総説・解説記事等
(1)影島博之, 基礎講座<半導体材料・プロセスの物理と設計>「半導体プロセスにおける表面反応の理解」, 「応用物理」第68巻, 第11号, pp. 1280-1284 (1999年11月) 。
(2)影島博之, 白石賢二, 植松真司, 「Si/SiO2界面形成における歪みの役割」, 「表面科学」第21巻, 第6号, pp. 361(43)-366(48) (2000年6月) 。
(3)影島博之, 白石賢二, 植松真司, 「極薄シリコン酸化膜形成の理論」, 「真空」第44巻, 第8号, pp. 701-706 (2001年8月)。
(4)植松真司, 影島博之, 白石賢二, 「シリコン酸化膜形成のシミュレーション」, 「表面科学」第23巻, 第2号, pp.104-110 (2002年2月) 。
(5)影島博之, 白石賢二, 植松真司, 「シリコン熱酸化の新しい描像」, 「固体物理」第37巻, 第2号, pp. 61-71 (2002年2月) 。
(6)影島博之, 基礎講座<分子シミュレーションの基礎と応用>「第一原理計算法I」, 「応用物理」第75巻, 第10号, pp. 1258-1265 (2006年10月) 。
(7)H. Kageshima, "Computational physics technologies for developing novel functional nanostructures", 'NTT Technical Review', Vol. 4, No. 11, pp. 12-16 (November 2006).
(8)影島博之, 「新しい機能性ナノ構造開発のための計算物理技術」, 「NTT技術ジャーナル」第19巻, 第2号, pp. 6-8 (2007年2月)。
(9)嘉数誠, 植田研二, 影島博之, 「水素終端ダイヤモンドFETのゲート金属界面」, 「表面科学」第29巻, 第3号, pp. 159-163 (2008年3月)。
(10)日比野浩樹, 影島博之, 永瀬雅夫, 「単結晶グラフェン基板の創製に向けたSiC 上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析」, 'Journal of the Vacuum Society of Japan', Vol. 53, No. 2, pp. 101-108 (2010年2月) 。
(11)日比野浩樹, 影島博之, 永瀬雅夫, 「シリコンカーバイト上のグラフェン成長」, 「NTT技術ジャーナル」第22巻, 第6号, pp. 18-21 (2010年6月) 。
(12)影島博之, 「ダイヤモンド界面とグラフェン成長の理論検討」, 「NEW DIAMOND」, 第98号, pp. 13-18 (2010年7月)。
(13)H. Hibino, H. Kageshima, and M. Nagase, "Graphene growth on silicon carbide", 'NTT Technical Review', vol. 8, No. 8, 6pages (August 2010).
(14)日比野浩樹, 田邉真一, 影島博之, 「シリコンカーバイト上に成長したエピタキシャルグラフェン」, 「NEW DIAMOND」, 第99号, pp. 23-27 (2010年10月)
(15)影島博之, 日比野浩樹, 永瀬雅夫, 山口浩司, 「SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討」, 日本結晶成長学会誌, vol. 37, No. 3, pp. 190-195 (2010年10月)
(16)日比野浩樹, 田邉真一, 影島博之, 「SiC上エピタキシャルグラフェンの成長と評価」, 固体物理 第45巻 第11号 特集号「ディラック電子系の固体物理」, pp. 645-655 (2010年11月)
(17)影島博之, 日比野浩樹, 田邉真一, 「グラフェン」, 月刊『機能材料』, 2011, 5月号, pp. 56-62 (2011年5月)
(18)日比野浩樹, 田邉真一, 影島博之, 「SiCの熱分解によるグラフェン成長とLEEM評価技術」, 月刊『ディプレイ』, vol.17, No.10, pp. 21-26 (2011年10月)
(19)影島博之, 「SiC表面におけるグラフェン形成の理論検討」, 「超精密」, 第18巻, pp. 39-44 (2012年12月31日)。
(20)関根佳明, 日比野浩樹, 小栗克也, 赤崎達志, 影島博之, 永瀬雅夫, 佐々木健一, 山口浩司, 「SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱」, 「NTT技術ジャーナル」, 第25巻, 第6号, pp. 22-26 (2013年6月)。
(21)Y. Sekine, H. Hibino, K. Oguri, T. Akasaki, H. Kageshima, M. Nagase, K. Sasaki, and H. Yamaguchi, "Surface-enhanced Raman Scattering of Graphene on SiC", 'NTT Technical Review', Vol. 11, No. 8, 6pages (Aug. 2013).
(22) 影島博之, 秋山亨, 白石賢二, 植松真司, 「シリコン原子はどこへ行く?まだまだ不思議な熱酸化」, 「応用物理」第91巻, 第3号, pp.155-159 (2022年3月).
