登録特許
(1)「半導体量子井戸構造およびその構造方法」。白石賢二, 永瀬雅夫, 堀口誠二, 小野行徳, 影島博之, 高橋庸夫, 田村浩之。出願番号特願平10-305370。出願日1998年10月27日。公開番号特開2000-133795。公開日2000年5月12日。特許登録番号3645433。登録日2005年2月10日。
(2)「ダイヤモンド電界効果トランジスタ」。嘉数誠, 植田研二, 影島博之。出願番号特願2007-333174。出願日2007年12月25日。公開番号特開2009-158612。公開日2009年7月16日。特許登録番号5042006。登録日2012年7月20日。
(3)「抵抗可変電子素子」。永瀬雅夫, 日比野浩樹, 影島博之, 山口浩司。出願番号特願2008-226923。出願日2008年09月04日。公開番号特開2010-062358。公開日2010年03月18日。特許登録番号5155072。登録日2012年12月14日。
(4)「ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその作製方法」。嘉数誠, 山内喜晴, 植田研二, 影島博之。出願番号特願2008-228654。出願日2008年9月5日。公開番号特開2010-062457。公開日2010年3月18日。特許登録番号5095562。登録日2012年9月28日。
(5) 「磁気電気効果素子」。影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 関根佳明, 山口浩司, 藤原聡。出願番号特願2010-162612。出願日2010年7月20日。公開番号特開2012-028369。公開日2012年2月9日。特許登録番号5545735。登録日2014年5月23日。
(6)「半導体発光素子」。登坂仁一郎, 西口克彦, 小野行徳, 影島博之, 藤原聡。出願番号特願2011-51146。出願日2011年3月9日。公開番号特開2012-190881。公開日2012年10月4日。特許登録番号5438052。登録日2013年12月20日。
(7)「グラフェンの製造方法」。村田祐也，高村真琴，影島博之，日比野浩樹。出願番号特願2012-162300。出願日2012年7月23日。公開番号特開2014-19630。公開日2014年2月3日。特許登録番号5763597。登録日2015年6月19日。
(8)「グラフェン製造方法」。田邉真一, 高村真琴, 原田裕一, 影島博之, 日比野浩樹。出願番号特願2013-179150。出願日2013年8月30日。公開番号特開2015-048258。公開日2015年3月16日。特許第5990145号。登録日2016年8月19日。
