
15H01998 「量子井戸構造に基づく2次元金属薄膜への磁気機能の誘導とその応用展開」
研究代表者 慶應義塾大学理工学部教授 佐藤哲哉
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(10)科学研究費補助金研究分担者：
21H01768 「結晶成長による2Dヘテロ構造のデザイン」
令和３年度-５年度 基盤研究（B) （一般）
研究代表者 関西学院大学工学部教授 日比野浩樹
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(11)科学研究費補助金研究分担者：
21H01394 「エピタキシャルグラフェンを用いた高出力テラヘルツLEDの実現」
令和３年度-６年度 基盤研究（B) （一般）
研究代表者 徳島大学ポストLED研究所教授 永瀬雅夫
